摘要
Y_(3)Fe_(5)O_(12)(简称YIG)单晶体作为一种高性能的磁光材料,随着光纤通讯等领域的发展,又重新引起人们的高度重视。本文所述采用浮区法(Floating zone)生长YIG单晶体,有效地降低了异类助熔剂的污染程度,且较容易地控制生长气氛,能较快地生长出高质量的单晶体,本文在YIG单晶样品经过机械抛光后,采用了化学侵蚀法,运用扫描电镜等手段观察了表面的缺陷,并比较了不同的化学侵蚀试剂的不同的侵蚀效果;通过测量位错密度,并与其相应的磁光性能联系起来,探讨晶体完整性与其磁光性能的联系;将单晶体的完整性与其生长条件联系起来,分析了不同的生长条件下的晶体的完整性,并为改良生长工艺提供积极反馈信息,有目的地在单晶体中掺入其它成分,是改良晶体性能的有效手段,本文将探讨杂质效应(主要是杂质离子)对单晶体完整性的影响。
作者
陈颂
郑红
张蕴芝
夏鸣昶
张道范
姜彦岛
Chen Song;Zheng Hong;Zhang Yunzhi;Xia Hongchang;Zhang Daofan;Jiang Yandao(Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing,100080)
出处
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期317-317,共1页
Journal of Synthetic Crystals
