摘要
介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现,离子源的选择由分析元素决定,一次束能量决定深度分辨率,入射角度影响溅射产额,一次离子束的束流密度影响溅射速率。因此,在SIMS测试中,需要根据分析目的调节相应参数,以获得较好的分辨率。
The influence of the parameters of the primary ion beam on the SIMS test is introduced.It is found that the choice of ion source is determined by the analysis element,the primary beam energy determines the depth resolution,the incident angle affects the sputtering yield,and the primary ion beam current density affects the sputtering rate.Therefore,in the SIMS test,the corresponding parameters need to be adjusted according to the different analysis purposes to obtain better resolution.
作者
李乾
师景霞
王丛
申晨
折伟林
LI Qian;SHI Jing-xia;WANG Cong;SHEN Chen;SHE Wei-lin(North China Research Institute of Electro-Optics, Beijing 100015, China)
出处
《红外》
CAS
2021年第1期16-20,共5页
Infrared
关键词
二次离子质谱仪
一次离子束
刻蚀速率
secondary ion mass spectrometry
primary ion beam
sputtering rate
作者简介
李乾(1990-),男,山东泰安人,工程师,硕士,主要从事材料测试开发工作。E-mail:liqianbuaa@126.com。
