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共形可承载天线高精度图形打印工艺
1
作者 张晨晖 张晟 +1 位作者 许培伦 李超 《电子工艺技术》 2025年第3期12-16,共5页
基于飞行器结构/功能一体化需求,开展共形可承载天线阵面高精度图形打印工艺研究。采用S6W100A/AC319玻纤织物预浸料热压罐工艺制作共形可承载天线的基材;通过金属化转移膜涂层技术将模具上3D打印的阵列图形转移到复合材料基材表面的方... 基于飞行器结构/功能一体化需求,开展共形可承载天线阵面高精度图形打印工艺研究。采用S6W100A/AC319玻纤织物预浸料热压罐工艺制作共形可承载天线的基材;通过金属化转移膜涂层技术将模具上3D打印的阵列图形转移到复合材料基材表面的方式,实现曲面复合材料内表面的高精度阵列图形制作;通过优化压电喷墨打印参数及打印路径,实现3D打印频率选择图形精度的精确控制;通过对复合材料基材表面物理处理,增强了3D打印银层与复合材料基材之间的结合强度;通过模具定位和打印定位的方式,实现大尺寸曲面共形天线的制作。采用上述方法,打印的图形精度满足最小线宽150±15μm、图形厚度≥10μm、图形电阻率满足≤10μΩ·cm的设计要求。 展开更多
关键词 共形可承载天线 频率选择 图形转移 3D打印 图形精度
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某型PBGA芯片混装回流焊工艺及质量控制
2
作者 杨伟 黎全英 +1 位作者 巫应刚 任康桥 《电子工艺技术》 2025年第2期1-6,共6页
为满足电子设备可靠性要求,新品元器件在产品装配前首先应分析潜在的质量风险,然后开展工艺验证,最后得出新品元器件的生产工艺和质量控制措施。针对某型FC-PBGA芯片,分析了芯片结构特点及生产工艺对芯片的影响,根据引起芯片分层的质量... 为满足电子设备可靠性要求,新品元器件在产品装配前首先应分析潜在的质量风险,然后开展工艺验证,最后得出新品元器件的生产工艺和质量控制措施。针对某型FC-PBGA芯片,分析了芯片结构特点及生产工艺对芯片的影响,根据引起芯片分层的质量控制要点,提出混装回流焊工艺验证方案,从存储、烘烤、车间放置、回流焊进行了工艺试验,结合声学扫描检测,得出了最佳工艺参数及生产过程控制措施,再从实际产品多芯片焊接需求出发,进行返修性和批量生产验证,最后形成了该型芯片的混装回流焊生产工艺及质量控制措施。 展开更多
关键词 PBGA 混装回流焊 工艺研究 芯片分层
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封装器件内部水汽含量离线控制技术
3
作者 刘炳龙 闵志先 王传伟 《电子工艺技术》 2025年第3期17-19,23,共4页
针对传统烘烤除水汽方法效果差、持续时间长的问题,研究了一种新的水汽控制方法。先将封装器件在离线独立烘箱中,以T_(1)温度进行时长为t_(1)的预烘烤;完成预烘后,将器件转入封盖机的在线集成烘箱中,在另一温度T_(2)进行时长为t_(2)的... 针对传统烘烤除水汽方法效果差、持续时间长的问题,研究了一种新的水汽控制方法。先将封装器件在离线独立烘箱中,以T_(1)温度进行时长为t_(1)的预烘烤;完成预烘后,将器件转入封盖机的在线集成烘箱中,在另一温度T_(2)进行时长为t_(2)的短暂的二次烘烤,然后进行气密封装。对比并分析了烘烤温度(离线T_(1)和在线T_(2))和烘烤时间(离线t_(1)和在线t_(2))对封盖后器件内部水汽含量的影响。结果表明,适当参数的离线耦合变温烘烤方法可以显著降低器件内部水汽含量,大幅缩短在线烘烤时间。 展开更多
关键词 水汽含量 封装器件 烘烤时间 烘烤温度
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表贴热保护型瞬态抑制二极管器件的设计应用
4
作者 孙磊 李浩 +3 位作者 聂中明 统雷雷 王世堉 邱华盛 《电子工艺技术》 2025年第1期7-10,共4页
