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偏高岭石的微观结构与键合反应能力 被引量:27
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作者 曹德光 苏达根 +1 位作者 杨占印 宋国胜 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期366-372,共7页
对450~1050℃下热变高岭石结构,尤其是偏高岭石结构进行了研究。针对晶体高岭石和非晶体偏高岭石的结构特征,采用了XRD、SEM和IR等测试技术手段进行矿物组成和结构分析。采用热重GT测试方法对高岭石的热分解过程进行了研究,通过对矿物... 对450~1050℃下热变高岭石结构,尤其是偏高岭石结构进行了研究。针对晶体高岭石和非晶体偏高岭石的结构特征,采用了XRD、SEM和IR等测试技术手段进行矿物组成和结构分析。采用热重GT测试方法对高岭石的热分解过程进行了研究,通过对矿物化学键合材料强度试验来表征偏高岭石的反应活性。结果发现:偏高岭石中的铝氧层是化学键合反应能力的敏感结构单元,IR谱中表征Al—O键共振的817cm-1吸收峰与其化学键合反应能力相关联,存在该吸收峰的热变高岭石具有化学键合反应能力,相对吸收率越大,化学键合反应能力越高。 展开更多
关键词 化学键合 非晶体 表征 IR谱 吸收峰 反应活性 热分解 微观结构 热重 研究
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水基溶胶-凝胶法制备Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其介电性能研究 被引量:15
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作者 齐兵 何夕云 +3 位作者 丁爱丽 仇萍荪 陈先同 罗维根 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期389-395,共7页
本文研究了一种以水为溶剂的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)液体源溶液,并用Sol-Gel技术制备出BST薄膜,实验中,对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA/TGA分析,XRD谱分析显示,BST膜呈现纯钙钛矿相结构.从SEM电镜照片可以看到,BST薄膜厚度... 本文研究了一种以水为溶剂的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)液体源溶液,并用Sol-Gel技术制备出BST薄膜,实验中,对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA/TGA分析,XRD谱分析显示,BST膜呈现纯钙钛矿相结构.从SEM电镜照片可以看到,BST薄膜厚度均匀一致,650℃热处理20min后,晶粒大小为200nm左右.性能测试结果表明,介电性能与膜厚有关,厚度为1250的BST薄膜具有较优良的介电性能,当测试频率为1kHz时,介电常数为330,介电损耗为0.043左右. 展开更多
关键词 钙钛矿 介电常数 介电损耗 溶胶凝胶法 薄膜
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界面电子转移对纳米TiO_2薄膜导电性的影响 被引量:6
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作者 顾广瑞 何志 +4 位作者 李英爱 张崇才 李卫青 殷红 赵永年 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期273-275,共3页
研究纳米 Ti O2 薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系 .结果表明 ,沉积在 Ti和Si基底上的 Ti O2 薄膜的电阻率随着膜厚的增加而非线性增大 ,分别经历了导体、半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程 ,Ti O2 薄膜导... 研究纳米 Ti O2 薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系 .结果表明 ,沉积在 Ti和Si基底上的 Ti O2 薄膜的电阻率随着膜厚的增加而非线性增大 ,分别经历了导体、半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程 ,Ti O2 薄膜导电层厚度也不相同 ,沉积在玻璃表面 Ti O2 薄膜为绝缘体 .这些现象是界面电子在界面的转移所致 。 展开更多
关键词 导电性 纳米TIO2薄膜 电阻率 界面电子转移 薄膜厚度 基底材料 二氧化钛
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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 被引量:6
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作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 赵修建 周学东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期354-360,共7页
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单... 以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 PZT铁电薄膜 电性能 PT种子层 SOL-GEL法 热处理 电滞回线 I-V特性 介电常数
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V_2O_5薄膜电荷储存特性研究 被引量:6
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作者 吴广明 吴永刚 +4 位作者 倪星元 周箴 张慧琴 金哲民 吴翔 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期545-550,共6页
