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半导体晶圆激光切割新技术
被引量：
14
1
作者
黄福民
谢小柱
+2 位作者
魏昕
胡伟
苑学瑞
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期293-297,共5页
激光切割半导体晶圆具有切槽窄、非接触式加工和加工速度快等特点,但仍然存在材料重凝、热影响区较大和易产生裂纹等问题。为了解决这些问题,分析了问题的成因,并分别从激光器、光学系统和加工介质3个方面详细介绍了一些新型半导体晶圆...
激光切割半导体晶圆具有切槽窄、非接触式加工和加工速度快等特点,但仍然存在材料重凝、热影响区较大和易产生裂纹等问题。为了解决这些问题,分析了问题的成因,并分别从激光器、光学系统和加工介质3个方面详细介绍了一些新型半导体晶圆激光切割技术,阐述其基本原理,分析其优缺点及主要应用和研究领域,为进一步研究和工业化应用提供了技术参考。
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关键词
激光技术
激光切割
半导体晶圆
影响因素
激光器
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职称材料
阳极氧化膜WO_3(Ⅱ)——电显色的介质效应
被引量：
1
2
作者
林仲华
罗瑾
+2 位作者
黄福民
蔡秀娟
田昭武
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第6期841-844,共4页
用循环计时电量法、循环伏安法、电化学现场(in-situ)紫外可见反射光谱技术和光电流谱技术研究了溶剂和阳离子(H^+,Li^+)对阳极氧化膜WO_3电显色稳定性和过程的影响。从循环计时电量图可以测定表征膜稳定性的氢或锂的累积量和暂态周期...
用循环计时电量法、循环伏安法、电化学现场(in-situ)紫外可见反射光谱技术和光电流谱技术研究了溶剂和阳离子(H^+,Li^+)对阳极氧化膜WO_3电显色稳定性和过程的影响。从循环计时电量图可以测定表征膜稳定性的氢或锂的累积量和暂态周期数。实验发现W/WO_3/LiCLO_4乙腈溶液体系具有高的电显色稳定性。引起WO_3膜可逆电显色的H^+和Li^+离子的嵌-脱过程的界面电化学机理不同。着色态WO_3膜的色心是自由电子,其密度超过10^(21)/cm^3,生色机理是等离子体振荡。
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关键词
电显色
三氧化钨膜
氧极氧化膜
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职称材料
题名
半导体晶圆激光切割新技术
被引量：
14
1
作者
黄福民
谢小柱
魏昕
胡伟
苑学瑞
机构
广东工业大学机电工程学院
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期293-297,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50805027)
文摘
激光切割半导体晶圆具有切槽窄、非接触式加工和加工速度快等特点,但仍然存在材料重凝、热影响区较大和易产生裂纹等问题。为了解决这些问题,分析了问题的成因,并分别从激光器、光学系统和加工介质3个方面详细介绍了一些新型半导体晶圆激光切割技术,阐述其基本原理,分析其优缺点及主要应用和研究领域,为进一步研究和工业化应用提供了技术参考。
关键词
激光技术
激光切割
半导体晶圆
影响因素
激光器
Keywords
laser technique
laser dicing
semiconductor wafer
influencing factors
lasers
分类号
TG485 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
阳极氧化膜WO_3(Ⅱ)——电显色的介质效应
被引量：
1
2
作者
林仲华
罗瑾
黄福民
蔡秀娟
田昭武
机构
厦门大学化学系物理化学研究所
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第6期841-844,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
用循环计时电量法、循环伏安法、电化学现场(in-situ)紫外可见反射光谱技术和光电流谱技术研究了溶剂和阳离子(H^+,Li^+)对阳极氧化膜WO_3电显色稳定性和过程的影响。从循环计时电量图可以测定表征膜稳定性的氢或锂的累积量和暂态周期数。实验发现W/WO_3/LiCLO_4乙腈溶液体系具有高的电显色稳定性。引起WO_3膜可逆电显色的H^+和Li^+离子的嵌-脱过程的界面电化学机理不同。着色态WO_3膜的色心是自由电子,其密度超过10^(21)/cm^3,生色机理是等离子体振荡。
关键词
电显色
三氧化钨膜
氧极氧化膜
Keywords
Electrochromism, Tungsten trioxide film, Electrochromic lifetime, Cyclic chronocoulome-try, Electroreflectance spectrum
分类号
O646.542 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
半导体晶圆激光切割新技术
黄福民
谢小柱
魏昕
胡伟
苑学瑞
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
14
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职称材料
2
阳极氧化膜WO_3(Ⅱ)——电显色的介质效应
林仲华
罗瑾
黄福民
蔡秀娟
田昭武
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
1
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