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合金条件对Al/n^+-Ge欧姆接触的影响
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作者 林旺 阮育娇 +3 位作者 陈松岩 李成 赖虹凯 汤丁亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期530-535,共6页
Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3~1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P... Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3~1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-Ge材料,掺杂浓度为1.5×1019cm-3;依据圆形传输线模型(CTLM)制备了一系列Al/n+-Ge样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-Ge样品通过400℃快速热退火(RTA)30 s表现出欧姆接触特性,并且接触电阻率ρc最低,为1.3×10-5Ω·cm2。 展开更多
关键词 AL n+-Ge接触 离子注入 退火 圆形传输线模型(CTLM) 接触电阻率
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基于单传感器的晶圆校准器旋转轴回转误差补偿研究
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作者 郑鹏 陈锃琰 +4 位作者 唐之晨 阮育娇 王若宇 赵岩 刘暾东 《计量学报》 CSCD 北大核心 2024年第12期1762-1771,共10页
半导体晶圆校准器旋转轴的回转误差补偿是提高晶圆校准器定位精度的关键技术,为此提出一种基于单传感器的晶圆校准器旋转轴回转误差补偿方法,可有效避免在装置中引入多传感器等辅助设备带来的新误差和多次标定问题。该方法采用集合平均... 半导体晶圆校准器旋转轴的回转误差补偿是提高晶圆校准器定位精度的关键技术,为此提出一种基于单传感器的晶圆校准器旋转轴回转误差补偿方法,可有效避免在装置中引入多传感器等辅助设备带来的新误差和多次标定问题。该方法采用集合平均和小波阈值去噪的双重滤波法降低采集信号的随机噪声,通过数理统计误差分离法精确分离高信噪比测量信号中混入的圆度误差;同时根据多步法计算准确的回转误差,利用得到的误差数据对传感器检测的晶圆圆周数据进行修正实现补偿。实验结果表明:晶圆校准器定位的校准偏差在0.02 mm左右,提高了校准精度,验证了方法的有效性。 展开更多
关键词 几何量计量 晶圆校准器 误差补偿 回转误差 数理统计法 集合平均 小波阈值去噪
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罗氏线圈灵敏度校准方法 被引量:2
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作者 陈建志 阮育娇 +1 位作者 胡晓英 崔潼 《上海计量测试》 2022年第6期4-7,共4页
介绍了一种罗氏线圈灵敏度的校准装置及校准方法,采用高稳定大功率交变电流源,校准时通过电流比例标准和标准电阻I/U转换方式确定标准一次电流值,从而确保罗氏线圈灵敏度校准的有效性及准确性。分析罗氏线圈灵敏度校准过程的影响因素并... 介绍了一种罗氏线圈灵敏度的校准装置及校准方法,采用高稳定大功率交变电流源,校准时通过电流比例标准和标准电阻I/U转换方式确定标准一次电流值,从而确保罗氏线圈灵敏度校准的有效性及准确性。分析罗氏线圈灵敏度校准过程的影响因素并对测量结果进行了不确定度评定分析。 展开更多
关键词 罗氏线圈 灵敏度 电流比例标准 校准方法 不确定度分析
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直流大电流源校准方法探讨 被引量:1
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作者 陈建志 胡晓英 +1 位作者 阮育娇 崔潼 《市场监管与质量技术研究》 2023年第3期20-22,46,共4页
随着直流输配电技术的发展,直流大电流源已广泛应用在各种测试场合,其量值准确可能影响设备的使用可靠性,从而影响大电流试验的有效性。文章介绍了几种直流大电流源的校准方法及校准过程。通过实例试验,计算分析试验结果数据,并对校准... 随着直流输配电技术的发展,直流大电流源已广泛应用在各种测试场合,其量值准确可能影响设备的使用可靠性,从而影响大电流试验的有效性。文章介绍了几种直流大电流源的校准方法及校准过程。通过实例试验,计算分析试验结果数据,并对校准结果进行测量不确定度评定分析。 展开更多
关键词 直流大电流 校准方法 光纤电流传感器 不确定度评定
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