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钕掺杂BSPT基高温压电陶瓷的性能研究
1
作者
涂浩
官尚义
+2 位作者
史伟
陈强
邢洁
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期81-87,共7页
采用传统固相反应法制备了Nd掺杂的BiScO_(3)-PbTiO_(3)(BSPT)高温压电陶瓷。在确定BSPT准同型相界的基础上,系统研究了Nd掺杂对其结构和性能的影响。结果表明,通过Nd掺杂可调控BSPT陶瓷相结构和畴结构,进而有效提高其压电性能和温度稳...
采用传统固相反应法制备了Nd掺杂的BiScO_(3)-PbTiO_(3)(BSPT)高温压电陶瓷。在确定BSPT准同型相界的基础上,系统研究了Nd掺杂对其结构和性能的影响。结果表明,通过Nd掺杂可调控BSPT陶瓷相结构和畴结构,进而有效提高其压电性能和温度稳定性。当BS掺杂含量(摩尔分数)为37%,Nd掺杂浓度(摩尔分数)为3.0%时,陶瓷具有最佳的压电性能,其压电常数d_(33)为620 pC/N,居里温度约为405℃,且具有良好的温度稳定性。
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关键词
高温压电陶瓷
BiScO_(3)-PbTiO_(3)
MPB
温度稳定性
畴结构
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职称材料
Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究
2
作者
徐鸿飞
史伟
+2 位作者
官尚义
吴禹桐
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第2期184-190,共7页
采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果...
采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100_(x)陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d 33逐渐增大,当x>0.04(x为摩尔分数)时,d 33趋于降低。x=0.04时,具有最优的综合电学性能,d 33约为15.9 pC/N,600℃下直流电阻率ρ约为5.9×10^(5)Ω·cm,介电损耗tanδ(1 MHz)约为7%,T_(C)约为887℃。
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关键词
压电陶瓷
铋层状铁电体
高居里温度
Na_(0.5)Bi_(2.5)Ta_(2)O_(9)
CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
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职称材料
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基压电陶瓷改性研究
3
作者
王啸宇
黄晨婷
+2 位作者
官尚义
史伟
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021年第6期775-780,共6页
该文采用传统固态反应法制备了Ca_(1-x)(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))_(x)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,在选定浓度范围内,(Li_(...
该文采用传统固态反应法制备了Ca_(1-x)(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))_(x)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,在选定浓度范围内,(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子改善了CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基陶瓷的压电活性与高温下的直流电阻等特性。当x=0.08时,陶瓷具有最佳综合性能,即压电常数d_(33)=10.3 pC/N,居里温度T_(C)=928℃,直流电阻率ρ=1.12×10^(6)Ω·cm(650℃),介电损耗tanδ=0.026(1 MHz,650℃)。
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关键词
压电陶瓷
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)(CBT)
电阻率
铋层状铁电体
高居里温度
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职称材料
题名
钕掺杂BSPT基高温压电陶瓷的性能研究
1
作者
涂浩
官尚义
史伟
陈强
邢洁
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期81-87,共7页
基金
国家自然科学基金重点项目(51932010)
企业横向项目(22H1415)。
文摘
采用传统固相反应法制备了Nd掺杂的BiScO_(3)-PbTiO_(3)(BSPT)高温压电陶瓷。在确定BSPT准同型相界的基础上,系统研究了Nd掺杂对其结构和性能的影响。结果表明,通过Nd掺杂可调控BSPT陶瓷相结构和畴结构,进而有效提高其压电性能和温度稳定性。当BS掺杂含量(摩尔分数)为37%,Nd掺杂浓度(摩尔分数)为3.0%时,陶瓷具有最佳的压电性能,其压电常数d_(33)为620 pC/N,居里温度约为405℃,且具有良好的温度稳定性。
关键词
高温压电陶瓷
BiScO_(3)-PbTiO_(3)
MPB
温度稳定性
畴结构
Keywords
high temperature piezoelectric ceramics
BiScO_(3)-PbTiO_(3)
morphotropic phase boundary
temperature stability
domain structure
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究
2
作者
徐鸿飞
史伟
官尚义
吴禹桐
陈强
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第2期184-190,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51932010)。
文摘
采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100_(x)陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d 33逐渐增大,当x>0.04(x为摩尔分数)时,d 33趋于降低。x=0.04时,具有最优的综合电学性能,d 33约为15.9 pC/N,600℃下直流电阻率ρ约为5.9×10^(5)Ω·cm,介电损耗tanδ(1 MHz)约为7%,T_(C)约为887℃。
关键词
压电陶瓷
铋层状铁电体
高居里温度
Na_(0.5)Bi_(2.5)Ta_(2)O_(9)
CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
Keywords
piezoelectric ceramics
bismuth layer-structured ferroelectrics
high Curie temperature
Na_(0.5)Bi_(2.5)-Ta_(2)O_(9)
CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基压电陶瓷改性研究
3
作者
王啸宇
黄晨婷
官尚义
史伟
陈强
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021年第6期775-780,共6页
基金
广东省重点领域研发计划基金资助项目(2020B0109380001)
四川省科技计划基金资助项目(2020YJ0317)。
文摘
该文采用传统固态反应法制备了Ca_(1-x)(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))_(x)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,在选定浓度范围内,(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子改善了CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基陶瓷的压电活性与高温下的直流电阻等特性。当x=0.08时,陶瓷具有最佳综合性能,即压电常数d_(33)=10.3 pC/N,居里温度T_(C)=928℃,直流电阻率ρ=1.12×10^(6)Ω·cm(650℃),介电损耗tanδ=0.026(1 MHz,650℃)。
关键词
压电陶瓷
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)(CBT)
电阻率
铋层状铁电体
高居里温度
Keywords
piezoelectric ceramic
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)(CBT)
electrical resistivity
bismuth layered ferroelectric
high Curie temperature
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钕掺杂BSPT基高温压电陶瓷的性能研究
涂浩
官尚义
史伟
陈强
邢洁
《压电与声光》
北大核心
2025
0
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职称材料
2
Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究
徐鸿飞
史伟
官尚义
吴禹桐
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
3
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基压电陶瓷改性研究
王啸宇
黄晨婷
官尚义
史伟
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021
0
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职称材料
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