基于十字形金属亚波长孔阵列的电调谐太赫兹调制器设计

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作者 梁晓新 阎跃鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第4期5-9,共5页

研究了一种硅基十字型金属亚波长孔阵列在太赫兹波段的传输性质和电调谐性质.十字形半波长金属孔阵列加工在n型掺杂硅上形成肖特基结,其耗尽区的电导率可通过调整外加反向偏压实时控制,从而实现对增强谐振的太赫兹波传输的控制.由此提... 研究了一种硅基十字型金属亚波长孔阵列在太赫兹波段的传输性质和电调谐性质.十字形半波长金属孔阵列加工在n型掺杂硅上形成肖特基结,其耗尽区的电导率可通过调整外加反向偏压实时控制,从而实现对增强谐振的太赫兹波传输的控制.由此提出了一种半导体材料电学特性与太赫兹器件电磁场特性结合的联合仿真方法:首先基于漂移扩散方程模拟半导体材料在不同偏置电压下载流子的稳态分布并计算出其对应的材料电导率,进而利用时域有限差分法仿真器件在太赫兹波段的传输性质.设计的原理型调制器在外加偏压分别为在0V和16V时在4.87THz谐振频率处实现了76%的调制深度.并且硅介质材料和相对简单的器件结构使器件实现成本和难度大大降低.这种设计方法和器件结构也可被应用于其他太赫兹或光学频段,尤其在光学频段将具有更好的性能. 展开更多

关键词 太赫兹 调制器 联合仿真

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基于GaAs HBT功率放大器效率提升技术 被引量：4

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作者 杨敏 万晶 +3 位作者 李跃华 贲志红 梁晓新 阎跃鹏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S2期222-224,共3页

针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置... 针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置状态,输出端馈电通路可同时将二次谐波短接到地,有效地提升该器件的功率附加效率。测试结果表明在不影响输出功率的前提下,效率可提升12.7%左右,而且电路形式简单,操作方便,能够广泛地应用到不同频段要求和不同输出功率的GaAs HBT功率放大器测试过程中。 展开更多

关键词 GA As HBT 效率提升 自适应偏置 馈电方式

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一种DC-6GHz的GaAs PHEMT宽带低插入损耗单刀双掷开关 被引量：3

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作者 刘宇辙 梁晓新 +1 位作者 万晶 阎跃鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第3期1-5,10,共6页

利用稳懋0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷(SPDT)开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏... 利用稳懋0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷(SPDT)开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入的键合线电感效应,并利用键合线电感,优化了开关的射频性能.同时分析了串并联结构开关的功率容量与偏置点的关系,把开关偏置在最佳偏置点,能显著提升功率容量.所设计的开关,在DC-6GHz范围内,插入损耗小于0.55dB,隔离度大于24dB.在(-7.5V/7.5V)控制电压下,输入1dB压缩点大于34dBm,可用于6GHz频率范围内的各种应用.提出的利用键合线提升开关射频性能的思想,可用于指导开关及其封装的设计. 展开更多

关键词 射频开关 单刀双掷(SPDT) PHEMT 低插入损耗

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一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法 被引量：2

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作者 朱旻 梁晓新 +3 位作者 陈立强 郝明丽 张海英 刘训春 《电子器件》 CAS 2007年第4期1219-1222,共4页

通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工... 通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工作起到了一定指导作用. 展开更多

关键词 功放 HBT MMIC

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硅基微加工工艺滤波器的研究进展 被引量：2

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作者 万晶 汪峰 +4 位作者 李琛 王霄 王嘉毅 阎跃鹏 梁晓新 《空间电子技术》 2019年第5期7-14,共8页

硅基滤波器在毫米波频段具有高Q值、低损耗、小体积、低成本的明显优势,并且易于与集成电路集成,是解决毫米波滤波器芯片化的绝佳手段。文章首先给出了硅基微加工工艺滤波器的设计方法分类,然后着重介绍近年来国内外硅基微加工工艺滤波... 硅基滤波器在毫米波频段具有高Q值、低损耗、小体积、低成本的明显优势,并且易于与集成电路集成,是解决毫米波滤波器芯片化的绝佳手段。文章首先给出了硅基微加工工艺滤波器的设计方法分类,然后着重介绍近年来国内外硅基微加工工艺滤波器的五种不同设计方法:集总式、薄膜腔体型、带线型、自屏蔽型以及基片集成波导型。通过介绍各方法的工作原理,重点分析了各方法的研究现状及优缺点,并进行了综合对比分析,从加工工艺难度和性能上来看,自屏蔽型以及基片集成波导型硅基微加工工艺滤波器具有更大的发展空间和应用前景。 展开更多

关键词 硅基片 微加工工艺 滤波器 毫米波

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一种新型圆极化接收有源集成天线的设计 被引量：5

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作者 康成斌 杜占坤 +1 位作者 阎跃鹏 梁晓新 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期947-952,共6页

