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高密度塑料闪烁体探测器的数据获取系统设计 被引量:7
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作者 杨海波 孔洁 +4 位作者 赵红赟 丁朋程 周勇 杨振雷 苏弘 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1882-1887,共6页
由中国科学院近代物理研究所承担的塑料闪烁体探测器研究项目,其目标是开展空间粒子探测、重构入射电子轨迹、区分电子和光子、鉴别重离子。为配合该探测器测试工作,设计了一套完备的数据获取电路(DAQ)与上位机软件。DAQ接收4块前端电子... 由中国科学院近代物理研究所承担的塑料闪烁体探测器研究项目,其目标是开展空间粒子探测、重构入射电子轨迹、区分电子和光子、鉴别重离子。为配合该探测器测试工作,设计了一套完备的数据获取电路(DAQ)与上位机软件。DAQ接收4块前端电子学(FEE)板的数据,可完成360路电子学通道的数据读出;接收上位机的控制命令并分发给各FEE;接收探测器的击中信息并产生触发信号;接收FEE的遥测数据并传给上位机。该DAQ与上位机通过USB总线和RS232总线实现实时通信。上位机软件基于LabWindows/CVI软件平台开发,实现对FEE电子学系统的控制、数据读取与保存,以及FEE系统运行状态参数信息的实时显示。该数据获取系统电路结构紧凑、功能完善,上位机软件具有良好的人机交互界面。经现场实际运行,DAQ与上位机软件满足设计要求,目前已成功应用于塑料闪烁体探测器读出电子学测试系统。 展开更多
关键词 塑料闪烁体探测器 DAQ FPGA USB LABWINDOWS/CVI
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一种抗单粒子翻转容错异步收发器电路设计 被引量:1
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作者 杨海波 丁朋程 +4 位作者 苏弘 王晓辉 孔洁 赵红赟 杨振雷 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期907-912,916,共7页
为了改善星载粒子探测装置异步收发器的抗单粒子翻转性能,提出了一种基于Actel Flash FPGA的解决异步收发器抗单粒子翻转和传输过程中检错和纠错问题的高可靠设计方案。基于Actel公司的Pro ASIC Plus系列APA600 FPGA,采用汉明码(Hamming... 为了改善星载粒子探测装置异步收发器的抗单粒子翻转性能,提出了一种基于Actel Flash FPGA的解决异步收发器抗单粒子翻转和传输过程中检错和纠错问题的高可靠设计方案。基于Actel公司的Pro ASIC Plus系列APA600 FPGA,采用汉明码(Hamming Code)和三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)法相结合的方式对异步收发器进行容错设计,实现了一种新型的抗单粒子翻转电路。对于发送器模块,首先数据处理单元把发送的数据送到编码器中完成汉明码编码,之后将编码完成的数据分别发送给多数表决器中来表决得到数据送入串行发送器中,最后将并串转换的数据发送出去。对于接收器模块,通过串行接收器对接收数据进行串并转换,并将转换后的并行数据送入解码器,解码器对接收到码字进行译码,得到最终的信息数据。对设计进行误差注入仿真测试,结果表明所设计的容错异步串行收发器能够有效地容错,可以非常方便地应用到航空航天等辐射环境中,实现高可靠的系统设计。 展开更多
关键词 Flash FPGA 三模冗余 汉明码 异步收发器 容错 抗辐射
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Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65 nm CMOS SRAMs exposed to heavy ions
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作者 童腾 王晓辉 +4 位作者 张战刚 丁朋程 刘杰 刘天奇 苏弘 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2014年第1期47-52,共6页
Single event upsets(SEUs) induced by heavy ions were observed in 65 nm SRAMs to quantitatively evaluate the applicability and effectiveness of single-bit error correcting code(ECC) utilizing Hamming Code.The results s... Single event upsets(SEUs) induced by heavy ions were observed in 65 nm SRAMs to quantitatively evaluate the applicability and effectiveness of single-bit error correcting code(ECC) utilizing Hamming Code.The results show that the ECC did improve the performance dramatically,with the SEU cross sections of SRAMs with ECC being at the order of 10^(-11) cm^2/bit,two orders of magnitude higher than that without ECC(at the order of 10^(-9) cm^2/bit).Also,ineffectiveness of ECC module,including 1-,2- and 3-bits errors in single word(not Multiple Bit Upsets),was detected.The ECC modules in SRAMs utilizing(12,8) Hamming code would lose work when 2-bits upset accumulates in one codeword.Finally,the probabilities of failure modes involving 1-,2- and 3-bits errors,were calcaulated at 39.39%,37.88%and 22.73%,respectively,which agree well with the experimental results. 展开更多
关键词 SRAM 重离子 CMOS 故障模式 纳米 纠错码 工业 ECC
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