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氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究
被引量：
4
1
作者
胡明
秦岳
+2 位作者
赵博硕
强晓永
周立伟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期167-171,189,共6页
针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO_2气体灵敏度较低、选择性不强的问题,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO_3纳米线,制备出WO_3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器。对WO_...
针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO_2气体灵敏度较低、选择性不强的问题,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO_3纳米线,制备出WO_3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器。对WO_3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析,测试了传感器室温下对NO_2的气敏特性。结果表明,制备WO_3纳米线的最佳热处理条件是700℃,此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升WO_3纳米线的生长密度。所制备的传感器对NO_2气体表现出反型气敏响应,特别是溅射1 min金属钨的样品显示出优异的NO_2室温探测能力与选择性,对4×10^(-6) NO_2的气敏灵敏度是单纯多孔硅样品的5.8倍。
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关键词
气体传感器
复合结构
多孔硅
氧化钨
二氧化氮
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职称材料
题名
氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究
被引量：
4
1
作者
胡明
秦岳
赵博硕
强晓永
周立伟
机构
天津大学微电子学院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期167-171,189,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61271070)
文摘
针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO_2气体灵敏度较低、选择性不强的问题,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO_3纳米线,制备出WO_3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器。对WO_3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析,测试了传感器室温下对NO_2的气敏特性。结果表明,制备WO_3纳米线的最佳热处理条件是700℃,此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升WO_3纳米线的生长密度。所制备的传感器对NO_2气体表现出反型气敏响应,特别是溅射1 min金属钨的样品显示出优异的NO_2室温探测能力与选择性,对4×10^(-6) NO_2的气敏灵敏度是单纯多孔硅样品的5.8倍。
关键词
气体传感器
复合结构
多孔硅
氧化钨
二氧化氮
Keywords
gas sensor
composite structure
porous silicon
tungsten oxide
nitrogen dioxide
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究
胡明
秦岳
赵博硕
强晓永
周立伟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019
4
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