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S波段脉冲大功率SiC MESFET 被引量:6
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作者 杨霏 潘宏菽 +3 位作者 霍玉柱 商庆杰 默江辉 闫锐 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期12-14,20,共4页
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功... 采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET) S波段 脉冲 大功率
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SiC肖特基势垒二极管的反向特性 被引量:2
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作者 杨霏 闫锐 +8 位作者 陈昊 张有润 彭明明 商庆杰 李亚丽 张雄文 潘宏菽 杨克武 蔡树军 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期6-9,共4页
在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板... 在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 反向阻断电压 反向泄漏电流 场限环 场板 离子注入
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量子系统的纠缠探测与纠缠测量 被引量:8
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作者 杨霏 丛爽 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期391-401,共11页
在回顾量子系统中有关纠缠探测的各种方法和纠缠度不同定义的基础上,总结了探测两体或多体纠缠的几种分离判据;分析了它们与正映射之间及其相互之间的关系;重点分析了纠缠目击者这种特殊的分离判据,包括它的定义以及构造方法,并且从实... 在回顾量子系统中有关纠缠探测的各种方法和纠缠度不同定义的基础上,总结了探测两体或多体纠缠的几种分离判据;分析了它们与正映射之间及其相互之间的关系;重点分析了纠缠目击者这种特殊的分离判据,包括它的定义以及构造方法,并且从实验观点分析了它的应用。在已提出的公理化假设的纠缠测量思想基础上,讨论了理论上各种两体纠缠度和多体纠缠度的定义以及各种纠缠度在实验中的估计问题。最后对各种非线性分离判据进行了分析。 展开更多
关键词 量子信息 纠缠探测 纠缠度 纠缠目击者 分离判据 LEGENDRE变换
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高性能SiC整流二极管研究 被引量:2
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作者 杨霏 商庆杰 +10 位作者 李亚丽 闫锐 默江辉 潘宏菽 李佳 刘波 冯志红 付兴昌 何庆国 蔡树军 杨克武 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第7期394-396,408,共4页
在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au... 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。 展开更多
关键词 碳化硅 击穿电压 合并p-i-n肖特基 肖特基接触 欧姆接触 场板
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等平面化SiC MESFET的研制 被引量:2
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作者 杨霏 陈昊 +8 位作者 潘宏菽 默江辉 商庆杰 李亮 闫锐 冯震 杨克武 蔡树军 姚素英 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期440-443,483,共5页
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功... 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。 展开更多
关键词 碳化硅(SIC) 金属消特基势垒场效应晶体管 高增益 功率附加效率 大功率 等平面化 侧壁钝化
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基于零中频结构的数字电视调制系统研究 被引量:3
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作者 杨霏 杨刚 《电视技术》 北大核心 2011年第12期25-27,共3页
介绍了基于零中频结构的数字电视调制系统的特点、特性、硬件设计和调试方法。重点分析并仿真了零中频结构中,相位误差和幅度不平衡对射频镜像抑制和调制误差的影响,并给出了如何设计和校正零中频结构数字电视调制系统。
关键词 零中频 调制误差率 镜像抑制 本振泄漏
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“延时自动同步”音频传输系统在中波同步广播中的应用 被引量:4
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作者 杨霏 杨刚 +1 位作者 刘晋 万欣 《广播与电视技术》 2011年第3期122-124,共3页
本文介绍了基于数字单频网技术的"延时自动同步"音频传输系统的在中波同步广播中的应用。阐述了构建中波同步广播系统的技术要求和实现方法。重点介绍了"延时自动同步"音频传输系统的功能、工作原理以及特点。
关键词 延时自动同步 中波同步广播 音频延时 射频延时
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地面数字电视单频网适配器的设计与实现 被引量:1
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作者 杨霏 程磊 《电视技术》 北大核心 2010年第9期44-46,共3页
详细地介绍了一款符合国家标准的单频网适配器的硬件和软件设计方案,并重点详述了适配器核心FPGA的软件设计结构及其实现方法。测试结果证明本设计符合国标要求。
关键词 单频网 适配器 秒帧初始化包 节目时钟参考