热保护型瞬态抑制二极管(TTVS)通常被用作防止雷击等异常大电流的保护器件,在通讯基站电源系统中广泛应用。该类器件一般都是以插件封装形式出现,通过通孔焊接方式安装到PCB上。全表面贴需求的提出,不但意味着器件封装形式的改变;而且... 热保护型瞬态抑制二极管(TTVS)通常被用作防止雷击等异常大电流的保护器件,在通讯基站电源系统中广泛应用。该类器件一般都是以插件封装形式出现,通过通孔焊接方式安装到PCB上。全表面贴需求的提出,不但意味着器件封装形式的改变;而且在性能上既要能在加工中耐受回流焊的温度,保证引脚焊接良好的情况下内部线路不熔断,又要在使用过程中有电流冲击温度上升的情况下保证内部电路及时脱扣断开,确保设备安全。目前在行业内还没有成熟应用的先例。在器件设计导入阶段,工艺工程师与产品设计师、器件设计师充分协作,经过多次试验和验证,在器件内部材料、导热通道设计、器件工艺性保证、加工工艺优化等方面进行了大量的改进,最终实现了表贴TTVS器件在通讯站大型电路板上的成功应用。 展开更多
关键词 TTVS 表贴 脱扣 熔断
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面向数字微系统应用的高密度陶瓷封装基板工艺 被引量：1
5
作者 柴昭尔 卢会湘 +6 位作者 徐亚新 唐小平 李攀峰 田玉 王康 韩威 尹学全 《电子工艺技术》 2025年第1期1-3,14,共4页
针对数字微系统应用中对封装基板高密度集成的要求,以高密度陶瓷封装基板为研究对象,重点研究了精细线条、小间距互连孔的印刷/填孔工艺,并对其影响因素展开了详细研究,获得了最优工艺参数,为最终形成数字信号处理功能的最小系统提供了... 针对数字微系统应用中对封装基板高密度集成的要求,以高密度陶瓷封装基板为研究对象,重点研究了精细线条、小间距互连孔的印刷/填孔工艺,并对其影响因素展开了详细研究,获得了最优工艺参数,为最终形成数字信号处理功能的最小系统提供了高集成陶瓷基板。 展开更多
关键词 LTCC 精细线条 互连孔
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引起印制电路板ICD失效的关键要素(待续)
6
作者 毕文仲 徐伟明 +1 位作者 曾福林 安维 《电子工艺技术》 2025年第1期59-63,共5页
从印制电路板ICD问题定义和缺陷类型展开分析,设计试验方案,验证ICD问题关键要素和产生的机理,从设计、板材、钻孔、去钻污、孔金属化5个方面分析验证,得出验证结果,提出改善预防措施,为PCB从业者提供借鉴。
关键词 ICD 高速板材 钻孔 去钻污
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国产化LTCC基陶瓷管壳的可靠性分析
7
作者 卢会湘 柴昭尔 +6 位作者 徐亚新 唐小平 李攀峰 田玉 王康 韩威 尹学全 《电子工艺技术》 2025年第2期11-14,共4页
针对低温共烧陶瓷(LTCC)基陶瓷管壳开展了国产化替代研究,采用化学镀镍钯金工艺提高焊盘的焊接可靠性。通过键合强度、耐焊性和气密性的检测,对管壳及镀层质量进行全面评估,并通过温度循环及多批次重复验证,保证了陶瓷管壳的稳定性、一... 针对低温共烧陶瓷(LTCC)基陶瓷管壳开展了国产化替代研究,采用化学镀镍钯金工艺提高焊盘的焊接可靠性。通过键合强度、耐焊性和气密性的检测,对管壳及镀层质量进行全面评估,并通过温度循环及多批次重复验证,保证了陶瓷管壳的稳定性、一致性。结果表明,所选用的国产可化镀LTCC材料具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 国产化 化学镀钯金 可靠性
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引起印制电路板ICD失效的关键要素(续完)
8
作者 毕文仲 徐伟明 +1 位作者 曾福林 安维 《电子工艺技术》 2025年第2期59-62,共4页
从印制电路板ICD问题定义和缺陷类型展开分析,设计试验方案,验证ICD问题关键要素和产生的机理,从设计、板材、钻孔、去钻污、孔金属化5个方面分析验证,得出验证结果,提出改善预防措施,为PCB从业者提供借鉴。
关键词 ICD 高速板材 钻孔 去钻污
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多芯片组件功率芯片粘接失效分析及工艺改进
9
作者 孙鑫 金家富 +3 位作者 闵志先 吴伟 张建 何威 《电子工艺技术》 2025年第2期15-18,共4页
