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基于变容管的0.5 GHz～1.2 GHz宽带可调谐功率放大器设计被引量：1: 1; 作者王魁松丛密芳 +1 位作者阎跃鹏梁晓新《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第1期41-44,共4页; 针对无线通信系统向多频、微型等方向发展的需求,基于负载牵引系统测试出的功率器件最大输出时的源阻抗和负载阻抗,采用基于变容管的频率调谐技术,输入输出匹配均采用可调谐匹配网络的形式,设计了一款在0.5 GHz^1.2 GHz内可宽带调谐的... 展开更多; 关键词功率放大器宽带可调谐频率调谐技术变容管可调谐匹配网络; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频微波器件频率可调谐的实现方法: 2; 作者王魁松阎跃鹏 +1 位作者万晶梁晓新《空间电子技术》 2017年第1期79-84,共6页; 主要介绍了射频微波器件频率可调谐的实现方法,即开关选频、变容器件调频和磁场调谐的方法。介绍了各方法的工作原理,重点分析了其研究现状及优缺点,并进行了综合对比,指出射频微波器件频率可调谐方法的发展方向。; 关键词可调射频微波器件开关变容器件磁场调谐; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于天牛须算法的新型超宽带功分器研究被引量：3: 3; 作者李杰阎跃鹏 +2 位作者梁晓新万晶王魁松《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第2期418-424,共7页; 根据对马刺线的原理分析,该文提出一种新型马刺线结构,并在此基础上设计出一种新颖的超宽带功分器(频率范围为2.5~13.2 GHz)。该超宽带功分器尺寸较小,制作结构简单,带内传输特性好,输入与输出端口的回波损耗均小于–12 dB,带内插入损... 展开更多; 关键词超宽带功分器马刺线天牛须; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨被引量：2: 4; 作者赵巾翔汪峰 +4 位作者于汉超王魁松张胜利梁晓新阎跃鹏《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期134-149,共16页; 随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器... 展开更多; 关键词无线通信射频低噪声放大器高线性 3阶交截点; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的Ka波段功率放大器设计被引量：2: 5; 作者李海华王魁松 +2 位作者赵巾翔梁晓新阎跃鹏《微电子学与计算机》 2021年第1期17-21,共5页; 基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一款Ka波段AB类功率放大器.该功率放大器对匹配网络中的通孔电容设计进行改进.将改进式通孔电容运用于功合器设计中.此项改进使输出级功合器的插入损耗改善了0.8~3dB,提高了功率合成效率.测试结果显示... 展开更多; 关键词功率放大器砷化镓 KA波段匹配网络功率合成器; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述: 6; 作者何述万董濛 +4 位作者周虎梁晓新周智勇阎跃鹏王魁松《空间电子技术》 2023年第6期64-74,共11页; 新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物... 展开更多; 关键词砷化镓 I-V特性层结构退化失效机理工艺改进; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于变容管的0.5 GHz～1.2 GHz宽带可调谐功率放大器设计被引量：1: 1; 作者王魁松丛密芳阎跃鹏梁晓新; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第1期41-44,共4页; 文摘针对无线通信系统向多频、微型等方向发展的需求,基于负载牵引系统测试出的功率器件最大输出时的源阻抗和负载阻抗,采用基于变容管的频率调谐技术,输入输出匹配均采用可调谐匹配网络的形式,设计了一款在0.5 GHz^1.2 GHz内可宽带调谐的功率放大器。测试结果表明,该功率放大器频率调谐比达82.3%,且在调谐频率范围内1 dB压缩时的输出功率均大于32.1 dBm,增益大于10.1 dB,漏极效率大于38.4%。; 关键词功率放大器宽带可调谐频率调谐技术变容管可调谐匹配网络; Keywords power amplifier wideband tunable frequency tunable technology varactors tunable match networks; 分类号 TN722.7.1 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名射频微波器件频率可调谐的实现方法: 2; 作者王魁松阎跃鹏万晶梁晓新; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《空间电子技术》 2017年第1期79-84,共6页; 文摘主要介绍了射频微波器件频率可调谐的实现方法,即开关选频、变容器件调频和磁场调谐的方法。介绍了各方法的工作原理,重点分析了其研究现状及优缺点,并进行了综合对比,指出射频微波器件频率可调谐方法的发展方向。; 关键词可调射频微波器件开关变容器件磁场调谐; Keywords Tunable RF/MW devices Switch Varactor Magnetic timing; 分类号 V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于天牛须算法的新型超宽带功分器研究被引量：3: 3; 作者李杰阎跃鹏梁晓新万晶王魁松; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院大学; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第2期418-424,共7页; 文摘根据对马刺线的原理分析,该文提出一种新型马刺线结构,并在此基础上设计出一种新颖的超宽带功分器(频率范围为2.5~13.2 GHz)。