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正入射反射式太赫兹光谱测量的不确定度分析(英文)
9
作者 杨霏 刘丽萍 +4 位作者 宋茂江 韩锋 沈力 胡鹏飞 张放 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期10-14,19,共6页
太赫兹时域光谱技术能够快速、宽频带测量物质在太赫兹频段的光学或介电常数,是物质识别的重要技术.光学常数的测量准确度完全受到复杂的测量过程和数据处理所影响.针对正入射反射式THz光谱测量,分析了在测量材料介电特性过程中的误差来... 太赫兹时域光谱技术能够快速、宽频带测量物质在太赫兹频段的光学或介电常数,是物质识别的重要技术.光学常数的测量准确度完全受到复杂的测量过程和数据处理所影响.针对正入射反射式THz光谱测量,分析了在测量材料介电特性过程中的误差来源,它们包括太赫兹幅值误差、位置误差以及样品倾斜误差.建立了单独表征每个误差来源对于光学常数影响的不确定度分量的公式.利用MATLAB仿真了每个误差来源对于光学参数不确定度的影响. 展开更多
关键词 太赫兹 时域光谱 正反射 测量不确定度 光学常数
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不同壳色菲律宾蛤仔免疫机能的比较研究 被引量:19
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作者 丁鉴锋 杨霏 +3 位作者 闫喜武 杨凤 赵立强 张国范 《大连海洋大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期411-416,共6页
研究了不同壳色菲律宾蛤仔Ruditapes philippinarum的免疫能力,对野生斑马蛤(Zb)、珍珠白(Pw)、两道红(Tr)、两道白(Tw)、奶牛蛤(Co)5个不同壳色群体的相关免疫指标进行比较。结果表明:不同壳色蛤仔免疫指标表现出较大差异,其中Zb和Pw... 研究了不同壳色菲律宾蛤仔Ruditapes philippinarum的免疫能力,对野生斑马蛤(Zb)、珍珠白(Pw)、两道红(Tr)、两道白(Tw)、奶牛蛤(Co)5个不同壳色群体的相关免疫指标进行比较。结果表明:不同壳色蛤仔免疫指标表现出较大差异,其中Zb和Pw群体的细胞吞噬能力显著高于Co群体(P<0.05);Tr和Tw群体的溶菌酶(LYZ)活性显著高于其他3个群体(P<0.05);Co群体的酚氧化酶(PO)活性显著高于Tr群体(P<0.05);Pw群体的超氧化物歧化酶(SOD)活性显著高于Tr和Co群体(P<0.05),Zb群体的SOD活性也显著高于Tr群体(P<0.05);各壳色蛤仔的血细胞总数和亮氨酸氨基肽酶(LAP)活性差异均不显著(P>0.05)。 展开更多
关键词 菲律宾蛤仔 壳色群体 细胞免疫 体液免疫
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三峡库区2010年度土地利用现状分析 被引量:19
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作者 王福海 周启刚 +2 位作者 杨霏 杨鹏五 王尧 《水土保持研究》 CSCD 北大核心 2013年第5期221-225,231,共6页
土地是一种稀缺的自然资源,一个区域各部门的生产建设都要落实到土地上,对区域土地利用现状进行全面的研究和分析,能揭示人类利用土地的广度、深度和合理程度,有助于全面分析土地利用变化的内在机理,反映生产规模、水平和特点,为土地利... 土地是一种稀缺的自然资源,一个区域各部门的生产建设都要落实到土地上,对区域土地利用现状进行全面的研究和分析,能揭示人类利用土地的广度、深度和合理程度,有助于全面分析土地利用变化的内在机理,反映生产规模、水平和特点,为土地利用结构的优化调整提供依据。基于RS与GIS技术,利用三峡库区2010年TM影像数据,获得三库区土地利用现状数据,并采用计量地理学和景观生态学的方法对三峡库区土地利用现状进行分析。结果表明:由于自然条件和社会经济条件的不同,三峡库区各区县在土地类型多样化、组合类型形式和区位指数各有差异。从库区土地利用多样化指数来看,兴山县用地类型最单一,主要以林地为主;从土地利用程度来看,渝中区土地利用程度最高;从土地利用综合指数来看,长寿区土地利用综合指数最低。文章旨在为制定保护三峡库区生态环境的相关政策提供参考和依据。 展开更多
关键词 土地利用 RS GIS 计量地理 三峡库区
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S波段10W SiC MESFET的研制 被引量:11
12
作者 潘宏菽 李亮 +5 位作者 陈昊 齐国虎 霍玉柱 杨霏 冯震 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期940-943,共4页
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加... 采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz。对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果。 展开更多
关键词 碳化硅 微波 功率器件 金属-半导体场效应晶体管
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SiC MESFET工艺技术研究与器件研制 被引量:9
13
作者 商庆杰 潘宏菽 +4 位作者 陈昊 霍玉柱 杨霏 默江辉 冯震 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期549-552,共4页
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚... 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 牺牲氧化 干法刻蚀 等平面工艺
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基于PSR模型的三峡库区重庆段土地利用生态风险评价 被引量:13
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作者 周启刚 张晓媛 +2 位作者 杨霏 郑莉 曹倩倩 《水土保持研究》 CSCD 北大核心 2013年第5期187-192,共6页
