(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3BaTiO_3系无铅压电陶瓷工艺的研究 被引量：7

1

作者 许旱峤 施书哲 +2 位作者 吕忆农 马麦霞 刘云飞 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第2期54-57,共4页

详细探讨了在制备(Bi1/2Na1/2)TiO3 BaTiO3(abbr.BNBT)系无铅压电陶瓷的过程中,合成条件Ty和烧结温度Ts对材料压电介电性能的影响,确定了较好的制备BNBT系压电陶瓷的工艺条件,并且系统地研究了(1-x)·(Bi1/2Na1/2)TiO3 xBaTiO3(x=0... 详细探讨了在制备(Bi1/2Na1/2)TiO3 BaTiO3(abbr.BNBT)系无铅压电陶瓷的过程中,合成条件Ty和烧结温度Ts对材料压电介电性能的影响,确定了较好的制备BNBT系压电陶瓷的工艺条件,并且系统地研究了(1-x)·(Bi1/2Na1/2)TiO3 xBaTiO3(x=0 02、0 04、0 06、0 08、0 10)的性能。XRD结构分析发现系统的相界在x=0 06,此时d33等压电介电性能参数达到最佳值。 展开更多

关键词 (bi1/2na1/2)tio3-Batio3 无铅压电陶瓷 制造工艺 烧结温度 合成条件

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(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3-BaTiO_3系无铅压电陶瓷结构与性能的研究 被引量：2

2

作者 刘云飞 施书哲 +2 位作者 许旱峤 徐明 吕忆农 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期28-31,共4页

采用XRD,SEM,HRTEM等分析技术对(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3(简称为BNBT)(x为0.04,0.06,0.08,0.10)进行了结构与性能的研究,并主要分析了x为0.06,即0.94(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.06BaTiO3(简称为BNBT6)在不同烧结温度下的结构形态及其对... 采用XRD,SEM,HRTEM等分析技术对(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3(简称为BNBT)(x为0.04,0.06,0.08,0.10)进行了结构与性能的研究,并主要分析了x为0.06,即0.94(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.06BaTiO3(简称为BNBT6)在不同烧结温度下的结构形态及其对性能的影响。结果表明:(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3系统具有很窄的烧结范围。另外,加入过量的Ba2+,能起到阻碍晶粒长大的作用。 展开更多

关键词 (1-x)(bi1/2na1/2)tio3-xBatio3 无铅压电陶瓷 结构与性能 HRTEM

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三方相Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3的电子结构、Born有效电荷张量和Γ声子的第一性原理研究 被引量：1

3

作者 周树兰 赵显 +1 位作者 江向平 韩晓东 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2014年第1期12-16,共5页

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下,计算了三方相Na1/2Bi1/2TiO3的电子结构,并采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了其Born有效电荷张量和布里渊区中心Γ点的声子振动。电子结构和有效电荷的计算结果表明Ti-O和B... 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下,计算了三方相Na1/2Bi1/2TiO3的电子结构,并采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了其Born有效电荷张量和布里渊区中心Γ点的声子振动。电子结构和有效电荷的计算结果表明Ti-O和Bi-O键之间存在较强的共价作用;Ti、O和Bi的有效电荷值较大说明Ti、Bi和O之间的相对位移会产生自发极化,从而产生铁电性。对Γ点各振动模进行了指认,计算得到的振动频率与实验结果吻合的很好;同时分析了光学纵模(LO)和光学横模(TO)的分裂。结果表明,TiO6的LO-TO的分裂值较大,说明其振动与电场存在较强的耦合作用,且NBT铁电态对电场及域结构的敏感性与TiO6八面体的振动密切相关。 展开更多

关键词 电子结构 Born有效电荷张量 Γ声子 na1 2bi1 2tio3 第一性原理

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四方相Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-BaTiO_3无铅压电陶瓷的研究

4

作者 江向平 王海圣 +3 位作者 黄敏 李龙珠 陈峰 吴坚强 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期27-30,共4页

采用电子陶瓷法制备出(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-xBaTiO3(简写BNBT)无铅压电陶瓷,其中x=0.08,0.1,0.2,0.3,0.4。XRD分析结果表明所制备的样品都生成了纯的钙钛矿结构,并且都为四方相。同时利用电子探针显微镜(EPM)分析技术,研究了BNBT压电陶... 采用电子陶瓷法制备出(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-xBaTiO3(简写BNBT)无铅压电陶瓷,其中x=0.08,0.1,0.2,0.3,0.4。XRD分析结果表明所制备的样品都生成了纯的钙钛矿结构,并且都为四方相。同时利用电子探针显微镜(EPM)分析技术,研究了BNBT压电陶瓷的形貌。并通过测量样品的压电介电常数,发现所研究的样品的机械品质因数(Qm)在56-74之间,平面机电耦合系数(kp)在0.16左右,频率常数(NФ)在3000左右,并且随着x的增大相对介电常数εT33/ε0逐渐变小;介质损耗tanδ先减小后增大,当x=0.20时出现最小值tanδmin=0.03018;而压电常数d33则先增加后减小,在x=0.10时有最大值d33max=138。从综合性能来看,当x=0.20时性能最好,εT33/ε0=881,tanδ=0.03018,d33=115。 展开更多