该超宽带功分器尺寸较小,制作结构简单,带内传输特性好,输入与输出端口的回波损耗均小于–12 dB,带内插入损耗小于3.5 dB。在设计过程中,根据理想传输线模型,利用奇偶模分析方法,推导出设计的目标函数,并利用天牛须算法对其进行优化设计,有效提高了功分器的设计准确性和灵活性。为了验证设计的准确性,采用材料RO4003C作为基板设计超宽带功分器。实验结果表明,采用新型马刺线结构的超宽带功分器结合天牛须算法有效缩短了计算时间,提高了设计精度,可以广泛运用于超宽带功分器设计。; 关键词超宽带功分器马刺线天牛须; Keywords UWB power divider Spur-line Beetle Antenna Search(BAS); 分类号 TN626 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨被引量：2: 4; 作者赵巾翔汪峰于汉超王魁松张胜利梁晓新阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院大学微电子学院中国科学院重大科技任务局中国科学院前沿科学与教育局北京市新一代通信射频芯片技术重点实验室; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期134-149,共16页; 基金国家重点研发计划(E0G928C001)。; 文摘随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件,其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例,低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点,以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型,该文简要分析了3阶交调的理论模型,梳理了提高3阶交截点的方法,归纳研究了近年来相关的研究成果与进展,并展望了未来的发展趋势。; 关键词无线通信射频低噪声放大器高线性 3阶交截点; Keywords Wireless communication Radio Frequency Low Noise Amplifier(RF LNA) High linearity Third order intercept point; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的Ka波段功率放大器设计被引量：2: 5; 作者李海华王魁松赵巾翔梁晓新阎跃鹏; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院大学; 出处《微电子学与计算机》 2021年第1期17-21,共5页; 文摘基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一款Ka波段AB类功率放大器.该功率放大器对匹配网络中的通孔电容设计进行改进.将改进式通孔电容运用于功合器设计中.此项改进使输出级功合器的插入损耗改善了0.8~3dB,提高了功率合成效率.测试结果显示,此功率放大器在33-37GHz工作频率内,实现了31±1dB的小信号增益,饱和输出功率大于31.18dBm,功率附加效率(PAE)大于21.7%.; 关键词功率放大器砷化镓 KA波段匹配网络功率合成器; Keywords power amplifier GaAs Ka band matching newtwork power combiner; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述: 6; 作者何述万董濛周虎梁晓新周智勇阎跃鹏王魁松; 机构中国科学院微电子研究所新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室国家发展和改革委员会创新驱动发展中心(数字经济研究发展中心); 出处《空间电子技术》 2023年第6期64-74,共11页; 文摘新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。; 关键词砷化镓 I-V特性层结构退化失效机理工艺改进; Keywords GaAs I-V characteristics layer structure degradation failure mechanism process improvement; 分类号 V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计] TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于变容管的0.5 GHz～1.2 GHz宽带可调谐功率放大器设计	王魁松丛密芳阎跃鹏梁晓新	《电子器件》 CAS 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	射频微波器件频率可调谐的实现方法	王魁松阎跃鹏万晶梁晓新	《空间电子技术》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种基于天牛须算法的新型超宽带功分器研究	李杰阎跃鹏梁晓新万晶王魁松	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2020	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨	赵巾翔汪峰于汉超王魁松张胜利梁晓新阎跃鹏	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的Ka波段功率放大器设计	李海华王魁松赵巾翔梁晓新阎跃鹏	《微电子学与计算机》	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述	何述万董濛周虎梁晓新周智勇阎跃鹏王魁松	《空间电子技术》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料