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玻封合金表面结构表征
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作者 曹立礼 朱永法 +2 位作者 马莒生 齐云馨 王利杰 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期4-6,共3页
运用扫描俄歇探针、X射线光电子谱等表面分析技术对47Ni6Cr玻封合金表面,特别是对其表面氧化膜结构进行了系统的分析,观测到合金基片在加工过程中所形成的表面缺陷是生成“白粒”、形成“黄粉”的基础;有关元素金属氧化物在... 运用扫描俄歇探针、X射线光电子谱等表面分析技术对47Ni6Cr玻封合金表面,特别是对其表面氧化膜结构进行了系统的分析,观测到合金基片在加工过程中所形成的表面缺陷是生成“白粒”、形成“黄粉”的基础;有关元素金属氧化物在膜层中的适当的结构比例是保证玻封质量的关键。 展开更多
关键词 氧化膜 表面分析 玻封工艺 合金
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TiCl_4溶胶凝胶法制备TiO_2纳米粉体 被引量:27
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作者 朱永法 张利 +2 位作者 高翀 姚文清 曹立礼 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第9期784-788,共5页
利用TiCl4的乙醇溶液作为前驱体 ,运用溶胶凝胶法制备了TiO2 纳米粉体 .研究结果表明 ,在TiCl4与乙醇混合成溶液的过程中 ,TiCl4即与乙醇及乙醇中的微量水发生醇解和部分水解脱氯反应形成钛酸酯 .在随后的成胶化过程中 ,则主要是钛酸酯... 利用TiCl4的乙醇溶液作为前驱体 ,运用溶胶凝胶法制备了TiO2 纳米粉体 .研究结果表明 ,在TiCl4与乙醇混合成溶液的过程中 ,TiCl4即与乙醇及乙醇中的微量水发生醇解和部分水解脱氯反应形成钛酸酯 .在随后的成胶化过程中 ,则主要是钛酸酯吸收气氛中的水气 ,脱去乙醇基形成Ti-OH键并发生缩脱水聚合形成无机聚合物溶胶 .增加成胶化时间 ,可以促进乙醇基的脱去和无机聚合物的形成 ,促进锐钛矿TiO2 展开更多
关键词 溶胶凝胶 二氧化钛 纳米粉体 四氯化钛
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金刚石颗粒表面Cr金属化及薄膜间界面扩散反应的研究 被引量:12
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作者 朱永法 王莉 +1 位作者 姚文清 曹立礼 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期1269-1272,共4页
运用直流磁控溅射法可在金刚石颗粒表面沉积 1 50 nm的金属 Cr层 .在超高真空条件下 ,经 3 0 0—60 0℃的热退火处理 ,可促进 Cr膜与金刚石基底间的界面扩散和反应 .利用俄歇电子能谱研究了 Cr/金刚石颗粒界面的结合状态 ,发现 Cr与金... 运用直流磁控溅射法可在金刚石颗粒表面沉积 1 50 nm的金属 Cr层 .在超高真空条件下 ,经 3 0 0—60 0℃的热退火处理 ,可促进 Cr膜与金刚石基底间的界面扩散和反应 .利用俄歇电子能谱研究了 Cr/金刚石颗粒界面的结合状态 ,发现 Cr与金刚石薄膜发生了强烈的界面扩散 ,Cr元素渗入金刚石层达 90 nm,并在界面上发生化学反应形成 Cr的碳化物层 .对界面扩散反应动力学的研究表明 ,Cr/金刚石界面扩散反应的表观活化能为 3 8.4 k J/ mol,界面扩散反应主要由碳的扩散过程控制 .热处理温度越高 ,界面扩散及反应越显著 ,但不利于碳化物层生成的氧化反应速度也会有所增加 ,界面反应产物从 Cr2 C3转变为 Cr2 C物种 .延长热处理时间有利于金属碳化物的生成 ,同样导致界面反应产物从 Cr2 C3转变为 Cr2 展开更多
关键词 金刚石 界面作用 表面金属化 直流磁控溅射
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金刚石薄膜的表面金属化及与Ti薄膜的界面扩散反应的AES研究 被引量:7
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作者 郑斌 朱永法 +3 位作者 姚文清 王鹤泉 曹立礼 胡为民 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期16-19,共4页