关键词 bi1/2na1/2tio3-Batio3基 无铅 压电陶瓷 四方相

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Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-BaTiO_3系无铅压电陶瓷制备工艺的优化及其结构分析 被引量：3

5

作者 杨晓冬 吕忆农 +3 位作者 刘云飞 徐明 施书哲 卢都友 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第3期71-75,共5页

借助正交试验设计，通过对无铅压电陶瓷压电、介电性能的测试，研究了BaTiO3含量、预烧温度、烧结温度及保温时间对（1-x）（Bi1／2Na1／2）TiO3-xBaTiO3（简写为BNBT-100x）陶瓷性能的影响。研究结果表明制备BNBT系陶瓷的最优化工艺条... 借助正交试验设计，通过对无铅压电陶瓷压电、介电性能的测试，研究了BaTiO3含量、预烧温度、烧结温度及保温时间对（1-x）（Bi1／2Na1／2）TiO3-xBaTiO3（简写为BNBT-100x）陶瓷性能的影响。研究结果表明制备BNBT系陶瓷的最优化工艺条件为：BaTiO3摩尔分数x=0．06、预烧温度850℃、烧结温度1130℃、保温时间2h。通过XRD分析了BNBT系压电陶瓷的晶体结构类型、晶胞参数及晶格畸变随着BaTiO3摩尔分数的变化，确定了该体系的三方-四方的准同型相界在x=0．06～0.08之间。 展开更多

关键词 bi1/2na1/2tio3-Batio3 正交试验设计 准同型相界

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(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(1-x)Ba_xTiO_3系铁电陶瓷制备工艺研究 被引量：5

6

作者 孟林丽 肖定全 朱建国 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期483-486,共4页

采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶... 采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶体 ;在同样工艺条件下 。 展开更多

关键词 铁电陶瓷 无铅压电陶瓷 制备工艺

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量子顺电体La_(1/2)Na_(1/2)TiO_3纳米晶的制备与谱学表征 被引量：1

7

作者 张伟风 张兴堂 +2 位作者 郭虹 方江邻 张明生 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期515-518,共4页

用改进硬脂酸溶胶－凝胶法制备了量子顺电体Ｌａ１／２Ｎａ１／２ＴｉＯ３纳米晶，用差热－热重分析和Ｘ射线衍射测试了样品的晶化过程及物相结构。

关键词 钙钛矿型 量子顺电材料 La1/2na1/2tio3 纳米晶

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Nb2O5掺杂高温无铅(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷结构与电性能研究 被引量：11

8

作者 李燕燕 李国荣 +3 位作者 王天宝 郑嘹赢 冷森林 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期374-378,共5页

采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、0.3mol%、0.5mol%、0.7mol%)掺杂(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷.对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减... 采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、0.3mol%、0.5mol%、0.7mol%)掺杂(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷.对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减小后增大,说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度.当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时,获得了居里温度Tc为183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω.cm、升阻比ρmax/ρmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷.通过交流复阻抗谱分析,探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理. 展开更多

关键词 PTCR 无铅 高居里温度 bi1/2na1/2tio3

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Ca_(0．3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0．7)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结研究 被引量：6

9

作者 李月明 宋婷婷 +3 位作者 尤源 胡元云 刘维良 唐春宝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1293-1297,共5页

采用传统陶瓷制备工艺,制备了掺杂Na_2O-CaO-B_2O_3(NCB)氧化物的Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3(CLST)陶瓷,研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系.研究结果表明:复合氧化物NCB掺杂量在1wt%～15... 采用传统陶瓷制备工艺,制备了掺杂Na_2O-CaO-B_2O_3(NCB)氧化物的Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3(CLST)陶瓷,研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系.研究结果表明:复合氧化物NCB掺杂量在1wt%～15wt%范围内没有杂相生成,晶相仍呈斜方钙钛矿结构.随着NCB添加量的增加,陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低,介电常数ε~r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势,频率温度系数T_f向正方向增大.NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃.添加12.5wt%NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能:ε_r=73.7,Qf=1583GHz,T_f=140.1×10^(-6)/℃,满足高介多层微波器件的设计要求. 展开更多

关键词 C(0.)(Li1/2Sm1/2)0.7tio3 na2O-CaO-B2O3 低温烧结 微波介质陶瓷

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NBT-Ba(NbO3)2无铅压电陶瓷的压电介电性能 被引量：3

