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题名硅各向异性腐蚀对偏压依赖和重掺杂停蚀机理的新模型
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作者
林海安
张家慰
陈健
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机构
东南大学
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1992年第2期167-173,共7页
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文摘
系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解释了实验得到的蚀速-偏压关系.考虑到非平衡载流子复合后,得到与实验吻合的蚀速比-载流子浓度公式.
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关键词
各向异性
腐蚀
偏压
重掺杂
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Keywords
anisotropio silicon etching, liquid-semiconduotor contact, reaction implanbation, interface state filling.
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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题名新型SOG压阻式力敏传感器的研制
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作者
林海安
张家慰
陈健
黄明程
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机构
东南大学电子工程系
中国无锡华晶集团公司
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1993年第1期7-10,共4页
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文摘
本文介绍一种以玻璃作绝缘介质膜的SOG压力传感器,探讨了实现SOG材料良好键合的关键工艺,研究了以腐蚀自致停技术为核心的减薄成膜方法.结果表明,SOG传感器在高温、大压力方面颇具潜力.
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关键词
压力传感器
键合工艺
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Keywords
pressure sensor bonding etching self-stop thinning
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名热氮化SiO_2膜的抗辐射特性
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作者
商陆民
张家慰
简耀光
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机构
南京工学院
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第4期367-370,共4页
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文摘
离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找抗辐射的栅介质是令人感兴趣的课题.近来,Ito等人提出,将SiO_2膜在无水氨气中加热处理一定时间,能直接转变为氮氧化硅,称为热氨化二氧化硅.它与热生长的SiO_2膜相比,具有较高的击穿电场强度和介电常数,较好的抗氧化能力和抗沾污性能.但是,对热氮化SiO_2膜的抗辐射特性的研究报道不多.仅Naiman等人作了一些研究.在他们的实验中,把10nm厚的热氮化SiO_2膜与50nm厚的SiO_2膜作了比较,这不能说明前者的抗辐射特性比后者的好.
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关键词
二氧化硅膜
热氮化
集成电路
MOS
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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