利用磁控溅射的方法在金刚石薄膜表面沉积了250nm厚的金属Ti层,通过300~600℃的真空热处理,促进了Ti与金刚石之间的界面扩散反应。利用俄歇电子能谱研究了Ti/金刚石薄膜界面的结合状态,发现在界面上形成了Ti的... 利用磁控溅射的方法在金刚石薄膜表面沉积了250nm厚的金属Ti层,通过300~600℃的真空热处理,促进了Ti与金刚石之间的界面扩散反应。利用俄歇电子能谱研究了Ti/金刚石薄膜界面的结合状态,发现在界面上形成了Ti的碳化物。并发现Ti与金刚石薄膜发生了大幅度的界面扩散反应,Ti元素渗入金刚石层达600nm,促进了Ti与金刚石之间形成良好的化学结合,为获得高性能的金刚石切削工具提供了可能。界面扩散反应动力学的研究表明Ti/金刚石界面扩散反应的表观活化能为12.3kJ/mol。过高的热处理温度(高于600℃)会导致金属Ti层严重的氧化,不利于界面扩散反应的进行。热处理时间的增加有利于TiC的生成。 展开更多
关键词 金刚石 界面扩散反应 AES 薄膜 金属化
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聚四氟乙烯薄膜等离子体表面改性的研究 被引量:12
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作者 姚文清 朱永法 +1 位作者 曹立礼 张昕辉 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期26-28,32,共4页
利用等离子体表面处理和化学接枝的方法对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜表面进行了化学改性。利用XPS研究了改性后的PTFE薄膜的表面结构和价键状态,并通过接触角的测定研究了表面改性对薄膜亲水性的影响。研究结果发现PTFE薄... 利用等离子体表面处理和化学接枝的方法对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜表面进行了化学改性。利用XPS研究了改性后的PTFE薄膜的表面结构和价键状态,并通过接触角的测定研究了表面改性对薄膜亲水性的影响。研究结果发现PTFE薄膜经等离子体处理后,薄膜表面的C-F键发生了断裂,形成了C-C键、C-H键及C-O键;等离子体处理后的薄膜再经丙烯酸化学处理,强亲水性的丙烯酸基被接枝到PTFE表面。 展开更多
关键词 PTFE XPS 表面改性 等离子体改性 薄膜
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LaCoO_3模型催化剂SO_2中毒机理的研究 被引量:7
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作者 朱永法 谭瑞琴 +2 位作者 冯杰 嵇世山 曹立礼 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1733-1737,共5页
运用 AES,XPS,XRD和 TEM等手段研究了 La Co O3模型催化剂 SO2 中毒过程表面化学状态、晶相结构及表面形貌的变化状况 ,初步推断了 La Co O3钙钛矿型复合金属氧化物催化剂的 SO2 中毒机理 .在 SO2强化中毒过程中 ,SO2 与催化剂的活性组... 运用 AES,XPS,XRD和 TEM等手段研究了 La Co O3模型催化剂 SO2 中毒过程表面化学状态、晶相结构及表面形貌的变化状况 ,初步推断了 La Co O3钙钛矿型复合金属氧化物催化剂的 SO2 中毒机理 .在 SO2强化中毒过程中 ,SO2 与催化剂的活性组分 La Co O3反应生成硫酸镧和氧化亚钴 ,而在催化剂膜层内部则生成硫酸镧、亚硫酸镧及氧化亚钴 . SO2 对活性组分层的侵入及硫与 La Co O3活性组分的反应破坏了催化剂的钙钛矿结构 ,使得催化剂彻底中毒 .当中毒温度较低及中毒时间较短时 ,硫在膜层中呈峰形分布 ,其浓度随中毒温度及时间的增加而增加 .随中毒温度的升高及中毒时间的增长 ,由于亚硫酸盐的分解作用 ,S在活性层中的浓度反而降低 ,中毒深度则继续增加 . 展开更多
关键词 LACOO3 SO2 中毒机理 汽车尾气净化催化剂
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新型摩擦表面再生剂的摩擦学性能研究 被引量:6
7
作者 尚顺事 顾家琳 +3 位作者 蒋东雷 孔宪清 曹立礼 康飞宇 《石油机械》 北大核心 2005年第1期5-7,1,共3页