10

作者 孟希敏 刘心宇 周昌荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期75-77,81,共4页

采用传统陶瓷制备方法，制备了一种新的（Na1／2Bi1／2）TiO3基无铅压电陶瓷（1-x）（Na1/2Bi1／2）TiO3-xBa（NbO3）2（摩尔分数x=0～1．4％）。X-射线衍射分析表明，所研究的组成均能够形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。SEM观察结果表... 采用传统陶瓷制备方法，制备了一种新的（Na1／2Bi1／2）TiO3基无铅压电陶瓷（1-x）（Na1/2Bi1／2）TiO3-xBa（NbO3）2（摩尔分数x=0～1．4％）。X-射线衍射分析表明，所研究的组成均能够形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。SEM观察结果表明，掺入Ba（NbO3）2促进了长条状晶粒的析出。不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征，且随着Ba（NbO3）x的增加，其弛豫性特征愈明显。检测了不同组成陶瓷的压电性能，发现材料的压电常数d33和平面机电耦合系数女。随着x值的增加先增加后降低，在x=0．6％时，陶瓷的d33=94pC／N，kp=0．171，为所研究组成中的最大值，介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。 展开更多

关键词 (na1/2bi1/2)tio3 Ba(NbO3)2 无铅压电陶瓷 压电介电性能

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CeO_2掺杂BNLKT陶瓷的压电性能与微观结构 被引量：5

11

作者 廖运文 赁敦敏 +4 位作者 肖定全 魏群 庄严 朱建国 余萍 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期554-556,共3页

利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO2掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明,掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3钙钛矿结构的晶格;... 利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO2掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明,掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3钙钛矿结构的晶格;SEM观察结果表明,少量的CeO2掺杂可改进该陶瓷的微结构;介电压电性能研究结果表明,CeO2掺杂对该陶瓷体系的综合性能有较大改善,室温下该体系配方的压电常数d33可达199 pC/N,径向机电耦合系数kp达39.3%,同时降低了陶瓷的介电损耗(tanδ=2.0%),提高了其机械品质因数。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 bi0.5(na1-x-yLixKy)0.5tio3 CeO2掺杂 压电常数 机电耦合系数

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新型无铅压电陶瓷NBT-NBSN的研究 被引量：4

12

作者 周昌荣 刘心宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期196-198,共3页

采用传统陶瓷制备方法，制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料（1-x）（Na1/2Bi1/2）TiO3-x（Na1/2Bi1／2）（Sb1／2Nb1／2）O3（T=0～1．4％，摩尔分数）。研究了（Na1/22Bi1/2）TiO3（NBT）陶瓷B位复合离子（Sb1／2Nb1／2）^4＋取... 采用传统陶瓷制备方法，制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料（1-x）（Na1/2Bi1/2）TiO3-x（Na1/2Bi1／2）（Sb1／2Nb1／2）O3（T=0～1．4％，摩尔分数）。研究了（Na1/22Bi1/2）TiO3（NBT）陶瓷B位复合离子（Sb1／2Nb1／2）^4＋取代对介电和压电性能的影响。X射线衍射分析表明，所研究的组成均能形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰，不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征。检测了不同组成陶瓷的压电性能，发现材料的压电常数d33、厚度机电耦合系数kl和介电常数εr随着x值的增加先增加后降低，在x=0．8％时，陶瓷的d33=97pC／N，kr=0．50，为所研究组成中的最大值，介电损耗tan δ则随x值的增加而增加。 展开更多

关键词 (na1/2bi1/2)tio3(nbt) 无铅压电陶瓷 压电介电性能

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无铅压电陶瓷研究开发进展 被引量：73

13

作者 赁敦敏 肖定全 +2 位作者 朱建国 余萍 鄢洪建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期127-132,共6页

无铅压电陶瓷的研究和开发是当前压电铁电材料领域的研究热点之一。该文结合近期国内外有关无铅压电陶瓷论文,综述了无铅压电陶瓷研究开发的相关进展,着重介绍了BaTiO3基无铅压电陶瓷、Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷、NaNbO3基无... 无铅压电陶瓷的研究和开发是当前压电铁电材料领域的研究热点之一。该文结合近期国内外有关无铅压电陶瓷论文,综述了无铅压电陶瓷研究开发的相关进展,着重介绍了BaTiO3基无铅压电陶瓷、Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷、NaNbO3基无铅压电陶瓷、铋层状结构无铅压电陶瓷及钨青铜结构无铅压电陶瓷等不同陶瓷种类的相关体系、制备方法及压电铁电性能。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 BaTi03 bi1/2 na1/2tio3 naNbO2 铋层状结构铁电体 钨青铜结构铁电体

