光伏组件Ⅰ-Ⅴ输出特性的典型故障分析与诊断 被引量：3

1

作者 高剑 郭倩 卫东 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第12期163-168,共6页

通过基于单二极管太阳电池等效电路模型,研究分析热斑、电势诱导衰减(potential induced degradation,PID)和老化3种典型故障的机理特性与Ⅰ-Ⅴ输出特性。通过分析3种典型故障在Ⅰ-Ⅴ特性曲线中的变化规律及差异性,提取不同故障的关键... 通过基于单二极管太阳电池等效电路模型,研究分析热斑、电势诱导衰减(potential induced degradation,PID)和老化3种典型故障的机理特性与Ⅰ-Ⅴ输出特性。通过分析3种典型故障在Ⅰ-Ⅴ特性曲线中的变化规律及差异性,提取不同故障的关键特征量,并将特征量与概率神经网络(probabilistic neural network,PNN)相结合,提出一种基于Ⅳ输出特性的故障诊断方法。通过光伏发电运营企业提供的故障组件作为实验数据来源进行实验测试,实验结果表明:故障诊断模型的准确率为99.02%左右,仅存在少有的误判情况,所提出的故障诊断方法能够可靠地实现各故障的原因判定,可对智能化地运维光伏电站提供有效的帮助。 展开更多

关键词 太阳电池 光伏组件 等效电路模型 ⅰ-ⅴ输出特性 特征量提取 故障诊断

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共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究 被引量：2

2

作者 毛海央 张文栋 +1 位作者 熊继军 薛晨阳 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z2期1189-1191,共3页

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同... 共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3％。随后测试仪器的测量误差,发现其中1％的相对漂移量由测试仪器造成。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 ⅰ-ⅴ特性 一致性 压阻特性

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基于嵌入式技术的太阳电池Ⅰ-Ⅴ性能测试仪

3

作者 袁俊明 周文利 +3 位作者 王晓晶 甘天罡 温丹 于军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第8期25-27,共3页

设计了一款基于嵌入式技术的手持式太阳电池Ⅰ-Ⅴ性能测试仪。该测试仪以ARM920体系芯片S3C2440为核心,通过采集太阳电池电压、电流、光强和温度4路信号并通过对信号数据的处理,测得太阳能电池开路电压、短路电流、最佳工作点、串联电... 设计了一款基于嵌入式技术的手持式太阳电池Ⅰ-Ⅴ性能测试仪。该测试仪以ARM920体系芯片S3C2440为核心,通过采集太阳电池电压、电流、光强和温度4路信号并通过对信号数据的处理,测得太阳能电池开路电压、短路电流、最佳工作点、串联电阻、并联电阻、电池效率等关键参数,并在触摸屏上实时显示Ⅰ-Ⅴ曲线。目前该项目已完成系统硬件设计与调试和测试界面程序的设计。调试结果表明系统工作稳定,系统功耗小。界面简洁、运行流畅、操作简单。 展开更多

关键词 嵌入式技术 太阳电池 ⅰ-ⅴ性能 触摸屏 手持仪器

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太阳模拟器光谱对三结太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试的影响 被引量：1

4

作者 肖文杰 王立功 +2 位作者 申丽丽 邱硕 薛超 《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第10期1460-1462,共3页

利用三结太阳电池的二极管模型及量子效率测试结果,计算了在不同太阳模拟器光谱条件下的三结太阳电池性能,结果表明:由于现有的太阳模拟器光谱与AMO光谱间的差异,可能造成短路电流、转换效率测试结果偏低,而太阳模拟器光谱中的峰值对测... 利用三结太阳电池的二极管模型及量子效率测试结果,计算了在不同太阳模拟器光谱条件下的三结太阳电池性能,结果表明:由于现有的太阳模拟器光谱与AMO光谱间的差异,可能造成短路电流、转换效率测试结果偏低,而太阳模拟器光谱中的峰值对测试影响较小。 展开更多