利用自制的摩擦实验台研究了以天然矿物为主的摩圣摩擦表面再生剂在轴瓦材料上的摩擦学性能;用光学显微镜、扫描电子显微镜和能量散射谱仪(EDS)对摩擦表面进行了分析。摩擦磨损实验表明,润滑油中加入摩圣后,摩圣粒子增加了润滑油膜的强... 利用自制的摩擦实验台研究了以天然矿物为主的摩圣摩擦表面再生剂在轴瓦材料上的摩擦学性能;用光学显微镜、扫描电子显微镜和能量散射谱仪(EDS)对摩擦表面进行了分析。摩擦磨损实验表明,润滑油中加入摩圣后,摩圣粒子增加了润滑油膜的强度和承载能力,可以减小摩擦系数50%以上,提高抗磨性能8倍以上,具有优良的摩擦学性能。同时,微观分析表明,微小的摩圣矿物粒子大量嵌入摩擦表面,可对摩擦表面起到强化和修复的作用。 展开更多
关键词 摩擦表面再生剂 摩擦学性能 润滑油膜 抗磨性能 光学显微镜 摩擦磨损 摩擦系数 轴瓦材料 承载能力 强度
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镍-磷非晶镀层的表面研究 被引量:4
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作者 叶小燕 曹立礼 +1 位作者 朱永法 沈光球 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1994年第11期4-8,共5页
应用XRD、AES和XPS研究了晶态和非晶态Ni-P镀层的表面结构和体相结构。结果表明:Ni-P非晶态镀层的形成与电镀工艺条件有关,碱式碳酸镍的使用对非晶态的形成和镀层耐蚀性的提高起着重要作用。样品表面的磷以两种化学... 应用XRD、AES和XPS研究了晶态和非晶态Ni-P镀层的表面结构和体相结构。结果表明:Ni-P非晶态镀层的形成与电镀工艺条件有关,碱式碳酸镍的使用对非晶态的形成和镀层耐蚀性的提高起着重要作用。样品表面的磷以两种化学态存在,分别为Ni-P合金的磷和磷酸根的磷。为了形成非晶态镀层,Mi/P原子比应控制在3.36以上。此外,Ni-P非晶态合金镀层的腐蚀实验还表明:非晶态合金镀层的耐蚀性能要比晶态镀层高得多。 展开更多
关键词 电镀 非晶态合金 电子能谱仪 耐蚀性 镍磷合金
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BBDMS-PPV/ITO界面结构ADXPS研究 被引量:3
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作者 宋伟杰 朱永法 +3 位作者 曹立礼 李展平 王道元 黄维 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期836-838,共3页
We analyzed the structure of buried interface of BBDMS PPV/ITO system using a high resolution ADXPS technique. A transitional layer structure, whose chemical composition, state and valence band changed gradually from ... We analyzed the structure of buried interface of BBDMS PPV/ITO system using a high resolution ADXPS technique. A transitional layer structure, whose chemical composition, state and valence band changed gradually from BBDMS PPV surface of film to substrate ITO, was observed. It was found that O 2- ion from ITO diffused into polymer film, interacted with back bone carbon and formed the carbonyl bonding which could possibly constructed the channel of the carrier on the heterointerface. Indium of ITO also diffused into BBDMS PPV layer and In(OH) 3 was formed during diffusion. The diffusion and reaction between PPV/ITO interface may affect the performance of PLED significantly. 展开更多
