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1.7MeV电子辐照对CdTe太阳电池电流传输特性影响的图谱分析（英文）
1
作者
田金秀
曾广根
+6 位作者
何绪林
张静全
武莉莉
李卫
黎兵
王文武
冯良桓
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期888-893,共6页
研究了1.7 MeV的电子辐照对具有Anti-radiation glass/ITO/ZnO/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni结构的碲化镉多晶薄膜太阳电池器件性能的影响。抗辐照玻璃的使用,有效防止了普通玻璃受辐照后性能变化对测试结果的影响。利用光、暗I-V,C-V,QE,A...
研究了1.7 MeV的电子辐照对具有Anti-radiation glass/ITO/ZnO/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni结构的碲化镉多晶薄膜太阳电池器件性能的影响。抗辐照玻璃的使用,有效防止了普通玻璃受辐照后性能变化对测试结果的影响。利用光、暗I-V,C-V,QE,AS等测试手段,分析了包括开路电压、短路电流、转换效率在内的电池性能。通过对比研究暗电流密度、分析了辐照对电池电流传输特性的影响。辐照后短路电流下降很大,电池效率明显降低。反向饱和电流密度有所增加,表明太阳电池的pn结特性受到损伤,而二极管理想因子几乎不变,说明太阳电池电流的输运机制未发生了变化。量子效率曲线证明是由于太阳电池结区损伤影响了光生载流子的收集。辐照使载流子浓度下降为原来的40.6%。导纳谱研究最终发生辐照会引入Cd^(2+)缺陷能级,其位置为E_1—E_v=(0.58±0.02)eV,俘获截面为1.78×10^(-16)cm^2,表明辐照会影响光生载流子的产生,增加了载流子复合的概率,使得反向暗电流增大,最终导致电池的短路电流衰减。
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关键词
抗辐照玻璃
电子辐照
电流传输
CDTE太阳电池
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职称材料
纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)
2
作者
张念波
田金秀
+5 位作者
李卫
武莉莉
黎兵
张静全
冯良桓
徐明
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期331-334,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3....
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。
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关键词
纳米晶硅
掺杂
表面改性
模拟
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职称材料
题名
1.7MeV电子辐照对CdTe太阳电池电流传输特性影响的图谱分析（英文）
1
作者
田金秀
曾广根
何绪林
张静全
武莉莉
李卫
黎兵
王文武
冯良桓
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期888-893,共6页
基金
the National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050515)
the Science and Technology Program of Sichuan Province,China(2013GZX0145)
文摘
研究了1.7 MeV的电子辐照对具有Anti-radiation glass/ITO/ZnO/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni结构的碲化镉多晶薄膜太阳电池器件性能的影响。抗辐照玻璃的使用,有效防止了普通玻璃受辐照后性能变化对测试结果的影响。利用光、暗I-V,C-V,QE,AS等测试手段,分析了包括开路电压、短路电流、转换效率在内的电池性能。通过对比研究暗电流密度、分析了辐照对电池电流传输特性的影响。辐照后短路电流下降很大,电池效率明显降低。反向饱和电流密度有所增加,表明太阳电池的pn结特性受到损伤,而二极管理想因子几乎不变,说明太阳电池电流的输运机制未发生了变化。量子效率曲线证明是由于太阳电池结区损伤影响了光生载流子的收集。辐照使载流子浓度下降为原来的40.6%。导纳谱研究最终发生辐照会引入Cd^(2+)缺陷能级,其位置为E_1—E_v=(0.58±0.02)eV,俘获截面为1.78×10^(-16)cm^2,表明辐照会影响光生载流子的产生,增加了载流子复合的概率,使得反向暗电流增大,最终导致电池的短路电流衰减。
关键词
抗辐照玻璃
电子辐照
电流传输
CDTE太阳电池
Keywords
Anti-radiation glass
Electron irradiation
Current transfer characteristic
CdTe solar cells
分类号
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)
2
作者
张念波
田金秀
李卫
武莉莉
黎兵
张静全
冯良桓
徐明
机构
四川大学材料科学与工程学院
西南民族大学信息材料四川省重点实验室
四川师范大学固体物理研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期331-334,共4页
基金
The National 863 Program(2011AA050515)fund support
Sichuan Normal University for the program support
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。
关键词
纳米晶硅
掺杂
表面改性
模拟
Keywords
Silicon nanocrystals
Doping
Surface modification
Simulation
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1.7MeV电子辐照对CdTe太阳电池电流传输特性影响的图谱分析（英文）
田金秀
曾广根
何绪林
张静全
武莉莉
李卫
黎兵
王文武
冯良桓
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
2
纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)
张念波
田金秀
李卫
武莉莉
黎兵
张静全
冯良桓
徐明
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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