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GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)
1
作者
朱彦旭
李锜轩
+3 位作者
谭张杨
李建伟
魏昭
王猜
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第6期417-425,439,共10页
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光...
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向。
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关键词
光电探测器
异质结场效应晶体管
紫外探测器
表面声波
光谱响应
光电器件
探测率
表面态
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职称材料
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展
2
作者
朱彦旭
李锜轩
+3 位作者
谭张杨
李建伟
魏昭
王猜
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期337-348,共12页
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需...
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能。围绕GaN基UV PD,介绍了GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV PD;最后,对GaN基UV PD的发展趋势进行了展望。
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关键词
GAN
紫外光电探测器(UV
PD)
器件优化
响应度
比探测率
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职称材料
ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能
3
作者
朱彦旭
谭张杨
王晓冬
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期2510-2516,共7页
本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150 nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影响.同时,利用磁控...
本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150 nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影响.同时,利用磁控溅射法在栅电极沉积ZnO晶籽层,在80℃温度下控制水热生长时间分别为6/8/10 h,探究不同水热生长时间对ZnO纳米线表面形貌以及HEMT紫外探测性能的影响.结果表明,相较于常规结构器件,ZnO纳米线栅极器件在350~450 nm波长范围内具有更高的光吸收率.同样的水热生长时间下,刻蚀深度为150 nm时源漏饱和电流相较于120 nm器件较小,但黑暗/紫外光照下的饱和电流差值更大,最大达到了8 mA,对紫外光表现出更高的探测效率.水热生长时间控制为6 h时纳米线生长形貌良好,且在该生长时间下刻蚀深度为150 nm时,器件光响应/恢复时间达到了最小值,分别为0.0057 s、2.128 s.
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关键词
高电子迁移率晶体管
ZNO纳米线
紫外探测
光响应
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职称材料
题名
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)
1
作者
朱彦旭
李锜轩
谭张杨
李建伟
魏昭
王猜
机构
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第6期417-425,439,共10页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
文摘
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向。
关键词
光电探测器
异质结场效应晶体管
紫外探测器
表面声波
光谱响应
光电器件
探测率
表面态
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展
2
作者
朱彦旭
李锜轩
谭张杨
李建伟
魏昭
王猜
机构
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期337-348,共12页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
文摘
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能。围绕GaN基UV PD,介绍了GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV PD;最后,对GaN基UV PD的发展趋势进行了展望。
关键词
GAN
紫外光电探测器(UV
PD)
器件优化
响应度
比探测率
Keywords
GaN
ultraviolet photodetector(UV PD)
device optimization
responsivity
specific detectivity
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能
3
作者
朱彦旭
谭张杨
王晓冬
机构
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
中国人民警察大学警务装备技术学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期2510-2516,共7页
基金
国家重点研发计划资助项目(No.2017YFB0402803)。
文摘
本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150 nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影响.同时,利用磁控溅射法在栅电极沉积ZnO晶籽层,在80℃温度下控制水热生长时间分别为6/8/10 h,探究不同水热生长时间对ZnO纳米线表面形貌以及HEMT紫外探测性能的影响.结果表明,相较于常规结构器件,ZnO纳米线栅极器件在350~450 nm波长范围内具有更高的光吸收率.同样的水热生长时间下,刻蚀深度为150 nm时源漏饱和电流相较于120 nm器件较小,但黑暗/紫外光照下的饱和电流差值更大,最大达到了8 mA,对紫外光表现出更高的探测效率.水热生长时间控制为6 h时纳米线生长形貌良好,且在该生长时间下刻蚀深度为150 nm时,器件光响应/恢复时间达到了最小值,分别为0.0057 s、2.128 s.
关键词
高电子迁移率晶体管
ZNO纳米线
紫外探测
光响应
Keywords
high electron mobility transistor
ZnO nanowires
UV detection
light response
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)
朱彦旭
李锜轩
谭张杨
李建伟
魏昭
王猜
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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下载PDF
职称材料
2
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展
朱彦旭
李锜轩
谭张杨
李建伟
魏昭
王猜
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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下载PDF
职称材料
3
ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能
朱彦旭
谭张杨
王晓冬
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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