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高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响被引量：2: 1; 作者沈川陈路 +2 位作者卜顺栋刘仰融何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期156-160,共5页; 对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究。研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变,从而破坏原生结构。这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制。同时,对热退火前后P... 展开更多; 关键词碲镉汞 P-on-N 界面结构热退火光电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响被引量：1: 2; 作者沈川刘仰融 +3 位作者孙瑞赟卜顺栋陈路何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期425-429,共5页; 对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝... 展开更多; 关键词碲镉汞 Hg空位钝化层热退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究: 3; 作者沈川杨辽 +4 位作者刘仰融卜顺栋王高陈路何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期799-803,共5页; 对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火... 展开更多; 关键词碲镉汞 As扩散热退火暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响	沈川陈路卜顺栋刘仰融何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响	沈川刘仰融孙瑞赟卜顺栋陈路何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究	沈川杨辽刘仰融卜顺栋王高陈路何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料