摘要
离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找抗辐射的栅介质是令人感兴趣的课题.近来,Ito等人提出,将SiO_2膜在无水氨气中加热处理一定时间,能直接转变为氮氧化硅,称为热氨化二氧化硅.它与热生长的SiO_2膜相比,具有较高的击穿电场强度和介电常数,较好的抗氧化能力和抗沾污性能.但是,对热氮化SiO_2膜的抗辐射特性的研究报道不多.仅Naiman等人作了一些研究.在他们的实验中,把10nm厚的热氮化SiO_2膜与50nm厚的SiO_2膜作了比较,这不能说明前者的抗辐射特性比后者的好.
The effects of 60Co gamma radiation on Al-Nitrided SiO2-Si system and the electron beam (5 kev) on the Si LW Auger spectra of nitrided SiO2 films have been observed. The results show that the fixed charge density and the surface state density for the nitrided film appear to be less sensitive to gamma radiation than those for the SiO2 film and the electron beam effect is almost neligible, because of Si-N bonds in the nitrided film.
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第4期367-370,共4页
Journal of Applied Sciences