提出了一种新型圆极化接收有源集成天线的设计方法,采用有源放大与无源辐射部分一体化设计理念,通过合理改变天线的输出阻抗,直接与低噪声放大器晶体管输入端进行匹配,省去了传统设计中的复杂匹配网络,降低了天线前端的匹配损耗,改善了... 提出了一种新型圆极化接收有源集成天线的设计方法,采用有源放大与无源辐射部分一体化设计理念,通过合理改变天线的输出阻抗,直接与低噪声放大器晶体管输入端进行匹配,省去了传统设计中的复杂匹配网络,降低了天线前端的匹配损耗,改善了天线接收系统的噪声和增益。利用此方法设计了一款C波段圆极化接收有源集成天线。测试结果表明:相对于传统设计方法,该方法在方向图和轴比性能基本相同的情况下,阻抗带宽改善了3%,输入端匹配损耗减小了0.3 dB,同时简化了电路结构。证明了该方法的有效性。 展开更多

关键词 有源集成 圆极化 CMOS低噪声放大器 一体化设计 阻抗匹配

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一种基于天牛须算法的新型超宽带功分器研究 被引量：3

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作者 李杰 阎跃鹏 +2 位作者 梁晓新 万晶 王魁松 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第2期418-424,共7页

根据对马刺线的原理分析,该文提出一种新型马刺线结构,并在此基础上设计出一种新颖的超宽带功分器(频率范围为2.5~13.2 GHz)。该超宽带功分器尺寸较小,制作结构简单,带内传输特性好,输入与输出端口的回波损耗均小于–12 dB,带内插入损... 根据对马刺线的原理分析,该文提出一种新型马刺线结构,并在此基础上设计出一种新颖的超宽带功分器(频率范围为2.5~13.2 GHz)。该超宽带功分器尺寸较小,制作结构简单,带内传输特性好,输入与输出端口的回波损耗均小于–12 dB,带内插入损耗小于3.5 dB。在设计过程中,根据理想传输线模型,利用奇偶模分析方法,推导出设计的目标函数,并利用天牛须算法对其进行优化设计,有效提高了功分器的设计准确性和灵活性。为了验证设计的准确性,采用材料RO4003C作为基板设计超宽带功分器。实验结果表明,采用新型马刺线结构的超宽带功分器结合天牛须算法有效缩短了计算时间,提高了设计精度,可以广泛运用于超宽带功分器设计。 展开更多

关键词 超宽带功分器 马刺线 天牛须

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射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨 被引量：2

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作者 赵巾翔 汪峰 +4 位作者 于汉超 王魁松 张胜利 梁晓新 阎跃鹏 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期134-149,共16页

随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器... 随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件,其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例,低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点,以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型,该文简要分析了3阶交调的理论模型,梳理了提高3阶交截点的方法,归纳研究了近年来相关的研究成果与进展,并展望了未来的发展趋势。 展开更多

关键词 无线通信 射频低噪声放大器 高线性 3阶交截点

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基于变容管的0.5 GHz～1.2 GHz宽带可调谐功率放大器设计 被引量：1

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作者 王魁松 丛密芳 +1 位作者 阎跃鹏 梁晓新 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第1期41-44,共4页

针对无线通信系统向多频、微型等方向发展的需求,基于负载牵引系统测试出的功率器件最大输出时的源阻抗和负载阻抗,采用基于变容管的频率调谐技术,输入输出匹配均采用可调谐匹配网络的形式,设计了一款在0.5 GHz^1.2 GHz内可宽带调谐的... 针对无线通信系统向多频、微型等方向发展的需求,基于负载牵引系统测试出的功率器件最大输出时的源阻抗和负载阻抗,采用基于变容管的频率调谐技术,输入输出匹配均采用可调谐匹配网络的形式,设计了一款在0.5 GHz^1.2 GHz内可宽带调谐的功率放大器。测试结果表明,该功率放大器频率调谐比达82.3%,且在调谐频率范围内1 dB压缩时的输出功率均大于32.1 dBm,增益大于10.1 dB,漏极效率大于38.4%。 展开更多

关键词 功率放大器 宽带可调谐 频率调谐技术 变容管 可调谐匹配网络

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一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的Ka波段功率放大器设计 被引量：2

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作者 李海华 王魁松 +2 位作者 赵巾翔 梁晓新 阎跃鹏 《微电子学与计算机》 2021年第1期17-21,共5页

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一款Ka波段AB类功率放大器.该功率放大器对匹配网络中的通孔电容设计进行改进.将改进式通孔电容运用于功合器设计中.此项改进使输出级功合器的插入损耗改善了0.8~3dB,提高了功率合成效率.测试结果显示... 基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一款Ka波段AB类功率放大器.该功率放大器对匹配网络中的通孔电容设计进行改进.将改进式通孔电容运用于功合器设计中.此项改进使输出级功合器的插入损耗改善了0.8~3dB,提高了功率合成效率.测试结果显示,此功率放大器在33-37GHz工作频率内,实现了31±1dB的小信号增益,饱和输出功率大于31.18dBm,功率附加效率(PAE)大于21.7%. 展开更多

关键词 功率放大器 砷化镓 KA波段 匹配网络 功率合成器

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L波段高功率高效率功率放大器芯片设计 被引量：1

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作者 李海华 薛焱文 +1 位作者 万晶 梁晓新 《无线电通信技术》 2020年第6期722-726,共5页

