摘要
基于6~18 GHz中功率放大器芯片的设计,采用先进的半导体工艺,如0.25μm GaAs pHEMT或GaN HEMT,以满足宽带的应用需求;采用共源共栅结构提高放大器增益,使用负反馈结构改善增益平坦度;采用三级拓扑结构和微带结构,以减小输出匹配电路的损耗并提高效率。该设计有效拓展了中功率放大器的工作带宽,使其在6~18 GHz频段内表现出优异的性能。测试表明,该芯片在6~18 GHz频段内增益稳定,输入和输出回波损耗均较低,具有较高的输出功率。例如,某款基于GaN技术的芯片在6~18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB。该芯片适用于宽带电子战、国防应用以及其他需要高性能、宽带放大器的场合。本文为实现高性能、宽带中功率放大器芯片提供了一种有效的方法和技术路径。
出处
《计算机产品与流通》
2025年第5期31-33,共3页
COMPUTER PRODUCTS AND CIRCULATION
作者简介
朱占峰,郑州轨道工程职业学院,助理实验师,本科,研究方向为电工电子及现代通信信号技术。
