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硅酸铋(Bi_(12)SiO_(20))熔体中Marangoni对流的实时观察研究
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作者 梁歆桉 金蔚青 +1 位作者 潘志雷 刘照华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期20-,共1页
The convection in melt crystal growth influences the crystal integrity deeply.During space crystal growth,the buoyancy driven convection has been eliminated for the microgravity environment,therefroe,surface tension d... The convection in melt crystal growth influences the crystal integrity deeply.During space crystal growth,the buoyancy driven convection has been eliminated for the microgravity environment,therefroe,surface tension driven convection (Marangoni Convection) become the main convection form.But the Marangoni convection forms,starting condition,development process and its influence on crystal growth are still unclear now.At the present time,Many studies focused on simulating liquid Marangoni convection or numerical simulation.However,few studies concerned on real melt,especially on oxide melt. In this paper,an in situ observation is carried out to study the start and development of Marangoni convection of Bi 12 SiO 20 melt in a 2mm diameter loop like platinum crucible.The different states of steady convection and the transition from steady to oscillatory convection are observed.The critical Marangoni number is obtained as 22433 and it agreed with a dependence Ma c=2884Pr 0.638 for high Prandtl number melt.The authors also obtained a dependence of convection oscillatory frequency on melt temperature.It increases with temperature rising. 展开更多
关键词 in situ observation Marangoni convection bi 12 sio 20 TRANSITION OSCILLATORY
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在多工位炉上CeO_2:Bi_(12)SiO_(20)单晶生长的研究(Ⅱ)——空间生长实验部分 被引量:3
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作者 周燕飞 王锦昌 +2 位作者 唐连安 陈诺夫 陈万春 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期283-288,共6页
掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为(?)10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸... 掺Ce:Bi12SiO20单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为(?)10mm×40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的X射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体。 展开更多
关键词 CeO2:bi12sio20晶体 掺铈硅酸铋 晶体生长 微重力 多工位炉 喇曼光谱 光学性能 空间生长实验
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Bi_(12)SiO_20熔体表面张力对流研究 被引量:2
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作者 梁歆桉 金蔚青 +1 位作者 潘志雷 刘照华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期32-36,共5页
利用高温熔体实时观察装置观察和研究了Bi12SiO20熔体中表面张力对流从稳态向振荡态的转变过程;稳态过程中的对流图样变化;可能与对流转变有关的两个对流区域的交叉;振荡态对流的分叉现象.
关键词 bi12sio20熔体 表面张力 实时观察 对流转变
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高能球磨法制备Bi12SiO20粉体
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作者 张争光 王秀峰 王莉丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期433-435,共3页
以Bi2O3和SiO2为原料,采用高能球磨法制备了硅酸铋(Bi12SiO20)粉体。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了球磨时间对产物相组成的影响;使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析... 以Bi2O3和SiO2为原料,采用高能球磨法制备了硅酸铋(Bi12SiO20)粉体。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了球磨时间对产物相组成的影响;使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析。结果显示:球磨8h后出现了Bi12SiO20的晶相结构;随着球磨时间的延长促进了Bi12SiO20的形成,从而提供了一种可以商业化大规模生产Bi12SiO20压电粉体的方法。 展开更多
关键词 bi12sio20 高能球磨法 光信息材料
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熔盐法制备单一相Bi_(12)SiO_(20)粉体 被引量:1
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作者 鲁俊雀 王秀峰 +1 位作者 江红涛 许雅琴 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1164-1167,共4页
本文报道了一种较低温度下合成单一相Bi12SiO20粉体的新方法。以Bi2O3和SiO2为原料,KCl-K2CO3为熔剂,采用熔盐法于635℃合成了Bi12SiO20粉体。XRD分析表明该粉体为单一相Bi12SiO20,SEM分析显示冷却速率对合成Bi12SiO20粉体的尺寸及形貌... 本文报道了一种较低温度下合成单一相Bi12SiO20粉体的新方法。以Bi2O3和SiO2为原料,KCl-K2CO3为熔剂,采用熔盐法于635℃合成了Bi12SiO20粉体。XRD分析表明该粉体为单一相Bi12SiO20,SEM分析显示冷却速率对合成Bi12SiO20粉体的尺寸及形貌有重要影响;此外,合成粉体的尺寸随着盐含量的增加而增大,且粉体团聚现象明显减弱。 展开更多
关键词 硅酸铋 bi12sio20 熔盐法
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Bi_(12)SiO_(20)晶体光纤电压传感器 被引量:2
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作者 M.Norimatsu M.Shirasaki 张传忠 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1989年第1期46-49,共4页
本文介绍了采用横向Bi_(12)SiO_(20)(BSO)调制的光纤电压传感器。该传感器的灵敏度取决于BSO晶体的形状和起偏器及检偏器的偏振态。设计的晶体形状应能减小光纤的插入损耗。通过一种计算灵敏度的估算法使最佳化的起偏器和检偏器达到了... 本文介绍了采用横向Bi_(12)SiO_(20)(BSO)调制的光纤电压传感器。该传感器的灵敏度取决于BSO晶体的形状和起偏器及检偏器的偏振态。设计的晶体形状应能减小光纤的插入损耗。通过一种计算灵敏度的估算法使最佳化的起偏器和检偏器达到了最大的灵敏度。我们发现最好的方法是调整起偏器作圆偏振并将检偏器对准电极法线与旋光率所成夹角的平分线,使检偏器作线性偏振。为了使插损最小,我们采用了由TiO_2单晶(金红石)片和1/4波长片组成的起偏器,以及由金红石片和1/2波长片组成的检偏器。采用这些元件,在0.85μm波长时,我们获得了0.28%/V的灵敏度。 展开更多
关键词 bi12sio20 光纤传感器 传感器
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硅酸铋粉体的制备与表征 被引量:5
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作者 张争光 王秀峰 +1 位作者 王莉丽 田清泉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1236-1239,共4页
以Bi2O3和SiO2为原料,采用机械合金化制备了硅酸铋(Bi12SiO20)的粉体。通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了不同球磨时间对产物相组成的影响;并使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分... 以Bi2O3和SiO2为原料,采用机械合金化制备了硅酸铋(Bi12SiO20)的粉体。通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了不同球磨时间对产物相组成的影响;并使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析。结果显示表明:球磨8h后出现了Bi12SiO20的晶相结构;随着球磨时间的延长促进了Bi12SiO20的形成,从而提供了一种可以商业化大规模生产Bi12SiO20压电粉体的方法。 展开更多
关键词 bi12sio20 机械合金化 光信息材料
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掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究 被引量:1
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作者 强亮生 徐崇泉 +1 位作者 朱春城 林红 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第3期184-186,共3页
用提拉法生长了质量较高的Al∶Bi12SiO20和Cr∶Bi12SiO20(简称Al∶BSO和Cr∶BSO)晶体,测定了掺杂BSO晶体的吸收光谱。首次发现:Al∶BSO(摩尔比)为0.1%的晶体的透过率(80%)远高... 用提拉法生长了质量较高的Al∶Bi12SiO20和Cr∶Bi12SiO20(简称Al∶BSO和Cr∶BSO)晶体,测定了掺杂BSO晶体的吸收光谱。首次发现:Al∶BSO(摩尔比)为0.1%的晶体的透过率(80%)远高于纯BSO晶体的透过率(70%);Cr∶BSO晶体中除Cr3+外。 展开更多
关键词 晶体生长 吸收光谱 掺杂 硅酸铋晶体
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