本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜,用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入/退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响.实验结果表明,V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入/... 本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜,用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入/退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响.实验结果表明,V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入/退出可逆性,Li离子的注入量受到膜中V5+的含量以及锂离子可占据的总位置数限制,而且离子注入后V2O5薄膜的光学性能变化较小. 展开更多
关键词 电化学 电致变色 氧化矾薄膜 蒸空蒸发 电荷储存
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一种可擦写可读出的分子基电双稳器件 被引量:5
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作者 徐伟 郭鹏 +3 位作者 吕银祥 刘春明 蔡永挚 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期401-403,共3页
报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4 /Al,其中BN4为分子材料。该器件在较强电场 (约为 6V)作用下表现为高阻态 (“0”态 ) ,阻值大于 10 5Ω ;而在较弱的电场 (<2V)作用下则为低阻态 (“1”态 ) ,阻值约为 10 2 ... 报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4 /Al,其中BN4为分子材料。该器件在较强电场 (约为 6V)作用下表现为高阻态 (“0”态 ) ,阻值大于 10 5Ω ;而在较弱的电场 (<2V)作用下则为低阻态 (“1”态 ) ,阻值约为 10 2 Ω ,两种状态的阻抗比 10 3 ~ 10 5。改变外加电场的大小 ,器件的两种状态随之发生多次转变 ,转换次数可超过 10 3 。高阻态和低阻态的状态信息还可以用一个小电压脉冲 (0 2V)来读取。这种简单器件具有可擦写可读出功能 ,可用于制作分子基开关和分子基存贮器。 展开更多
关键词 电双稳 分子 逆转换 可逆 连续 强电场 次数 器件 可擦写 高阻
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多壁碳纳米管气敏性质的研究 被引量:13
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作者 万步勇 王万录 +4 位作者 廖克俊 吴子华 王永田 余鹏 孙鹏 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第5期323-327,共5页
本文对多壁碳纳米管薄膜在外界中的气敏性质进行了研究。实验结果表明,空气中,多壁碳纳米管薄膜对水分子的吸收是最主要的作用,并讨论了其气敏性质与薄膜比表面积及化学修饰之间的关系。
关键词 碳纳米管 气敏性质 比表面积 化学修饰
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铅基钙钛矿型结构铁电薄膜的介电及热释电性能研究 被引量:6
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作者 刘梅冬 陈实 +5 位作者 曾亦可 饶韫华 李楚容 陈磊 潘晓光 邓传益 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期100-101,共2页
用改进的溶胶 -凝胶旋转涂覆技术 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上研制出 1~ 2 μm厚 ,具有钙钛矿型结构的PbTiO3、PLT和PZT铅基铁电薄膜。该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能。
关键词 铁电薄膜 溶胶-凝胶 介电性能 热释电性能
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航天器用聚合物介质抗内带电改性技术 被引量:9
9
作者 郑晓泉 李盛涛 +2 位作者 乌江 秦晓刚 王立 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期44-47,共4页
文摘采用对航天器聚合物介质进行非线性电导改性的方法消除或削弱材料的内带电现象,以期达到消除介质脉冲放电对航天器可靠性的威胁的目标。实验研究发现,采用具有非线性电导率特性的粉粒(添加剂)对航天器用PTFE和EP进行改性,该两种复... 文摘采用对航天器聚合物介质进行非线性电导改性的方法消除或削弱材料的内带电现象,以期达到消除介质脉冲放电对航天器可靠性的威胁的目标。实验研究发现,采用具有非线性电导率特性的粉粒(添加剂)对航天器用PTFE和EP进行改性,该两种复合介质材料均可产生显著的非线性电导特性。而且,该种添加剂可以显著降低PTFE的非线性电导阈值,改变EP的非线性电导特性的陡度,而不会对两种材料的直流电气强度产生显著影响。 展开更多
关键词 航天器介质 非线性 电导 改性
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溶胶—凝胶方法在玻璃表面制备ATO薄膜过程中Na^+离子扩散的研究 被引量:12
10
作者 赵慧峰 周敖 罗伍文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第3期40-42,共3页
