摘要
针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来源分析对光伏单晶硅生长技术的发展做出展望。
This paper summarizes the research status and characteristics of existing large-size photovoltaic grade monocrystalline silicon preparation technologies such asrecharged Czochralski(RCZ)and off-furnace charged Czochralski(OCZ),continuous Czochralski(CCZ),etc.,compares and analyzes the advantages and difficulties of several photovoltaic monocrystalline silicon preparation technologies in terms of large-size,high quality,and low cost,and makes prospects for the development of photovoltaic monocrystalline silicon growth technology based on the analysis of future silicon material sources.
作者
康家铭
黄振玲
李太
赵亮
周翔
吕国强
Kang Jiaming;Huang Zhenling;Li Tai;Zhao Liang;Zhou Xiang;Lyu Guoqiang(School of Metallurgy and Energy Engineering,Kunming University of Technology,Kunming 650093,China;Yunnan Silicon Industry Engineering Research Center,Kunming 650093,China)
出处
《太阳能学报》
北大核心
2025年第3期310-319,共10页
Acta Energiae Solaris Sinica
基金
云南省重点研发项目(202002AB080030,202103AA080003)
云南省科技重大专项(202102AB080016,202202AG050012)
云南省科技计划项目(202302AD080008)。
关键词
单晶硅
硅片
坩埚
太阳电池
直拉法
monocrystalline silicon
silicon wafers
crucibles
solar cells
Czochralski method
作者简介
通信作者:吕国强(1972-),男,博士、教授,主要从事硅材料与冶金方面的研究。lvguoqiang_ok@aliyun.com。