在微波多芯片组件中,VDMOS功率芯片常见的组装模式为粘接或焊接。导电胶粘接芯片虽具有操作简单、工艺温度低和便于返修的优点,但芯片的流片过程中易引入污染,在水、氧气条件下与背金电镀Ni层、导电胶Ag粉发生电化学腐蚀,导致接触电阻... 在微波多芯片组件中,VDMOS功率芯片常见的组装模式为粘接或焊接。导电胶粘接芯片虽具有操作简单、工艺温度低和便于返修的优点,但芯片的流片过程中易引入污染,在水、氧气条件下与背金电镀Ni层、导电胶Ag粉发生电化学腐蚀,导致接触电阻增大的失效现象。经试验分析发现,芯片背面污染无有效的去除方法,为避免污染物对电性能的影响,将粘接改为焊接后粘接,即芯片先焊接到钼铜载体上,检查钎透率合格后再用导电胶粘接到基板上,芯片漏极背金层熔解到焊料中形成稳定的冶金结合,原有污染界面将不复存在,可有效提升芯片连接的可靠性。 展开更多
关键词 多芯片组件 VDMOS 粘接 焊接 钼铜载体
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梯度材料壳体封装连接器失效分析与优化
10
作者 方杰 黎康杰 +5 位作者 张坤 崔西会 雷东阳 刑泽勤 王强 武樾 《电子工艺技术》 2025年第3期5-7,共3页
针对某微矩形多芯连接器在功能梯度铝基复合材料壳体上封装后出现的气密性失效问题,利用有限元方法开展热应力仿真分析,发现在焊接降温过程中因热膨胀系数差异,硅/铝调节体将来自铝合金主体的横向压应力传递至玻珠,玻珠在横向压应力作... 针对某微矩形多芯连接器在功能梯度铝基复合材料壳体上封装后出现的气密性失效问题,利用有限元方法开展热应力仿真分析,发现在焊接降温过程中因热膨胀系数差异,硅/铝调节体将来自铝合金主体的横向压应力传递至玻珠,玻珠在横向压应力作用下挤压变形导致纵向拉应力超过玻璃抗拉强度,带来的热应力超出了玻珠抗拉强度,发生断裂裂纹。设计了一种对穿式梯度硅铝调节体布置方式,并通过仿真进行评价分析,结果表明在同等截面积下对穿式梯度硅铝调节体布置方式能降低微矩形多芯连接器焊接后气密性失效的风险,通过工程验证证明优化措施有效。 展开更多
关键词 功能梯度铝基复合材料 微电子封装 焊接气密性
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全银体系国产化LTCC基板工艺的关键技术
11
作者 马涛 张鹏飞 李靖巍 《电子工艺技术》 2025年第2期19-23,共5页
研究了全银体系国产化LTCC基板的填孔、烧结及化学镀镍钯金工艺。分析了浆料性能和掩模版参数对填孔工艺质量的影响,探讨了基板烧结平整性与收缩一致性的控制方案,并剖析了化学镀镍钯金工艺的影响因素。研究表明,填孔浆料的收缩率、触... 研究了全银体系国产化LTCC基板的填孔、烧结及化学镀镍钯金工艺。分析了浆料性能和掩模版参数对填孔工艺质量的影响,探讨了基板烧结平整性与收缩一致性的控制方案,并剖析了化学镀镍钯金工艺的影响因素。研究表明,填孔浆料的收缩率、触变性能以及掩模版的厚度和孔径均会显著影响填孔工艺质量;导体浆料的烧结收缩率、基板烧结温度及等静压工艺则直接关系基板的平整性和收缩一致性;LTCC材料特性及化学镀镍钯金工艺对表层金属化质量产生重要影响。 展开更多
关键词 银浆 LTCC 填孔 烧结 化学镀镍钯金
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混合键合剪切强度的影响因素
12
作者 贺京峰 张京辉 《电子工艺技术》 2025年第1期22-26,共5页
对混合键合产品中可靠性评价之一的剪切强度影响因素进行了阐述,重点从混合键合界面材料和键合工艺条件两个方面介绍了材料与工艺因素对混合键合产品剪切强度的影响,并对国内外研究中混合键合界面材料的铜晶粒结构、介电层种类和混合键... 对混合键合产品中可靠性评价之一的剪切强度影响因素进行了阐述,重点从混合键合界面材料和键合工艺条件两个方面介绍了材料与工艺因素对混合键合产品剪切强度的影响,并对国内外研究中混合键合界面材料的铜晶粒结构、介电层种类和混合键合工艺条件的界面活化、界面钝化层保护、退火处理对混合键合强度的影响进行了评述,总结了近年来混合键合界面材料与键合工艺对键合剪切强度的影响研究进展。最后,对特定晶粒取向的铜与聚合物介电层在混合键合工艺中表现出的剪切强度优势进行了分析总结,并对混合键合未来发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 混合键合 剪切强度 界面材料 界面活化 热处理