利用金属醇盐以溶胶-凝胶方法制备了Sb掺杂SnO2(ATO)薄膜,研究了玻璃基板中Na+离子扩散对薄膜性能的影响及其机理,并进行了在玻璃表面预镀SiO2底膜以防止这种扩散的研究工作。
关键词 溶胶凝胶 ATO 薄膜 扩散 导电 钠离子 TCO
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新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo 被引量:9
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作者 孟扬 杨锡良 +4 位作者 陈华仙 沈杰 蒋益明 章壮健 华中一 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期331-335,共5页
MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方... MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下 ,用常规的反应蒸发法 ,在约 35 0℃ ,1 2mm厚的载玻片上制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射比 (含玻璃基底 )可超过 0 80 ,同时电阻率可以低至 1 7× 10 -4 Ωcm。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 反应蒸发 电导率
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SiO_2和Si_3N_4/SiO_2薄膜表面驻极态的改善 被引量:4
12
作者 夏钟福 邱勋林 +1 位作者 朱伽倩 张冶文 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期208-212,共5页
描述了为改善其表面驻极态的抗湿能力 ,对 Si基 Si3N4 和 Si3N4 /Si O2 薄膜驻极体所进行的化学表面修正的基本原理。以六甲基二硅胺烷 (HMDS)和二氯二甲基硅烷 (DCDMS)两种化学修正试剂对这类薄膜驻极体的改性效果进行了对比性的研究... 描述了为改善其表面驻极态的抗湿能力 ,对 Si基 Si3N4 和 Si3N4 /Si O2 薄膜驻极体所进行的化学表面修正的基本原理。以六甲基二硅胺烷 (HMDS)和二氯二甲基硅烷 (DCDMS)两种化学修正试剂对这类薄膜驻极体的改性效果进行了对比性的研究。结果指出 :从抗湿能力考虑 ,经 DCDMS修正的氮、氧化硅驻极体的电荷稳定性优于 HMDS处理的样品 ,是由于这类修正形成了更完善的表面单分子疏水层 ;但如果从驻极体的储电热稳定性方面考虑 ,以 HMDS处理的样品优于 DCDMS样品 ,是由于被 HMDS修正的表面层内形成了较高浓度的深能级陷阱。 展开更多
关键词 化学表面修正 抗湿能力 电荷 热稳定性 六甲基二硅胺烷 二氯二甲基硅烷
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RF反应溅射条件对ZnO透明导电薄膜的影响 被引量:6
13
作者 倪星元 吴永刚 +3 位作者 吴广明 周箴 张慧琴 金哲民 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1998年第2期43-45,71,共4页
ZnO薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用RF磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ZnO透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为7.5×10-3Ωcm;可见光透射率约为85%;载流子浓度为5.7×1019cm-3;霍尔迁... ZnO薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用RF磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ZnO透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为7.5×10-3Ωcm;可见光透射率约为85%;载流子浓度为5.7×1019cm-3;霍尔迁移率为5.99cm2/v·s。影响ZnO透明导电薄膜性能的因素很多,但是溅射用的靶体材料,反应溅射时的温度控制以及反应的氧气氛的控制尤为重要,实验表明使用掺有3.0wt%Al2O3的ZnO靶,基片温度控制在300℃,氧氩比为1∶10能制备出性能比较好的透明导电薄膜。本文对这三方面的影响进行实验并讨论了有关结果。 展开更多
关键词 薄膜 RF溅射 透明导电薄膜 氧化锌
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碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)的电学特性 被引量:7
14
作者 王振军 李克智 王闯 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第23期47-51,共5页
综述了碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)电学特性的研究进展,探讨了CFRC的电磁屏蔽性能和导电性能研究中的相关问题,阐述了原材料、配合比和表面处理对CFRC电磁屏蔽性能的影响,明确了碳纤维分散性和试验方法对CFRC导电性能的影响规律以及... 综述了碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC)电学特性的研究进展,探讨了CFRC的电磁屏蔽性能和导电性能研究中的相关问题,阐述了原材料、配合比和表面处理对CFRC电磁屏蔽性能的影响,明确了碳纤维分散性和试验方法对CFRC导电性能的影响规律以及CFRC在工程结构中的应用状况,展望了CFRC的发展方向,指出碳纤维分散性、测试方法、温度和应力等多因素条件是CFRC电学特性将来的研究重点。 展开更多
关键词 碳纤维增强水泥基复合材料(CFRC) 电学特性 电磁屏蔽 导电性能