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无铅压电陶瓷的器件应用分析 被引量：9

14

作者 尹奇异 廖运文 +1 位作者 赁敦敏 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期164-166,175,共4页

随着社会可持续发展战略的实施和人们环保意识的加强,无铅压电陶瓷及其器件应用已成为当前铁电压电材料及其应用研究的热点之一。该文通过对近期铋层状结构和Bi1/2Na1/2TiO3基无铅压电陶瓷,以及研发的无铅压电陶瓷的相关压电参数的分析... 随着社会可持续发展战略的实施和人们环保意识的加强,无铅压电陶瓷及其器件应用已成为当前铁电压电材料及其应用研究的热点之一。该文通过对近期铋层状结构和Bi1/2Na1/2TiO3基无铅压电陶瓷,以及研发的无铅压电陶瓷的相关压电参数的分析,对照传统PZT基压电陶瓷的器件应用,分析了无铅压电陶瓷相关性能参数对器件应用的影响。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 铋层状结构 bi1/2na1/2tio3 性能参数 器件应用

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无铅压电陶瓷的研究与展望 被引量：6

15

作者 朱华 江毅 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期31-34,共4页

综述了无铅压电陶瓷研究开发的相关进展,着重介绍了BaTiO3基无铅压电陶瓷、Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷、NaNbO3基无铅压电陶瓷、铋层状结构无铅压电陶瓷及钨青铜结构无铅压电陶瓷等不同陶瓷种类的相关体系、制备方法及压电铁电... 综述了无铅压电陶瓷研究开发的相关进展,着重介绍了BaTiO3基无铅压电陶瓷、Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷、NaNbO3基无铅压电陶瓷、铋层状结构无铅压电陶瓷及钨青铜结构无铅压电陶瓷等不同陶瓷种类的相关体系、制备方法及压电铁电性能,并对其应用及发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 压电性能 BAtio3 bi1/2na1/2tio5 naNbO3 铋层状结构铁电体 钨青铜结构铁电体

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乙醇基溶胶-凝胶法制备BNKLT无铅压电薄膜 被引量：1

16

作者 姜宁 廖运文 +3 位作者 王文芳 张林慧 李伟 刘育芳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期435-437,440,共4页

以乙醇作溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,利用溶胶-凝胶法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)无铅压电薄膜。通过红外光谱(IR)、同步热分析仪(TG-DSC)、X线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等分析了乙醇基溶胶-凝胶法制备BNKLT压电薄... 以乙醇作溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,利用溶胶-凝胶法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)无铅压电薄膜。通过红外光谱(IR)、同步热分析仪(TG-DSC)、X线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等分析了乙醇基溶胶-凝胶法制备BNKLT压电薄膜的工艺参数。结果表明,乙酰丙酮与Ti(OC4H9)4的物质的量比(N)≥1.0时,反应温度4060℃,pH=2.02.5,能获得稳定性良好的乙醇基溶胶;采用旋涂法制备的湿膜在600℃热处理30min后,可得表面光亮平整,厚度均一,致密性良好,单一钙钛矿结构的BNKLT无铅压电薄膜。 展开更多

关键词 乙醇基 溶胶-凝胶法 bi0 5(na0 7K0 2Li0 1)0 5tio3 无铅压电薄膜

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乙醇基溶胶-凝胶法制备BNKLT粉体及压电陶瓷

17

作者 姜宁 廖运文 +3 位作者 张林慧 王文芳 李伟 刘育芳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期269-272,共4页

以乙醇为溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)纳米粉体和无铅压电陶瓷。利用IR,TG-DSC,XRD,SEM等测试技术研究了乙醇基Sol-Gel法制备BNKLT纳米粉体及无铅压电陶瓷的工艺参数。... 以乙醇为溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)纳米粉体和无铅压电陶瓷。利用IR,TG-DSC,XRD,SEM等测试技术研究了乙醇基Sol-Gel法制备BNKLT纳米粉体及无铅压电陶瓷的工艺参数。实验表明,乙酰丙酮与钛酸四丁酯的摩尔比N≥1.0时,反应温度60℃,pH=2.0～2.5时,能制备出稳定性良好的乙醇基溶胶,凝胶在600℃内预烧即可获得单一钙钛矿结构的BNKLT纳米粉体,晶粒大小约20nm,并于1 050℃条件下烧结出致密度较高的陶瓷。性能测试表明,该方法制备的压电陶瓷俱有优良的电学性能:压电常数d33=192pC/N,机电耦合系数kp=0.32,介电常数εr=1 096,介电损耗tanδ=0.039,品质因数Qm=79。 展开更多

关键词 乙醇 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 bi0 5(na0 7K0 2Li0 1)tio3 纳米粉体 无铅压电陶瓷

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