关键词 三结太阳电池 ⅰ-ⅴ测试 太阳模拟器 光谱

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基于暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究

5

作者 宋扬 陆晓东 +3 位作者 王泽来 赵洋 吕航 张宇峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期439-444,共6页

暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表... 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V^0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据。 展开更多

关键词 晶硅电池 暗ⅰ-ⅴ特性曲线 理想因子 杂质 缺陷

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基于Bezier曲线的CIGS薄膜光伏电池Ⅰ-Ⅴ曲线简单拟合方法 被引量：4

6

作者 师楠 朱显辉 苏勋文 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期199-204,共6页

精准的光伏电池输出数学模型是研究光伏系统的必要条件,然而由于厂家提供的数据有限,铜铟镓硒(CIGS)薄膜光伏电池的输出数学模型是包含若干未知参数的非线性特性曲线。因此提出仅利用厂家提供的有限数据,对CIGS薄膜光伏电池的电流-电压... 精准的光伏电池输出数学模型是研究光伏系统的必要条件,然而由于厂家提供的数据有限,铜铟镓硒(CIGS)薄膜光伏电池的输出数学模型是包含若干未知参数的非线性特性曲线。因此提出仅利用厂家提供的有限数据,对CIGS薄膜光伏电池的电流-电压输出特性曲线,即Ⅰ-Ⅴ曲线进行拟合。首先利用Bezier曲线选取函数控制点,对CIGS薄膜光伏电池的Ⅰ-Ⅴ曲线进行拟合;然后找出Bezier曲线控制点位置与CIGS薄膜光伏电池的填充因子之间的函数关系;最后,利用4种新型CIGS薄膜光伏电池对该函数关系进行验证,并对结果进行了对比分析。分析结果表明,所提方法对4种CIGS薄膜光伏电池的Ⅰ-Ⅴ曲线的拟合方法的平均相对误差均小于0.8%,验证了所提方法的有效性。 展开更多

关键词 CIGS薄膜光伏电池 ⅰ-ⅴ特性 BEZIER曲线 控制点 函数关系

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微波场效应管Ⅰ-Ⅴ特性模型研究

7

作者 张伟平 沈楚玉 《微波学报》 CSCD 北大核心 1995年第3期207-214,共8页

本文对微波场效应管Ⅰ—Ⅴ特性模型进行了研究,分析比较了八种常用模型的优缺点,它可为微波电路的设计提供一个实用的参考依据.在模型参数提取中,我们采用了一种新算法,先应用一个基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换,然后采用Levenberg... 本文对微波场效应管Ⅰ—Ⅴ特性模型进行了研究,分析比较了八种常用模型的优缺点,它可为微波电路的设计提供一个实用的参考依据.在模型参数提取中,我们采用了一种新算法,先应用一个基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换,然后采用Levenberg-Marquardt算法进行优化拟合.实际计算表明,此法能够快速、精确地提取模型参数. 展开更多

关键词 场效应管 ⅰ-ⅴ特性模型 微波场效应器

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高温超导Ⅴ-Ⅰ特性曲线计算机采集系统的研制 被引量：1

8

作者 张文泉 胡晓彤 华崇远 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1998年第3期101-105,共5页

建立了一套高温超导Ⅴ－Ⅰ特性曲线计算机采集系统，实现了对超导样品进行自动测试及方便迅速地对所测样品的数据进行分析处理，有利于高温超导材料临界电流值Ic与国际研究结果的对比．

关键词 高温超导材料 V-I特性曲线 计算机采集系统

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非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响

9

作者 陆晓东 宋扬 +2 位作者 赵洋 王泽来 张金晶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2812-2819,共8页

利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重... 利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。 展开更多

关键词 晶硅电池 暗ⅰ-ⅴ特性曲线 理想因子 总电流密度

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Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体磁电性质的研究进展

10

作者 李越 陈婷 +2 位作者 叶燕 丁守兵 毋志民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期2057-2065,共9页

稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor,DMS)是一种兼具半导体性与磁性且具有优异独特磁光、磁电功能的新型半导体材料。首先介绍了DMS的研究进展及其分类,重点阐述了Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基DMS的磁电性质,在实验方面和理论计算方面所取得的... 稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor,DMS)是一种兼具半导体性与磁性且具有优异独特磁光、磁电功能的新型半导体材料。首先介绍了DMS的研究进展及其分类,重点阐述了Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基DMS的磁电性质,在实验方面和理论计算方面所取得的研究进展,包括Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的制备方法、基本磁性质、磁性起源、输运性质及光学性质等。目前已经证实了某些DMS材料的铁磁性起源机制,一些新型DMS材料的最高居里温度(Curie temperature,Tc)已经可以与(Ga,Mn)As相比拟,并克服了传统稀磁半导体难以解决的问题。最后对Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族DMS的发展和应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 新型稀磁半导体 ⅰ-Ⅱ-ⅴ族 磁电性质 T_(c)调控

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研究MIS结构电荷特性的光Ⅰ～Ⅴ法

11

作者 杨劲 陈蒲生 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第2期50-58,共9页

介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密... 介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密度和平均分布中心的实验结果。并就该法优缺点、应用前景及改进途径作了讨论. 展开更多

关键词 电荷特性 MIS结构 光I-V法

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多孔硅的I-V特性及NO_2气敏特性研究 被引量：6

12

作者 孙凤云 胡明 +2 位作者 孙鹏 陈鹏 刘博 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期316-319,共4页

采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表... 采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min。 展开更多

关键词 多孔硅 孔隙率 ⅰ-ⅴ特性 NO2气敏特性

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基于La_(0.9)Sr_(0.1)Ga_(0.8)Mg_(0.2_O_(3-δ)固体电解质的电流型NO_2传感器敏感特性的研究 被引量：3

13

作者 顾媛媛 陈康 +2 位作者 江浩 简家文 王金霞 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1631-1635,共5页

采用丝网印刷技术制备了以La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ(LSGM,Sr、Mg双掺杂的LaGaO3)为固体电解质、NiO为敏感电极(SE)材料的电流型NO2传感器。用X射线衍射仪和扫描电镜对该传感器进行了理化分析;通过测量其在不同温度和不同NO2浓度气氛中... 采用丝网印刷技术制备了以La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ(LSGM,Sr、Mg双掺杂的LaGaO3)为固体电解质、NiO为敏感电极(SE)材料的电流型NO2传感器。用X射线衍射仪和扫描电镜对该传感器进行了理化分析;通过测量其在不同温度和不同NO2浓度气氛中的I-V曲线和时间响应曲线,研究了传感器的电流输出信号和NO2浓度的关系、时间响应特性以及稳定性。结果显示:在400℃～650℃测试温度范围内,传感器响应电流的变化幅值ΔI和NO2浓度之间存在较好的线性关系。传感器的稳定性测试结果表明:传感器样品的响应电流幅值出现了一定程度的下降,稳定性有待进一步提高。 展开更多