基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计实现了一款L波段高功率高效率功率放大器芯片。该功率放大器利用预匹配电容与基极稳流电阻对功率放大器的基本功率单元进行设计,并对晶体管功率合成器电路进行了改进。仿真结果表明,在工作频段1650 MHz处,... 基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计实现了一款L波段高功率高效率功率放大器芯片。该功率放大器利用预匹配电容与基极稳流电阻对功率放大器的基本功率单元进行设计,并对晶体管功率合成器电路进行了改进。仿真结果表明,在工作频段1650 MHz处,小信号增益达到43.5 dB,输入输出回波小于-13 dB,饱和输出功率大于36 dBm,饱和功率附加效率大于53.8%,芯片面积仅为0.9 mm×0.7 mm。采用此改进设计后,该款芯片在较小面积内实现了较高的功率放大器效率指标。 展开更多

关键词 功率放大器 高功率 高效率 InGaP/GaAs HBT

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一种基于MEMS的小型化双通带宽带滤波器芯片

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作者 濮泽宇 万晶 +2 位作者 王霄 李跃华 梁晓新 《电子技术应用》 2021年第7期48-51,56,共5页

基于Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)工艺,采用双层谐振腔滤波结构,分析并设计了一种基于MEMS的硅基Substrate Integrated Waveguide(SIW)双通带宽带带通滤波器芯片。设计的滤波器芯片在21.25~29 GHz以及43~47.5 GHz双通带频带... 基于Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)工艺,采用双层谐振腔滤波结构,分析并设计了一种基于MEMS的硅基Substrate Integrated Waveguide(SIW)双通带宽带带通滤波器芯片。设计的滤波器芯片在21.25~29 GHz以及43~47.5 GHz双通带频带内插入损耗小于3 dB,相对带宽分别为30%以及10%,带外抑制度大于20 dB,并且在双通带间产生了零点,尺寸仅为4.2 mm×1.1 mm×0.8 mm。该滤波器是平面堆叠结构,具有体积小、频带宽、易集成等优点,有较好的应用价值。 展开更多

关键词 双通带 宽带 带通滤波器 SIW MEMS

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射频微波器件频率可调谐的实现方法

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作者 王魁松 阎跃鹏 +1 位作者 万晶 梁晓新 《空间电子技术》 2017年第1期79-84,共6页

主要介绍了射频微波器件频率可调谐的实现方法,即开关选频、变容器件调频和磁场调谐的方法。介绍了各方法的工作原理,重点分析了其研究现状及优缺点,并进行了综合对比,指出射频微波器件频率可调谐方法的发展方向。

关键词 可调射频微波器件 开关 变容器件 磁场调谐

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GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述

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作者 何述万 董濛 +4 位作者 周虎 梁晓新 周智勇 阎跃鹏 王魁松 《空间电子技术》 2023年第6期64-74,共11页

新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物... 新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。 展开更多

关键词 砷化镓 I-V特性 层结构 退化失效机理 工艺改进

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连铸DW-6/10煤气加压机故障频繁的症结分析及解决方案

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作者 梁晓新 蔡明 《黑龙江科技信息》 2010年第28期12-12,共1页

针对连铸DW-6/10煤气加压机故障频繁的症结分析及解决方案进行了论述。

关键词 煤气加压机 故障 原因 解决方案

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被玩坏了的“艺术”

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作者 梁晓新 《中国艺术》 2018年第9期4-4,共1页

近日，一张四川安岳县峰门寺宋代石刻造像披红挂绿的彩妆照引起网友的广泛关注。在一片痛心疾首的吐槽声中．安岳县文物局证实了这其实是20世纪90年代当地人民群众自发募资装修的结果。

关键词 “艺术” 20世纪90年代 石刻造像 人民群众 安岳县 文物局

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宽角扫描相控阵天线空间极化特性研究

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作者 胡华强 戴幻尧 +1 位作者 周智勇 梁晓新 《舰船电子对抗》 2020年第6期96-100,共5页

天线的极化状态总是随着扫描方向的变化而变化,提出了天线空间极化特性的概念,利用波导缝隙相控阵研究宽角度扫描在空间的极化特性。理论分析和仿真结果表明,在方位角和俯仰角较小的情况下,波瓣特性和极化变化不大。但扫描是宽扫描角时... 天线的极化状态总是随着扫描方向的变化而变化,提出了天线空间极化特性的概念,利用波导缝隙相控阵研究宽角度扫描在空间的极化特性。理论分析和仿真结果表明,在方位角和俯仰角较小的情况下,波瓣特性和极化变化不大。但扫描是宽扫描角时,主瓣的交叉极化分量急剧增加。该特性可用于在相控阵雷达在搜索中测量目标极化散射特性。在单极化雷达天线的基础上,充分利用天线固有的极化特性,提出了一种新的极化散射矩阵测量方法。该方法不需要两个正交极化天线,只要利用天线极化特性的先验知识,改进接收雷达信号后的信号处理方式,就可以得到目标的极化散射矩阵。 展开更多

关键词 相控阵列天线 波束扫描 交叉极化

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