摘要
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究掺杂Al的HfO2阻变材料的微观特性.研究表明,间隙Al掺杂到HfO2中后,体系更稳定;当间隙Al浓度为2.04%时,能够形成较为完美的电荷通道,临界等势面值相对最高,有利于器件的均匀性、操作速度以及形成电压等性能的改善;当间隙Al浓度高于4%时,掺杂体系的材料制备更加困难.
The first-principles calculation method based on density functional theory was used to study the microcosmic properties of Al-doped HfO 2 resistive materials.The results show that the system is more stable when interval Al is doped into HfO 2.When the concentration of interval Al is 2.04%,the perfect charge channel can be formed,and the critical equipotential surface value is relatively high,which is conducive to the improvement of device uniformity,operation speed and formation voltage.When the concentration of interval Al is higher than 4%,the preparation of doped materials is more difficult.
作者
姜永召
代广珍
JIANG Yongzhao;DAI Guangzhen(College of Electrical Engineering,Anhui Polytechnic University,Wuhu 241000,China)
出处
《牡丹江师范学院学报（自然科学版）》
2019年第4期26-29,共4页
Journal of Mudanjiang Normal University：Natural Sciences Edition
基金
国家自然科学基金项目(61306108
61172131
61271377)
安徽省高等学校教育基金项目(KZ00216022)
安徽工程大学科研启动基金项目(2018YQQ007)
作者简介
姜永召(1993-),男,安徽宿州人.研究生,主要从事半导体存储器器件研究;代广珍(1974-),男,安徽无为人.副教授,硕士生导师,主要从事新型存储材料、第一性原理计算研究和半导体性质研究.