关键词 PPV/ITO界面 界面结构 界面分析 ADXPS 聚合物电致发光器件 ITO膜 阳极 BBDMS-PPV
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Ar离子束作用下C_(60)薄膜的结构稳定性研究 被引量:2
10
作者 朱永法 叶小燕 +2 位作者 姚文清 陈德朴 曹立礼 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1995年第8期699-703,共5页
利用XPS和AES研究了在Ar离子束作用下C60薄膜的分子结构的稳定性.研究发现C60分子与Ar离子束作用后,C1s结合能从284.7eV逐步下降到284.4eV,CKLL俄歇动能从270.0eV增加到271.3eV.并且C60薄膜在与氩离子束作用后,其C60分子结构... 利用XPS和AES研究了在Ar离子束作用下C60薄膜的分子结构的稳定性.研究发现C60分子与Ar离子束作用后,C1s结合能从284.7eV逐步下降到284.4eV,CKLL俄歇动能从270.0eV增加到271.3eV.并且C60薄膜在与氩离子束作用后,其C60分子结构特征的C1s携上峰及价带峰均消失.表明Ar离子束可以促使C60分子的C=C双键断裂,离域π键消失,C60分子分解为单质碳.C=C双键断裂过程与离子束的能量和辐照时间有一定的函数关系. 展开更多
关键词 薄膜 表面分析 离子束 碳60 稳定性
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金刚石表面Cr金属化的界面扩散反应研究 被引量:2
11
作者 朱永法 王莉 +1 位作者 姚文清 曹立礼 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期24-26,37,共4页
利用直流磁控溅射法在金刚石颗粒表面沉积了厚度为150nm的金属Cr薄膜。SEM研究表明在金刚石表面形成的Cr膜基本均匀,但有小的金属聚集体存在。俄歇深度剖析研究发现,在镀膜过程中Cr膜和金刚石基底间发生了显著的界面扩散作用。相应的俄... 利用直流磁控溅射法在金刚石颗粒表面沉积了厚度为150nm的金属Cr薄膜。SEM研究表明在金刚石表面形成的Cr膜基本均匀,但有小的金属聚集体存在。俄歇深度剖析研究发现,在镀膜过程中Cr膜和金刚石基底间发生了显著的界面扩散作用。相应的俄歇线形分析表明,沉积过程中在界面上发生化学反应形成了部分Cr2C3物种。溅射沉积功率对金刚石颗粒与金属Cr膜的界面扩散反应有较大的影响。提高溅射功率可大大促进Cr元素的扩散,但对于C元素的扩散作用则影响较小。界面扩散反应的本质是荷能Cr原子与金刚石基底的碰撞注入作用。 展开更多
关键词 磁控溅射 金刚石 CR 单面扩散反应 表面金属化
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InP(110)解理面的能带弯曲 被引量:2
12
作者 邓宗武 郭伟民 +1 位作者 刘焕明 曹立礼 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第4期303-307,共5页
用XPS测得了真空解理后InP样品(110)表面能带弯曲的动态过程,并对引起InP表面能带弯曲的可能原因进行了讨论.排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛像产生的缺陷可... 用XPS测得了真空解理后InP样品(110)表面能带弯曲的动态过程,并对引起InP表面能带弯曲的可能原因进行了讨论.排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛像产生的缺陷可能是导致能带弯曲的原因. 展开更多
关键词 INP 能带弯曲 磷化铟 半导体 解理面
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复合金属氧化物SrCoO_(3-δ)氧非化学计量研究 被引量:2
13
作者 嵇世山 李增喜 +2 位作者 谭瑞琴 陈志华 曹立礼 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第7期624-628,共5页