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K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性 被引量:6
15
作者 蔡亲佳 陈国荣 +6 位作者 莫晓亮 范智勇 顾海华 姚彦 杨剑 华中一 徐华华 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期364-367,共4页
在真空环境下 ,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜 ,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同。但不同的是 ,在 30 0K以上 ,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性。
关键词 固态化学置换反应 K(TCNQ)薄膜 电双稳特性 电荷转移络合物 7 7 8 8-四氰基苯酯二甲烷
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全固态电致色灵巧窗的研究进展 被引量:3
16
作者 吴广明 吴永刚 +5 位作者 倪星元 周箴 张慧琴 谢惠云 金哲民 吴翔 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期275-282,共8页
电致色灵巧窗是由电致色材料、离子导体、反电极和两层透明导电膜组成的一种新型的功能材料。介绍了以WO3为核心的Li离子导体全固态灵巧窗的结构和性能及其实用性,并着重讨论了WO3电致色膜、有机及无机Li离子导体和反电极材料的特性。... 电致色灵巧窗是由电致色材料、离子导体、反电极和两层透明导电膜组成的一种新型的功能材料。介绍了以WO3为核心的Li离子导体全固态灵巧窗的结构和性能及其实用性,并着重讨论了WO3电致色膜、有机及无机Li离子导体和反电极材料的特性。还介绍了全固态电致色灵巧窗的研究现状及其发展趋势。 展开更多
关键词 电致变色 三氧化钨 薄膜 灵巧窗 功能材料
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一种性能可调的新型节能材料-电致变色膜 被引量:6
17
作者 吴广明 吴永刚 +5 位作者 倪星元 周箴 张慧琴 谢惠云 金哲民 吴翔 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1996年第3期11-17,共7页
本文介绍了一种性能可调的新型节能材料—电致色薄膜,描述了以其为核心的全固态灵巧窗结构、工作原理和光学调节性能,回顾了电致色材料、离子存储层和固态锂离子导体及其性质,并展望了这种新型节能材料的应用。
关键词 电致色 薄膜 灵巧窗
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溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质 被引量:4
18
作者 王季魁 沈明荣 +1 位作者 方亮 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-233,237,共4页
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.02... 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029。在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜。发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027)。研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高。与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 钛酸锶铅 多层膜 介电性质
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[001]织构和非织构CVD金刚石膜的电学特性 被引量:3
19
作者 王林军 夏义本 +1 位作者 居建华 张文广 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期608-609,611,共3页
研究了[001]织构和非织构金刚石膜的暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下的响应。结果表明[001]织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和X射线响应,主要是由于非织构金刚石膜含有大量的晶粒间界,导致对... 研究了[001]织构和非织构金刚石膜的暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下的响应。结果表明[001]织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和X射线响应,主要是由于非织构金刚石膜含有大量的晶粒间界,导致对载流子的传输产生强烈散射。在高于500K的温度区域内,随着温度的上升[001]织构和非织构的金刚石膜的电流都将以指数式上升,这与Si占据金刚石格点产生1.68eV的激活能有关。 展开更多
关键词 CVD金刚石 电学特性 X射线探测器 金刚石膜 织构
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单次扫描技术确定金属薄膜的厚度和介电常数 被引量:2
20
作者 曹庄琪 沈启舜 +4 位作者 丁渊 桑明煌 袁文 肖平平 徐红萍 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第3期189-192,共4页
该文提出了一种改进的衰减全反射结构,并用单个激光光束同时激发了表面等离子波和修正的长程表面等离子波,根据反射率曲线中这两个等离子波的吸收峰,可直接确定结构中金属薄膜的厚度和介电常数.
关键词 金属薄膜 厚度 介电常数 单次扫描技术 表面等离子波 衰减全反射结构 测量原理
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