不同剂量氟处理对GaN基器件横向电场分布的影响

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摘要随着科学技术的高速进步,以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功率、微波器件领域拥有越来越重要的地位,由于目前CF4作为刻蚀剂广泛用于GaN 器件的栅槽刻蚀工艺中,因此研究氟等离子体对Al-GaN/GaN HEMT 器件的可能影响具有现实意义,本文针对不同剂量氟等离子体处理对AlGaN/GaN 器件的栅下横向电场分布进行了仿真模拟。

作者孙永达徐浩然张珏铭陈冲

机构地区吉林建筑大学

出处《经济技术协作信息》 2020年第10期87-87,共1页

基金吉林建筑大学大学生创新创业项目《不同剂量氟处理对GaN基器件横向电场分布影响研究》资助。

关键词 ALGAN/GAN 横向电场微波器件刻蚀工艺等离子体处理 HEMT 氟处理仿真模拟

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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