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研磨型AlN基板表面腐蚀对AlN-AMB覆铜板剥离强度的影响
被引量：
2
1
作者
许海仙
曾祥勇
+2 位作者
王吕华
朱家旭
汤文明
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第3期246-251,共6页
为了解决研磨型氮化铝(AlN)基板制备的氮化铝活性金属钎焊(AlN-AMB)覆铜板剥离强度低的问题,采用浓度为0.25 mol/L的NaOH水溶液,在50℃条件下,对研磨型AlN基板表面进行腐蚀,开展腐蚀前后AlN基板表面微观形貌及AlN-AMB覆铜板界面剥离强...
为了解决研磨型氮化铝(AlN)基板制备的氮化铝活性金属钎焊(AlN-AMB)覆铜板剥离强度低的问题,采用浓度为0.25 mol/L的NaOH水溶液,在50℃条件下,对研磨型AlN基板表面进行腐蚀,开展腐蚀前后AlN基板表面微观形貌及AlN-AMB覆铜板界面剥离强度等的对比探究。结果表明,研磨型AlN基板表面存在大量破碎晶粒和微裂纹,所制备的AlN-AMB覆铜板气孔率较高,界面剥离强度只有5.787 N/mm。腐蚀可有效去除其表面破碎晶粒和微裂纹,提升AlN基板表面致密度和一致性。采用35 min腐蚀AlN基板制备的AlN-AMB覆铜板气孔率大幅降低,剥离强度提升至10.632 N/mm,相比处理前提升了83.7%。
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关键词
氮化铝基板
活性金属钎焊(AMB)
腐蚀
显微组织结构
剥离强度
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职称材料
题名
研磨型AlN基板表面腐蚀对AlN-AMB覆铜板剥离强度的影响
被引量：
2
1
作者
许海仙
曾祥勇
王吕华
朱家旭
汤文明
机构
中国电子科技集团公司第四十三研究所
合肥圣达电子科技实业有限公司
合肥工业大学材料科学与工程学院
微系统安徽省重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第3期246-251,共6页
基金
安徽省重大科技专项(202003a05020006)
安徽省重点研究与开发计划项目(202004a05020022)。
文摘
为了解决研磨型氮化铝(AlN)基板制备的氮化铝活性金属钎焊(AlN-AMB)覆铜板剥离强度低的问题,采用浓度为0.25 mol/L的NaOH水溶液,在50℃条件下,对研磨型AlN基板表面进行腐蚀,开展腐蚀前后AlN基板表面微观形貌及AlN-AMB覆铜板界面剥离强度等的对比探究。结果表明,研磨型AlN基板表面存在大量破碎晶粒和微裂纹,所制备的AlN-AMB覆铜板气孔率较高,界面剥离强度只有5.787 N/mm。腐蚀可有效去除其表面破碎晶粒和微裂纹,提升AlN基板表面致密度和一致性。采用35 min腐蚀AlN基板制备的AlN-AMB覆铜板气孔率大幅降低,剥离强度提升至10.632 N/mm,相比处理前提升了83.7%。
关键词
氮化铝基板
活性金属钎焊(AMB)
腐蚀
显微组织结构
剥离强度
Keywords
AIN substrate
active metal brazing(AMB)
etching
microstructure
peeling strength
分类号
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
研磨型AlN基板表面腐蚀对AlN-AMB覆铜板剥离强度的影响
许海仙
曾祥勇
王吕华
朱家旭
汤文明
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
2
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