关键词 NO2传感器 LSGM ⅰ-ⅴ特性 响应时间 稳定性

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空间三结砷化镓太阳能电池用小型太阳模拟器测试平台设计

14

作者 张龙龙 王凯 +2 位作者 刘珉强 郑菲玲 王超 《实验室研究与探索》 北大核心 2025年第9期50-53,79,共5页

为精确测试空间三结砷化镓太阳能电池在AM0标准下的输出特性,研究设计开发了一套小型太阳模拟器测试平台。该平台通过短弧氙灯和精密光场强度调控单元实现AM0光谱匹配与辐照度精确控制;采用基于改进模糊自适应比例-积分-微分(PID)算法... 为精确测试空间三结砷化镓太阳能电池在AM0标准下的输出特性,研究设计开发了一套小型太阳模拟器测试平台。该平台通过短弧氙灯和精密光场强度调控单元实现AM0光谱匹配与辐照度精确控制;采用基于改进模糊自适应比例-积分-微分(PID)算法的智能恒温控制单元,建立被测太阳能电池标准测试温度环境,通过多路电阻快速切换的Ⅰ-Ⅴ曲线测试单元完成对被测太阳能电池输出特性的测试。测试结果表明,该测试平台能够精确模拟空间太阳辐照环境,太阳辐照不均匀度≤±4.6%、不稳定度≤±0.84%,并在(25.0±0.3)℃恒温下可靠测得电池Ⅰ-Ⅴ特性曲线及开路电压、短路电流等关键参数。通过该测试平台可有效解决空间太阳能电池地面测试不精确问题,为电池性能评估提供了可靠的技术支撑。 展开更多

关键词 太阳模拟器 AM0光源 恒温控制 三结砷化镓太阳能电池 ⅰ-ⅴ特性曲线

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透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究 被引量：1

15

作者 吴芳 王海燕 +5 位作者 卢景霄 郜小勇 杨仕娥 陈永生 杨根 王子健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期42-46,共5页

本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗... 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。 展开更多

关键词 透明导电膜 p-Si:H膜 ⅰ-ⅴ测试 电接触特性 晶化率

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温度对碲镉汞光伏芯片I-V特性的影响 被引量：1

16

作者 刘大福 袁永刚 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期443-446,共4页

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验。烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h。实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,I-V测试结果中反偏部分的电流有明显增大。通过理论分析... 对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验。烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h。实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,I-V测试结果中反偏部分的电流有明显增大。通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加。 展开更多

关键词 烘烤 ⅰ-ⅴ 碲镉汞 电流机制

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n^+-p-H gCdTe光伏探测器的化学硫化 被引量：1

17

作者 赵晓燕 彭震宇 鲁正雄 《航空兵器》 2006年第1期35-37,共3页

首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电... 首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电流的形成。 展开更多

关键词 n^+-p-HgCdTe 光伏探测器 化学硫化 ⅰ-ⅴ特性

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铁电材料I-V特性测试系统

18

作者 曾亦可 陈刚 +2 位作者 张洋洋 邓传益 俞丹 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1365-1368,共4页

本文介绍了铁电材料的I-V特性及测量原理、测试系统的组成,并给出了测试软件的流程图。用该测试系统对PZT10铁电陶瓷进行I-V特性测试,测量结果与有关报道相符合。本文设计的系统软件不仅可以对所测的铁电样品进行参数计算、修改和保存数... 本文介绍了铁电材料的I-V特性及测量原理、测试系统的组成,并给出了测试软件的流程图。用该测试系统对PZT10铁电陶瓷进行I-V特性测试,测量结果与有关报道相符合。本文设计的系统软件不仅可以对所测的铁电样品进行参数计算、修改和保存数据,而且可以对铁电样品的漏电导和线性感应电容进行补偿,从而获得接近本征特性的I-V曲线。利用该测试系统,可以更加方便地对不同的铁电材料进行研究。 展开更多

关键词 铁电材料 ⅰ-ⅴ特性 测量 数据采集

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4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型 被引量：1

19

作者 任学峰 杨银堂 贾护军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期129-132,共4页

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长... 提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果。与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的I-V特性更加吻合。 展开更多

关键词 4H-碳化硅 射频功率金属半导体场效应晶体管 ⅰ-ⅴ特性 解析模型

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炭黑(碳纤维)-聚丙烯复合型导电高分子材料的电学性能 被引量：22

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作者 董晓武 李长江 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期89-92,共4页

本文研究了炭黑(碳纤维)-聚丙烯复合型导电高分子材料的制备工艺,炭黑填充率和混入少量碳纤维对材料电阻率的影响。实验结果表明,材料具有明显的渗流效应、正温度系数效应、非线性伏安特性和电磁波屏蔽效应。

关键词 导电高分子 渗流 聚丙烯 碳纤维

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