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负偏压功率对溅射沉积钛、铜薄膜电阻的影响 被引量:4
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作者 付学成 王英 +2 位作者 沈赟靓 李进喜 权雪玲 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期980-984,共5页
为了研究负偏压功率对直流溅射沉积铜、钛两种金属薄膜电阻率的影响,在采用相同的工艺条件溅射沉积两种金属薄膜的同时分别加上0、50、150 W的负偏压功率,发现随着偏压功率由0增加到150 W,制备的钛薄膜厚度下降了25%,电阻率下降到原来的... 为了研究负偏压功率对直流溅射沉积铜、钛两种金属薄膜电阻率的影响,在采用相同的工艺条件溅射沉积两种金属薄膜的同时分别加上0、50、150 W的负偏压功率,发现随着偏压功率由0增加到150 W,制备的钛薄膜厚度下降了25%,电阻率下降到原来的18%,而对于铜薄膜随着偏压功率由0增加150 W,厚度下降了5%,电阻率却增加到原来的4倍。用原子力显微镜和X射线衍射仪器分析了不同负偏压功率下制备的两种金属薄膜的表面粗糙度和两种金属薄膜的结晶情况,并用Fuchs-Sondheimer理论和Mayadas-Shatzkes理论解释偏压功率引起两种金属电阻变化的原因。这为教学实验、真空镀膜工艺和集成电路生产领域沉积不同结构及电阻的金属薄膜提供参考。 展开更多
关键词 负偏压功率 磁控溅射 钛薄膜 铜薄膜 电阻率 F-S&M-S理论
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开放式半导体微纳加工平台的开放管理模式探讨 被引量:3
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作者 王英 程秀兰 +3 位作者 马玲 付学成 瞿敏妮 沈赟靓 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2020年第2期229-232,共4页
大型仪器设备共享是节约社会资源的重要手段。该文以上海交通大学先进电子材料与器件校级平台为基础,从实验室环境、设备工艺、物资需求、研究方向、人员等方面系统分析和总结了开放式半导体微纳加工平台的特点,并对实验平台开放所面临... 大型仪器设备共享是节约社会资源的重要手段。该文以上海交通大学先进电子材料与器件校级平台为基础,从实验室环境、设备工艺、物资需求、研究方向、人员等方面系统分析和总结了开放式半导体微纳加工平台的特点,并对实验平台开放所面临的挑战进行了探讨,为开放式半导体微纳加工平台的建设和管理提供借鉴和参考。 展开更多
关键词 微纳加工平台 开放式平台 管理模式
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开放式半导体微纳加工实验室危化品管理体系的规范化建设 被引量:1
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作者 王英 程秀兰 +4 位作者 吴炜文 付学成 韩永来 沈赟靓 张明军 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2020年第12期292-294,322,共4页
开放式半导体微纳加工实验室具有工艺种类多、工艺复杂、工艺流程长等特点,在工艺过程中所涉及的化学品及特种气体种类多、易燃易爆试剂用量大、危险性高等,因此,对这类实验室的安全管理提出了更高的要求。根据这类实验室的特点,该文针... 开放式半导体微纳加工实验室具有工艺种类多、工艺复杂、工艺流程长等特点,在工艺过程中所涉及的化学品及特种气体种类多、易燃易爆试剂用量大、危险性高等,因此,对这类实验室的安全管理提出了更高的要求。根据这类实验室的特点,该文针对开放式微纳加工实验室的危化品规范化管理进行了探讨,为实验室安全运行打下了很好的基础。 展开更多
关键词 微纳加工实验室 危化品管理 特种气体
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基于FIB辐照加工制备三维结构的动态过程 被引量:2
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作者 沈贇靓 瞿敏妮 +1 位作者 王英 付学成 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2020年第2期44-47,共4页
基于FIB直写及辐照技术加工制备了金膜的三维立体结构,并测量了薄膜结构形变量随辐照时间的变化,分析了其动态变化过程及机理。结果表明,金膜在离子束辐照下,金原子和镓离子相互作用,在金膜内部产生空位及位错,从而引起薄膜应力,经过一... 基于FIB直写及辐照技术加工制备了金膜的三维立体结构,并测量了薄膜结构形变量随辐照时间的变化,分析了其动态变化过程及机理。结果表明,金膜在离子束辐照下,金原子和镓离子相互作用,在金膜内部产生空位及位错,从而引起薄膜应力,经过一定的弛豫时间,应力发生释放,随后三维结构的形变量随着镓离子辐照剂量的增加缓慢变化。 展开更多
关键词 三维微纳结构 聚焦离子束 辐照 动态分析 金膜
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聚焦离子束对铌酸锂表面加工的形貌控制研究 被引量:4
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作者 瞿敏妮 沈贇靓 +3 位作者 乌李瑛 田苗 王英 程秀兰 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期189-195,共7页
聚焦离子束是一种高精度、无掩膜的先进微纳加工手段。本文以铌酸锂晶体为研究对象,利用聚焦离子束/电子束双束系统对铌酸锂表面进行图形刻蚀,研究了离子束重复次数/驻留时间、扫描方式、扫描步长及束流大小等刻蚀参数对图形加工造成的... 聚焦离子束是一种高精度、无掩膜的先进微纳加工手段。本文以铌酸锂晶体为研究对象,利用聚焦离子束/电子束双束系统对铌酸锂表面进行图形刻蚀,研究了离子束重复次数/驻留时间、扫描方式、扫描步长及束流大小等刻蚀参数对图形加工造成的影响。结合利用扫描电子成像和原子力显微镜三维形貌测量,对不同参数下的刻蚀形貌进行观察分析。该研究为实现基于铌酸锂材料的超低损耗光存储、光传导器件提供了重要的工艺参考依据。 展开更多