通过NH4NO3共熔法合成了SrCoO3-δ,利用XRD和差热分析对其进行了结构表征,采用精密气体测量方法研究了SrCoO3-δ在温度672-918K区间,氧气分压0.7-59.3kPa区间内氧的非化学计量及其与外界氧分压、温度的定量关系,在提出氧缺陷形... 通过NH4NO3共熔法合成了SrCoO3-δ,利用XRD和差热分析对其进行了结构表征,采用精密气体测量方法研究了SrCoO3-δ在温度672-918K区间,氧气分压0.7-59.3kPa区间内氧的非化学计量及其与外界氧分压、温度的定量关系,在提出氧缺陷形成模型的基础之上,首次给出了描写SrCoO3-δ-O2体系相平衡的数学公式.并以SrFeO3-δ为例评价了该缺陷模型的普适性.测定了SrCoO3-δ-O2体系溶氧过程的焓变和熵变分别为(75.3±1.2)kJ·mol-1,(96.7±1. 展开更多
关键词 锶钴复合氧化物 非化学计量 氧缺陷模型 焓变 熵变
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2-(N,N-二辛基胺甲基)硫代苯并噻唑添加剂磨损特性的研究 被引量:3
14
作者 万勇 曹立礼 +1 位作者 沈光球 薛群基 《石油学报(石油加工)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期41-45,共5页
合成了一种润滑油抗磨、极压添加剂2-(N,N-二辛基胺甲基)硫代苯并噻唑,并利用四球试验机考察其抗磨特性。结果表明,该添加剂具有良好的润滑特性和较高的承载能力,同时具有较好的抗腐蚀性和较高的热稳定性,是一种具有良好应... 合成了一种润滑油抗磨、极压添加剂2-(N,N-二辛基胺甲基)硫代苯并噻唑,并利用四球试验机考察其抗磨特性。结果表明,该添加剂具有良好的润滑特性和较高的承载能力,同时具有较好的抗腐蚀性和较高的热稳定性,是一种具有良好应用前景的润滑油多功能添加剂。 展开更多
关键词 抗磨添加剂 硫代苯并噻唑 润滑油
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Ti/ZrN_2/Al薄膜界面扩散反应的研究 被引量:1
15
作者 朱永法 殷木省 +3 位作者 王莉 姚文清 嵇世山 曹立礼 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期36-39,共4页
利用直流磁控反应溅射法在 Al基底上制备了 Zr N2 及 Ti多层薄膜。利用扫描俄歇微探针的深度剖析和线形分析技术研究了真空热处理对 Ti/ Zr N2 / Al样品膜层之间的界面化学状态和相互作用的影响。研究结果表明 ,真空热处理使 Ti/ Zr N2 ... 利用直流磁控反应溅射法在 Al基底上制备了 Zr N2 及 Ti多层薄膜。利用扫描俄歇微探针的深度剖析和线形分析技术研究了真空热处理对 Ti/ Zr N2 / Al样品膜层之间的界面化学状态和相互作用的影响。研究结果表明 ,真空热处理使 Ti/ Zr N2 / Al薄膜界面上发生了明显的界面扩散和化学反应 ,生成了 Ti Nx 物种 。 展开更多
关键词 界面扩散 铝基底 俄歇电子能谱 线形分析 氮化锆薄膜 钛镀层 磁控溅射
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La-Ce-Cu系列催化剂SO_2中毒机理研究 被引量:1
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作者 嵇世山 翁端 +2 位作者 谭瑞琴 张志强 曹立礼 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第6期527-533,共7页
采用NH_4NO_3共熔法合成La-Ce-Cu系列样品,并通过XRD分析了样品的相组成。XRF证明了系列样品组成均为氧缺陷型化合物.用TEM研究了样品的表面结构,发现随着SO_2中毒的加深,Cu向表面偏析与S结合生成新的化合物,导致了原晶体结构的... 采用NH_4NO_3共熔法合成La-Ce-Cu系列样品,并通过XRD分析了样品的相组成。XRF证明了系列样品组成均为氧缺陷型化合物.用TEM研究了样品的表面结构,发现随着SO_2中毒的加深,Cu向表面偏析与S结合生成新的化合物,导致了原晶体结构的变形,同时证明纯CeO_2不发生S中毒.XPS研究表明:样品La_(.029)Ce_(0.57)Cu_(0.14)O_x中毒后Cu从La_2CuO_4中分解出来并与S结合生成CuSO_4;相应的CeO_2参与了中毒反应,生成Ce_2O_3。 展开更多
关键词 La-Ce-Cu 催化剂 中毒 二氧化硫中毒
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GaAs(110)解理面的能带弯曲 被引量:1
17
作者 邓宗武 郭伟民 +1 位作者 刘焕明 曹立礼 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第6期528-532,共5页
