〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响

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摘要一、前言无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛下生长困难得多。实践表明<111>籽晶的取向对生长无位错单晶有较大的影响。国外曾报道过气氛下生长无位错单晶与<111>籽晶的取向有关。本实验的目的是探讨真空下生长无位错硅单晶是否与<111>

作者蒋泉罗守礼

机构地区北京有色金属研究总院

出处《稀有金属》 EI CAS 1986年第1期1-3,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词偏角偏离方向成晶区熔硅单晶籽晶种晶位错晶体缺陷

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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