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TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究被引量：5: 1; 作者张家祥卢凯 +8 位作者郭建姜晓辉崔玉琳王亮阎长江曲连杰陈旭闵泰烨苏顺康《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期55-59,共5页; 对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,... 展开更多; 关键词无退火工艺透过率氧化铟锡层 TFT特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究被引量：4: 2; 作者李田生谢振宇 +5 位作者张文余阎长江徐少颖陈旭闵泰烨苏顺康《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期493-498,共6页; 为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔(VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察... 展开更多; 关键词钝化层刻蚀过孔; 在线阅读下载PDF 职称材料

有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响被引量：3: 3; 作者李田生谢振宇 +4 位作者李婧阎长江徐少颖陈旭闵泰烨《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期720-725,共6页; TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑（黑点）问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源... 展开更多; 关键词有源层刻蚀黑点; 在线阅读下载PDF 职称材料

FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究被引量：1: 4; 作者姜晓辉张家祥 +6 位作者王亮郭建沈奇雨曲连杰张文余田宗民阎长江《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引... 展开更多; 关键词树脂材料 ITO刻蚀 ITO刻蚀液涂胶工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiN_x:H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响: 5; 作者李婧张金中 +3 位作者谢振宇阎长江陈旭闵泰烨《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期547-551,共5页; 利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7... 展开更多; 关键词 SINX H界面态 Si N 开关比 TFT特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究被引量：5: 1; 作者张家祥卢凯郭建姜晓辉崔玉琳王亮阎长江曲连杰陈旭闵泰烨苏顺康; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期55-59,共5页; 文摘对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。; 关键词无退火工艺透过率氧化铟锡层 TFT特性; Keywords anneal skip transmittance ITO layer TFT characteristic; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究被引量：4: 2; 作者李田生谢振宇张文余阎长江徐少颖陈旭闵泰烨苏顺康; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期493-498,共6页; 基金京东方研发基金(10SVHM); 文摘为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔(VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20%～30%的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质。; 关键词钝化层刻蚀过孔; Keywords passivation layer etch VIA hole; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响被引量：3: 3; 作者李田生谢振宇李婧阎长江徐少颖陈旭闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期720-725,共6页; 基金京东方研发基金(No.10S_VHM); 文摘 TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑（黑点）问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而将产品的良率提升了3%~4%,而电学性能评价（Ion：开态电流、Ioff：关态电流、Vth：阈值电压、迁移率）和正常条件相比没有异常,从而获得了最终完美的解决该不良的方案,提高了产品品质。; 关键词有源层刻蚀黑点; Keywords active layer etch black hole; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究被引量：1: 4; 作者姜晓辉张家祥王亮郭建沈奇雨曲连杰张文余田宗民阎长江; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 文摘树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等。通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶工艺,成功地将树脂引入TFT-LCD中。; 关键词树脂材料 ITO刻蚀 ITO刻蚀液涂胶工艺; Keywords resin material ITO etching ITO etchant coating process; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiN_x:H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响: 5; 作者李婧张金中谢振宇阎长江陈旭闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期547-551,共5页; 基金京东方研发基金(No.10D_HP_TFT); 文摘利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7:15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×107。适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力。优化SiNx:H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍。; 关键词 SINX H界面态 Si N 开关比 TFT特性; Keywords SiNx ： H interface-state Si/N On/Off current ratio TFT characteristics; 分类号 O753.2 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究	张家祥卢凯郭建姜晓辉崔玉琳王亮阎长江曲连杰陈旭闵泰烨苏顺康	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2014	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究	李田生谢振宇张文余阎长江徐少颖陈旭闵泰烨苏顺康	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2012	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响	李田生谢振宇李婧阎长江徐少颖陈旭闵泰烨	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究	姜晓辉张家祥王亮郭建沈奇雨曲连杰张文余田宗民阎长江	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiN_x:H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响	李婧张金中谢振宇阎长江陈旭闵泰烨	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料