关键词 聚焦离子束 原子力显微镜 铌酸锂 表面形貌
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等离子体增强原子层沉积制备压电AlN薄膜 被引量:1
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作者 乌李瑛 瞿敏妮 +4 位作者 沈赟靓 田苗 马玲 王英 程秀兰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期725-732,共8页
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在单晶硅衬底上成功制备了具有(002)晶面择优取向的氮化铝(AlN)晶态薄膜,为设计新型压电功能器件提供了思路。利用椭圆偏振光谱仪(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(... 采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在单晶硅衬底上成功制备了具有(002)晶面择优取向的氮化铝(AlN)晶态薄膜,为设计新型压电功能器件提供了思路。利用椭圆偏振光谱仪(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析。结果表明,在250℃沉积温度下,以N_(2)、H_(2)和Ar的混合气体的等离子体作为共反应物,在相同工艺条件下仅增加前驱体三甲基铝(TMA)脉冲注入之后的氮气吹扫时间(t_(p1)),制备的AlN薄膜的(002)晶面择优取向趋于显著,说明t_(p1)的增加可以促进Al和N原子的有序排列,并促进(002)晶面择优取向形成。实验中,t_(p1)为30 s且循环次数为1 150时,PEALD制备的AlN薄膜表面平整光滑,均方根表面粗糙度为0.885 nm,(002)晶面衍射峰最明显,薄膜中氧原子数分数为11.04%,氧原子在AlN薄膜中形成氧缺陷并形成一种稳定的基于八面体配位铝的新型氧缺陷相,XPS结果证明了N—O—Al键的形成。 展开更多
关键词 等离子增强原子层沉积(PEALD) ALN 晶态薄膜 结合能 氧缺陷
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热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较(英文) 被引量:2
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作者 乌李瑛 柏荣旭 +4 位作者 瞿敏妮 田苗 沈赟靓 王英 程秀兰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第10期795-802,共8页
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEA... 以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。 展开更多
关键词 二氧化铪(HfO2) 原子层沉积(ALD) 热原子层沉积(TALD) 等离子增强原子层沉积(PEALD) 介电常数
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低金含量镀液的无氰金电镀研究 被引量:1
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作者 田苗 瞿敏妮 +3 位作者 沈贇靓 张笛 乌李瑛 孔路瑶 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2020年第6期52-55,共4页
研究了通常较难施镀、含金量低的电镀液中电镀条件对镀层质量的影响。发现较高的电压会增加沉积速率,但同时会增加粗糙度,并削弱镀层对基底的结合力。为了弥补这些缺点,温度应当同时升高,以通过增加晶核数量来提高结合力。电镀液的pH值... 研究了通常较难施镀、含金量低的电镀液中电镀条件对镀层质量的影响。发现较高的电压会增加沉积速率,但同时会增加粗糙度,并削弱镀层对基底的结合力。为了弥补这些缺点,温度应当同时升高,以通过增加晶核数量来提高结合力。电镀液的pH值增高有利于获得光滑、紧凑的金膜,因为晶核数量相应增加而粒径减小。通过调整不同的电镀条件,成功地得到光滑细致的金镀层。这一结果对于在工业应用中高效使用电镀液和降低成本具有非常重要的意义和参考价值。 展开更多
关键词 金电镀 无氰电镀 含金量 晶核 结合力
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聚焦离子束沉积铂纳米导线的电学失效机理
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作者 瞿敏妮 乌李瑛 +4 位作者 黄胜利 凌天宇 沈贇靓 权雪玲 王英 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期382-387,共6页
研究了聚焦离子束(FIB)沉积Pt纳米导线的电学失效行为及其机理。FIB沉积Pt纳米导线在集成电路修复和微型电极制备等领域有重要应用,其电学特性及失效行为研究对器件结构设计及性能测试具有重要意义。直流电学测试中电压接近9 V时,电流... 研究了聚焦离子束(FIB)沉积Pt纳米导线的电学失效行为及其机理。FIB沉积Pt纳米导线在集成电路修复和微型电极制备等领域有重要应用,其电学特性及失效行为研究对器件结构设计及性能测试具有重要意义。直流电学测试中电压接近9 V时,电流快速上升并发生断路。经扫描电子显微镜(SEM)和原位X射线能谱(EDS)分析发现,断路后Pt纳米导线中有球状结构析出,球状结构中Pt与C的原子数分数之比是原始薄膜中的4倍,周围物质变得疏松甚至发生局部断裂,且Pt的原子数分数降低,从而形成不导电结构。进一步对样品进行升温电学测试,结果表明,在120℃以上Pt纳米导线在内部电流与外部加热共同作用下发生Pt晶粒生长及团聚,使Pt空缺的间隙变大,从而造成Pt纳米导线的电学失效。 展开更多
关键词 聚焦离子束(FIB) 铂纳米导线 电学失效 铂晶粒团聚 升温电学测试
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