土地利用变化对生态环境有着重要的影响,不合理的土地利用方式会对生态环境带来风险。采用三峡库区重庆段2010年TM遥感数据、社会经济数据以及环境监测数据,采用PSR模型构建评价指标体系,利用主成分分析法建立评价模型,对三峡库区土地... 土地利用变化对生态环境有着重要的影响,不合理的土地利用方式会对生态环境带来风险。采用三峡库区重庆段2010年TM遥感数据、社会经济数据以及环境监测数据,采用PSR模型构建评价指标体系,利用主成分分析法建立评价模型,对三峡库区土地利用生态风险进行评价。结果表明:三峡库区重庆段土地利用生态风险以中度风险和较低风险为主,生态风险由东北到西南逐渐减轻。区域土地利用生态环境稳定性存在明显的差异,不合理的土地利用对重庆主城九区及长寿的生态环境影响力有限;而对三峡库区腹心地带的生态环境影响较大,较低的土地利用风险压力将导致区域生态风险状态与响应值偏高。因此三峡库区腹心地带应重点予以关注,强化土地利用过程中的生态环境建设,加强环境治理与生态环境监测。研究结果可为三峡库区土地合理利用与生态保护提供参考。 展开更多
关键词 土地利用 生态风险评价 PSR模型 三峡库区
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4H-SiC SBD和JBS退火研究 被引量:3
15
作者 闫锐 杨霏 +2 位作者 陈昊 彭明明 潘宏菽 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期433-436,共4页
在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻... 在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。 展开更多
关键词 4H-SIC肖特基势垒二极管 4H-SiC结势垒肖特基 退火 正向特性 反向特性
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提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法 被引量:2
16
作者 霍玉柱 商庆杰 +1 位作者 杨霏 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期221-224,共4页
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效... SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性。 展开更多
关键词 金属-半导体场效应晶体管 栅金属:平坦性 隔离台阶 电迁徙 离子注入隔离
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基于改进LU分解的CMMB标准中LDPC编码器设计 被引量:3
17
作者 张鹏 杨刚 +1 位作者 杨霏 刘昌银 《电视技术》 北大核心 2010年第4期33-35,共3页
根据CMMB标准中LDPC码校验矩阵的固有特点,设计了一种基于改进LU分解的高性能编码器,并在Altera公司的EP3C120FPGA上实现了该方案。该编码方案充分合理地利用了校验矩阵的循环特性,节约了大量存储器资源。实验结果表明,该编码器具有存... 根据CMMB标准中LDPC码校验矩阵的固有特点,设计了一种基于改进LU分解的高性能编码器,并在Altera公司的EP3C120FPGA上实现了该方案。该编码方案充分合理地利用了校验矩阵的循环特性,节约了大量存储器资源。实验结果表明,该编码器具有存储器消耗少、成本低等优点。 展开更多
关键词 LU分解 LDPC码 编码器 CMMB
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基于“知识-能力-素质”的土地资源管理本科培养模式研究 被引量:3
18
作者 周启刚 张晓媛 +3 位作者 陈倩 陈丹 王福海 杨霏 《安徽农业科学》 CAS 2013年第3期1311-1313,共3页
以土地资源管理本科专业培养模式为研究对象,系统探讨"知识-能力-素质"阶梯型培养模式内涵,构建了适用于土地资源管理本科专业的培养模式结构,并对该培养模式的实施效果进行了评价,且提出该模式实施过程中应注意的问题。研究... 以土地资源管理本科专业培养模式为研究对象,系统探讨"知识-能力-素质"阶梯型培养模式内涵,构建了适用于土地资源管理本科专业的培养模式结构,并对该培养模式的实施效果进行了评价,且提出该模式实施过程中应注意的问题。研究结果可为相关专业培养模式更新提供一定的参考。 展开更多
关键词 土地资源管理 知识-能力-素质 阶梯型培养模式
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SiC MESFET工艺在片检测技术 被引量:1
19
作者 商庆杰 潘宏菽 +3 位作者 陈昊 李亮 杨霏 霍玉柱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1095-1099,共5页
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测... 介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测表面均匀性以及扫描电镜观察形貌以及组分分析。干法刻蚀的监测主要通过台阶仪结合椭偏仪实现,即保证了干法刻蚀按预想的深度刻蚀也验证了材料结构的参数。通过TLM图形测试的比接触电阻值可以确保良好的欧姆接触,减小器件的串联电阻,提高器件的电流处理能力,为实现高功率输出奠定基础。通过台阶仪测量和显微镜观察实现的等平面工艺大大提高了器件的性能,微波功率提高30%左右,增益提高1.5 dB以上,功率附加效率提高接近10%。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 检测 干法刻蚀 比接触电阻率
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S波段连续波SiC功率MESFET 被引量:1
20
作者 陈昊 潘宏菽 +4 位作者 杨霏 霍玉柱 商庆杰 齐国虎 刘志平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第3期155-158,共4页
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。与以往的... 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。与以往的硅微波功率器件相比,在同样的频率和输出功率下,SiC微波功率器件的体积不到Si器件的1/7,重量不到Si器件的20%,其功率增益较Si器件提高了3dB以上,器件效率也得到了相应的提高。同时由于SiC微波功率器件的输入、输出阻抗要明显高于Si微波功率器件,在一定程度上可以简化或不用内匹配网络来得到比较高的微波功率增益,这就为器件的小体积、低重量奠定了基础,也为器件的大功率输出创造了条件。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 连续波 内匹配 微波
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