2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
A 2.2～2.4 GHz 110W Silicon Pulsed Power Transistor
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期133-133,共1页
Research & Progress of SSE
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1谭卫东,张纪生,熊承堃,王因生,张树丹,刘六亭,郑承志,陈统华,陈正东.L波段100W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1993,13(2):184-184.
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2谭卫东,张纪生,王志楠,张树丹,王因生,郑承志,刘六亭,康小虎.L波段150W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1994,14(3):288-288.
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3张树丹,李相光,林川,付义珠,姚长军,康小虎.S波段硅脉冲功率晶体管[J].电子器件,1997,20(1):1-5.
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4傅义珠,李相光,张树丹,王佃利,王因生,康小虎,姚长军.S波段100W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2000,20(2):123-127. 被引量：2
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5张树丹,李相光,林川,傅义珠,姚长军.S波段硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1997,17(1):7-14. 被引量：4
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6王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华.600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,1994,14(2):193-193. 被引量：3
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7吴鹏,林川,傅义珠,盛国兴,戴学梅,康小虎,王因生.2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2006,26(2).
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8傅义珠,李相光,戴学梅,盛国兴,王因生,王佃利.3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2006,26(1):140-140. 被引量：1
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9傅义珠,张树丹,高雷,姚长军.2GHz 100W硅脉冲功率晶体管[J].世界产品与技术,2002(2):20-21.
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10赵普社,王因生,李相光,傅义珠.4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2007,27(2).
