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SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟 被引量：6
1
作者 赵发展 郭天雷 +1 位作者 海潮和 彭菲 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期159-162,205,共5页
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的... 随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离,漏极迅速收集电子产生瞬时电流,空穴向体区漂移并在体区堆积,使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流。良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴,抑制体电位的升高,降低漏极收集电流。 展开更多
关键词 单粒子效应 SOI SRAM 加固
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Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究 被引量：2
2
作者 蔡小五 海潮和 +3 位作者 陆江 王立新 刘刚 刘梦新 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期754-756,777,共4页
本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的... 本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。 展开更多
关键词 叠层栅 界面态电荷 氧化物俘获电荷 电容
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一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析 被引量：2
3
作者 赵发展 郭天雷 +5 位作者 蔡小五 刘刚 海潮和 杨善潮 李瑞宾 林东生 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期813-816,共4页
针对中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH设计了两套瞬态实验方法,开发了相配套的软件和硬件,并在西北核技术研究所的强光一号上进行了实验,成功地获得了所需要的数据,该MCU在剂量率为1E11 rad(Si)/s的瞬态辐照环境下工作正... 针对中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH设计了两套瞬态实验方法,开发了相配套的软件和硬件,并在西北核技术研究所的强光一号上进行了实验,成功地获得了所需要的数据,该MCU在剂量率为1E11 rad(Si)/s的瞬态辐照环境下工作正常。同时也证明了两套测试系统的可靠性。 展开更多
关键词 瞬态 SOI MCU 辐照
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传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究 被引量：1
4
作者 曾传滨 李晶 +2 位作者 王显泰 海潮和 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期365-369,共5页
对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究。通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题,通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传输线脉冲发生器电压探测中的振... 对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究。通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题,通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题,提高了测试的准确性,并在国内率先制造出了波形质量达到国际先进水平的传输线脉冲发生器。 展开更多
关键词 静电放电 传输线脉冲发生器 振铃 上冲 电压探测 电压波形
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一种新型的SOI灵敏放大器 被引量：1
5
作者 刘新宇 孙海峰 +2 位作者 海潮和 和致经 吴德馨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期857-859,共3页
本文利用“灵巧的体接触 (Smart Body Contact)”技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器 .采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵敏放大器进行模拟和比较 ,发现新型的交叉耦合灵敏放大器比体硅的交叉耦合灵敏放大器延迟时间缩短 30 % ... 本文利用“灵巧的体接触 (Smart Body Contact)”技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器 .采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵敏放大器进行模拟和比较 ,发现新型的交叉耦合灵敏放大器比体硅的交叉耦合灵敏放大器延迟时间缩短 30 % ,最小电压分辨可达 0 0 5V .最后 ,我们成功地将该电路应用于CMOS/SOI 6 4KbSRAM电路 ,电路存取时间仅 展开更多
关键词 灵敏放大器 体接触技术 绝缘体上硅
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采用容性封装技术提高ESD防护性能研究
6
作者 曾传滨 海潮和 +2 位作者 李晶 李多力 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期876-880,共5页
提出了一种通过在电源线与地线之间加入外部电容以吸收ESD脉冲的新型集成电路ESD保护方法。分析了这种方法在提高产品ESD防护性能方面的可行性,并用TLP设备测量出了一0.1μF电容在吸收4A TLP ESD电流脉冲时电容两端电压随时间的变化曲... 提出了一种通过在电源线与地线之间加入外部电容以吸收ESD脉冲的新型集成电路ESD保护方法。分析了这种方法在提高产品ESD防护性能方面的可行性,并用TLP设备测量出了一0.1μF电容在吸收4A TLP ESD电流脉冲时电容两端电压随时间的变化曲线以及不同电容值电容吸收4A TLP ESD电流脉冲后的电压随电容变化曲线,理论分析及测试结果均表明这种ESD防护方法能在集成电路承受6000V HBM ESD脉冲时将VDD与GND之间的电压降钳位在0.5V以下。通过将此ESD防护方法应用在SOI微处理器产品和SOI静态随机存储器产品上,成功地将这两款产品的ESD防护能力从1000V提高到了3000V以上,验证了这种容性封装技术在ESD防护方面的优良性能。 展开更多
关键词 静电放电 电容 封装 传输线脉冲发生器 钳位电路 集成电路
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栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究
7
作者 曾传滨 海潮和 +1 位作者 李多力 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1135-1139,共5页
测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动... 测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 绝缘体上硅 闩锁 敏感区域 栅极触发 临界下降沿
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130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
8
作者 毕津顺 韩郑生 海潮和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期868-870,共3页
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘... 研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘积却明显增大。Si膜厚度从200 nm减小到80 nm,体延迟增加将近两个数量级。器件宽度增加使得体电阻和体电容都明显增大,DTMOS电路延迟也因此指数递增。推导出了PDSOI DTMOS的延迟模型,为SOI DTMOS器件设计提供了参考。 展开更多
关键词 部分耗尽绝缘体上硅 动态阈值晶体管 体电阻 体电容 延迟
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SOI DTMOS温度特性研究
9
作者 毕津顺 韩郑生 海潮和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期661-663,共3页
对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS（动态阈值MOS）的温度特性。从20-125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压... 对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS（动态阈值MOS）的温度特性。从20-125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压随温度减小占主导,驱动电流随着温度升高而增大。SOI DTMOS优秀的温度特性,使之非常适合于低压、低功耗、高温应用。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 动态阈值晶体管 温度特性
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0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究
10
作者 毕津顺 海潮和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期490-493,共4页
研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺。经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路。其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体... 研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺。经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路。其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体引出SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为158 ps。同时,对PDSOI CMOS器件的特性,如浮体效应、背栅特性、反常亚阈值斜率、击穿特性和输出电导变化等进行了讨论。 展开更多
关键词 部分耗尽绝缘体上硅 CMOS器件 环振电路
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