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B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究: 1; 作者刘伊犁罗晏 +1 位作者李国辉姬成周《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期472-477,共6页; B^+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B... 展开更多; 关键词离子注入砷化镓硼离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响: 2; 作者李国辉韩德俊 +5 位作者陈如意罗晏刘伊犁姬成周朱红清王策寰《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期478-482,共5页; 研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n... 展开更多; 关键词砷化镓离子注入硅离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOSi_2生长动力学研究: 3; 作者刘伊犁姬成周林文廉《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第4期46-51,共6页; 用超高真空电子束蒸发法,在单晶Si(100)衬底上淀积厚度为1000A的单层Mo膜,并在不破坏真空条件下,继续蒸镀120Aα-Si层。将样品在1.3×10^(-4)～2.6×10_(-4)Pa真空条件下退火,烧结硅化物。观察到硅化物的形成温度为500℃。通过5... 展开更多; 关键词界面反应生长动力学激活能; 在线阅读下载PDF 职称材料

杂质氧在离子束混合形成MoSi_2中的行为被引量：1: 4; 作者姬成周黄致新刘伊犁《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第A04期39-44,共6页; Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe^+离子轰击诱生的MoSi_2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(<5×10^(-7)A/cm^2)Xe^+离子轰击引起的Mo/Si混合区,随轰击剂量增大而增大,但不生成钼硅化物相;衬底适当加温(&g... 展开更多; 关键词离子束混合再分布硅化物生成; 在线阅读下载PDF 职称材料

快中子辐照抗菌素产生菌诱变育种的研究: 5; 作者张荫芬蓝李桥 +1 位作者张孝吉刘伊犁《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1983年第1期49-54,共6页; 快中子辐照在抗菌素产生菌育种上的应用,早已引起人们的重视.1945年,Myers 和Hanson 曾用42英寸迥旋加速器产生的快中子处理青霉素产生菌.1962年,Alikanian 用10—40千拉德剂量的快中子处理红霉素产生菌(Actinomyces erythreus)。; 关键词产生菌中子辐照诱变育种吸水链霉菌注量诱变剂拉德中子源次级电离形态变异; 在线阅读下载PDF 职称材料

砷离子束感生铂硅化物的形成: 6; 作者刘伊犁王忠烈丁维清《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1985年第4期40-44,共5页; 本文研究了砷离子感生硅化铂的形成与生长动力学.用150keV的砷离子束轰击在P型、(111)单晶硅上淀积一层铂的薄膜的样品.在铂膜与单晶硅界面附近观察到铂与硅两类原子的混合层.用RBS方法研究混合层的厚度与砷离子的剂量和能量,以及与轰... 展开更多; 关键词混合层硅化物生长动力学淀积离子束混合样品温度溅射法衍射线背散射分析离子轰击; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究: 1; 作者刘伊犁罗晏李国辉姬成周; 机构北京师范大学低能核物理研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期472-477,共6页; 基金国家自然科学基金中国科学院半导体研究所材料开放实验室资助项目; 文摘 B^+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。; 关键词离子注入砷化镓硼离子; Keywords B^+ implantation n(Si)-GaAs layer B_(Ga) V_(As) complex donoracceptor compensation photoluminescence; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响: 2; 作者李国辉韩德俊陈如意罗晏刘伊犁姬成周朱红清王策寰; 机构北京师范大学低能核物理研究所中国科学院半导体研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期478-482,共5页; 基金国家自然科学基金; 文摘研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。; 关键词砷化镓离子注入硅离子; Keywords Si^+ implantation SI-GaAs BF^+ effect; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOSi_2生长动力学研究: 3; 作者刘伊犁姬成周林文廉; 机构北京师范大学低能核物理研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第4期46-51,共6页; 基金国家自然科学基金; 文摘用超高真空电子束蒸发法,在单晶Si(100)衬底上淀积厚度为1000A的单层Mo膜,并在不破坏真空条件下,继续蒸镀120Aα-Si层。将样品在1.3×10^(-4)～2.6×10_(-4)Pa真空条件下退火,烧结硅化物。观察到硅化物的形成温度为500℃。通过500,525,550℃等温退火,得到MoSi_2生长厚度与退火时间的平方根成正比的结论。说明MoSi_2生长过程受主扩散元Si通过MoSi_2生长层的扩散限制,生长动力学服从抛物线规律。从而得到表观激活能E_a=1.92eV。; 关键词界面反应生长动力学激活能; Keywords interfacil reaction, growth kinetic, activation energy; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名杂质氧在离子束混合形成MoSi_2中的行为被引量：1: 4; 作者姬成周黄致新刘伊犁; 机构北京师范大学低能核物理研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第A04期39-44,共6页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China.; 文摘 Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe^+离子轰击诱生的MoSi_2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(<5×10^(-7)A/cm^2)Xe^+离子轰击引起的Mo/Si混合区,随轰击剂量增大而增大,但不生成钼硅化物相;衬底适当加温(>300℃)条件下,Xe^+离子轰击诱生的MoSi_2为六角结构.后退火温度大于850℃时,六角结构的MoSi_2转变为四角结构.选择适当的轰击剂量和衬底温度,利用离子束混合技术可以生长出不含氧杂质的均匀的Mosi_2层.; 关键词离子束混合再分布硅化物生成; Keywords ion beam mixing redistribution silicidation.; 分类号 N55，G658.3 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快中子辐照抗菌素产生菌诱变育种的研究: 5; 作者张荫芬蓝李桥张孝吉刘伊犁; 机构北京师范大学低能核物理研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1983年第1期49-54,共6页; 文摘快中子辐照在抗菌素产生菌育种上的应用,早已引起人们的重视.1945年,Myers 和Hanson 曾用42英寸迥旋加速器产生的快中子处理青霉素产生菌.1962年,Alikanian 用10—40千拉德剂量的快中子处理红霉素产生菌(Actinomyces erythreus)。; 关键词产生菌中子辐照诱变育种吸水链霉菌注量诱变剂拉德中子源次级电离形态变异; 分类号 R97 [医药卫生—药品]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名砷离子束感生铂硅化物的形成: 6; 作者刘伊犁王忠烈丁维清; 机构低能核物理研究所分析测试中心; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1985年第4期40-44,共5页; 文摘本文研究了砷离子感生硅化铂的形成与生长动力学.用150keV的砷离子束轰击在P型、(111)单晶硅上淀积一层铂的薄膜的样品.在铂膜与单晶硅界面附近观察到铂与硅两类原子的混合层.用RBS方法研究混合层的厚度与砷离子的剂量和能量,以及与轰击时样品温度的依赖关系.用X射线衍射测量确认混合层的物相.实验结果说明,样品中存在的杂质如氧及氩将会影响硅化铂的形成与生长.; 关键词混合层硅化物生长动力学淀积离子束混合样品温度溅射法衍射线背散射分析离子轰击; 分类号 O48 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究	刘伊犁罗晏李国辉姬成周	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响	李国辉韩德俊陈如意罗晏刘伊犁姬成周朱红清王策寰	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MOSi_2生长动力学研究	刘伊犁姬成周林文廉	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS	1988	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	杂质氧在离子束混合形成MoSi_2中的行为	姬成周黄致新刘伊犁	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1989	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	快中子辐照抗菌素产生菌诱变育种的研究	张荫芬蓝李桥张孝吉刘伊犁	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS	1983	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	砷离子束感生铂硅化物的形成	刘伊犁王忠烈丁维清	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS	1985	0	在线阅读下载PDF 职称材料