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μBGA焊接缺陷分析与改善
13
作者 高燕青 黎全英 《电子工艺技术》 2025年第2期24-27,共4页
BGA器件的出现促进了SMT的发展和革新,因其高度集成、体积小、性能稳定,在多个领域得到了广泛的应用,μBGA是一种更小的BGA形式。对μBGA器件出现的焊接缺陷进行了分析,排除了焊接工艺问题、器件本身问题。通过优化印制板焊盘的设计方式... BGA器件的出现促进了SMT的发展和革新,因其高度集成、体积小、性能稳定,在多个领域得到了广泛的应用,μBGA是一种更小的BGA形式。对μBGA器件出现的焊接缺陷进行了分析,排除了焊接工艺问题、器件本身问题。通过优化印制板焊盘的设计方式,解决了μBGA焊接缺陷。 展开更多
关键词 SMT μBGA 焊接缺陷 印制板 焊盘
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覆铜板表面焊接GaN芯片的热性能分析
14
作者 蒲航 董悦 +3 位作者 张瑶 韩可 周永刚 弓明杰 《电子工艺技术》 2025年第3期40-43,共4页
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其优异的性能,在电源模块中的应用引起了广泛关注。然而GaN HEMT器件的散热问题成为限制其应用的关键因素。研究不同类型覆铜基板、不同覆铜厚度以及不同覆铜面积焊接GaN芯片的工艺,进行试验以及仿... GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其优异的性能,在电源模块中的应用引起了广泛关注。然而GaN HEMT器件的散热问题成为限制其应用的关键因素。研究不同类型覆铜基板、不同覆铜厚度以及不同覆铜面积焊接GaN芯片的工艺,进行试验以及仿真分析,确保GaN芯片的应用可靠性。 展开更多
关键词 覆铜板 GaN芯片 仿真 可靠性
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不可展开曲面电路图形与电阻一体化成型方法
15
作者 蒋瑶珮 方杰 崔西会 《电子工艺技术》 2025年第1期4-6,共3页
基于激光微熔覆和三维直写技术,提出了一种在不可展开曲面上实现电路图形与电阻一体化成型的方法。通过激光粗化增强基材表面结合力,随后采用喷墨直写生成导电图形和曲面电阻,并利用激光固化成型。试验结果显示,该工艺制备的电阻在恒温... 基于激光微熔覆和三维直写技术,提出了一种在不可展开曲面上实现电路图形与电阻一体化成型的方法。通过激光粗化增强基材表面结合力,随后采用喷墨直写生成导电图形和曲面电阻,并利用激光固化成型。试验结果显示,该工艺制备的电阻在恒温放置、温度变化和热稳定性试验中表现出良好的稳定性,同时镀层附着力满足应用要求。该技术提高了电阻和电路的集成可靠性,简化了工艺流程,特别适用于复杂曲面结构中的共形天线设计,具备广阔的应用前景。 展开更多
关键词 共形电路 电阻 一体化 可靠性
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晶圆键合台的力反馈方法
16
作者 陈慧玲 周字涛 +2 位作者 王成君 张辉 张慧 《电子工艺技术》 2025年第1期55-58,共4页
在半导体晶圆键合工艺中,两晶圆在承载台推力作用下产生形变从而键合,其中受力方式为点接触或线接触,存在受力不均匀的问题。基于神经网络模糊PID先进算法,进行了晶圆键合台力反馈控制方法研究;采用STM32单片机作为键合台的主控,以及UAR... 在半导体晶圆键合工艺中,两晶圆在承载台推力作用下产生形变从而键合,其中受力方式为点接触或线接触,存在受力不均匀的问题。基于神经网络模糊PID先进算法,进行了晶圆键合台力反馈控制方法研究;采用STM32单片机作为键合台的主控,以及UART串口通信协议与上位机通信。为了验证该控制算法应用于晶圆键合台系统的优越性,利用Matlab软件构建了算法仿真模型,并与试验测定值进行了比较。结果显示起步阶段的键合压力理论值与测定值变化规律一致,当施加压力值到达目标设定位附近上下波动,最终与理论仿真的键合力一同稳定在目标值。 展开更多
关键词 半导体 键合压力 反馈控制
