用VLS机制制备硅纳米线的生长阶段研究
被引量：2
摘要
在镀Ni的Si衬底上用硅烷高温分解的方法由VLS机制制备了硅纳米线，在不同的实验条件下研究了VLS机制生长的三个阶段：结晶阶段、共熔阶段和生长阶段，特殊条件下制备的处于结晶阶段的长度仅几十纳米的硅纳米线显示硅纳米线是从催化剂颗粒中长出来的，观察到的硅纳米线的生长过程说明VLS机制在纳米尺度仍然有效，可用于各种材料纳米线的制备。
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第B12期33-35,共3页
Vacuum Science and Technology
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