在真空中解理后,用XPS测得了GaAs样品(110)断面能带弯曲的动态过程.两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0.3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1.3eV,它们的禁带宽度理论值为1... 在真空中解理后,用XPS测得了GaAs样品(110)断面能带弯曲的动态过程.两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0.3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1.3eV,它们的禁带宽度理论值为1.42eV,这说明结果是合理的.根据实验结果,对引起GaAs表面能带弯曲的可能原因进行了分析讨论.排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因,认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛豫过程中产生的缺陷可能是导致能带弯曲的主要原因. 展开更多
关键词 砷化镓半导体 能带弯曲 动态过程 解理面 XPS
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材料表面和界面化学状态的俄歇化学效应研究 被引量:1
18
作者 朱永法 曹立礼 姚文清 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期17-20,共4页
本文运用俄歇化学效应研究了三种纳米薄膜材料的表面,膜层及界面元素的化学状态。研究结果表明用作可燃气体传感器的氧化锡气敏薄膜在离子注Sb层中以SbSno_x物种存在,在无Sb层中则以Snox(x<1)形式存在。高能离子... 本文运用俄歇化学效应研究了三种纳米薄膜材料的表面,膜层及界面元素的化学状态。研究结果表明用作可燃气体传感器的氧化锡气敏薄膜在离子注Sb层中以SbSno_x物种存在,在无Sb层中则以Snox(x<1)形式存在。高能离子注入的金属Sb也以SbSnOx物种存在。具有太阳能选择性吸收功能的氮化铝薄膜则以AlN_xO_y物相存在。而APCVD法制备的氮化硅薄膜热氧化不稳定的本质则是由于成膜过程中在膜层中包埋了活性较强的自由硅,该自由Si容易和热处理气氛中的残余氧反应,从而促进了Si_3N_4簿膜层的氧化。 展开更多
关键词 纳米薄膜材料 俄歇电子能谱 化学效应 表面 界面
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Gd_2CuO_4薄膜与Si,SiO_2/Si基底界面相互作用研究
19
作者 张英侠 朱永法 +1 位作者 姚文清 曹立礼 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1703-1706,共4页
采用 XRD和俄歇电子能谱 ( AES)等技术研究了钙钛矿型 Gd2 Cu O4薄膜与基底 Si和 Si O2 /Si的界面相互作用 ,发现衬底对 Gd2 Cu O4薄膜的晶化特性有很大影响 .以单晶 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4薄膜经 60 0℃热处理 1 h即可形成钙钛矿型晶... 采用 XRD和俄歇电子能谱 ( AES)等技术研究了钙钛矿型 Gd2 Cu O4薄膜与基底 Si和 Si O2 /Si的界面相互作用 ,发现衬底对 Gd2 Cu O4薄膜的晶化特性有很大影响 .以单晶 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4薄膜经 60 0℃热处理 1 h即可形成钙钛矿型晶体结构 ,而以 Si O2 /Si为基底时 ,经 70 0℃热处理 1 h才能形成较完善的钙钛矿型晶体结构 .Gd2 Cu O4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大 ,热处理时间对晶粒度则影响较小 .AES深度剖析表明 ,形成的薄膜组成均匀 ,在界面上有一定程度的扩散 .以 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4与基底Si相互扩散 ,以 Si O2 /Si为基底时则主要是薄膜中 Gd,Cu向 Si O2 层中的扩散 .AES线性分析表明 ,在薄膜与基底的界面上 ,各元素的俄歇电子动能发生位移 。 展开更多
关键词 Gd2CuO4薄膜 晶化 界面扩散 AES 界面相互作用 铜酸钆 旋转镀膜技术 二氧化硅/硅基底
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