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镁合金平板裂缝天线真空钎焊工艺
17
作者 辛建斌 方坤 +2 位作者 严银飞 刘昊 薛文俊 《电子工艺技术》 2025年第1期47-50,共4页
平板裂缝天线是星载雷达的关键结构之一,通常采用铝合金多层结构经真空钎焊而成,轻量化是其关键设计要素。设计了接触反应钎焊焊料AlAg10,开展了镁合金的真空钎焊工艺和性能研究,试制了镁合金平板裂缝天线样件并进行了电性能测试。结果... 平板裂缝天线是星载雷达的关键结构之一,通常采用铝合金多层结构经真空钎焊而成,轻量化是其关键设计要素。设计了接触反应钎焊焊料AlAg10,开展了镁合金的真空钎焊工艺和性能研究,试制了镁合金平板裂缝天线样件并进行了电性能测试。结果表明采用AlAg10焊片可以实现AZ31B镁合金的高性能真空钎焊,在钎焊温度为450 ℃、压强为450 kPa,时间为15~20 min时,接头的平均剪切强度均超过50 MPa。研制的镁合金平板裂缝天线能够通过星载振动试验考核,电性能满足设计要求。 展开更多
关键词 平板裂缝天线 镁合金 真空钎焊
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LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺中防颗粒污染技术
18
作者 樊坤 黄志海 +2 位作者 王理正 王志伟 苏子懿 《电子工艺技术》 2025年第2期52-55,共4页
二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构... 二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构主要包括微环境系统和温度控制系统,重点介绍了立式LPCVD设备工艺颗粒来源、微环境系统和温度控制系统结构组成,以及微环境系统和温度控制系统的应用效果。 展开更多
关键词 半导体 CVD 温度控制 微环境 颗粒污染 二氧化硅
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基于防振与密封技术的自适应升降平台
19
作者 樊坤 罗建 +1 位作者 龙会跃 谭恺祺 《电子工艺技术》 2025年第3期44-47,共4页
半导体化学气相沉积(CVD)设备反应腔室密封技术至关重要,密封的可靠性直接影响晶圆的品质,因此必须禁止在运行过程中反应腔室内的气氛被污染,同时避免工艺气体从炉口泄漏造成对环境与操作人员的危害。研究了一种基于防振与密封技术的自... 半导体化学气相沉积(CVD)设备反应腔室密封技术至关重要,密封的可靠性直接影响晶圆的品质,因此必须禁止在运行过程中反应腔室内的气氛被污染,同时避免工艺气体从炉口泄漏造成对环境与操作人员的危害。研究了一种基于防振与密封技术的自适应升降平台,在升降平台上增加防振传感器、3组并联组合弹簧,以及旋转和水冷机构,用于实时检测升降平台的加速度与倾角,调节其水平度,降低了晶舟与石英管内壁剐蹭的风险和维护时间,提高了设备与工艺的可靠性和密封圈的使用寿命。 展开更多
关键词 半导体 密封技术 CVD 反应腔室 升降平台 防振传感器
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薄介质MLCC的一种常见缺陷及其制备工艺优化
20
作者 邓丽云 陈长云 邱小灵 《电子工艺技术》 2025年第3期60-62,共3页
MLCC在实际使用中发生的失效,除了常见的电应力失效之外,大部分情况是MLCC自身存在缺陷。其中薄介质MLCC的内电极堆积为影响其可靠性的常见问题,多为生产制程和过程管控不稳定导致出现部分内电极层堆积,引起电极的绝缘下降,影响了产品... MLCC在实际使用中发生的失效,除了常见的电应力失效之外,大部分情况是MLCC自身存在缺陷。其中薄介质MLCC的内电极堆积为影响其可靠性的常见问题,多为生产制程和过程管控不稳定导致出现部分内电极层堆积,引起电极的绝缘下降,影响了产品的可靠性能。对薄介质MLCC常见的内电极堆积问题和多层陶瓷电容器制备工艺深入开展了讨论与分析,并提出了相应的改善方案和预防措施。 展开更多
关键词 薄介质 MLCC 缺陷 内电极 堆积 制备工艺
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