摘要
本文简要介绍了nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞nBn结构器件与经过优化具备俄歇抑制特点的NBv N结构器件的性能。总结了碲镉汞nBn型器件势垒层设计要素及器件价带带阶消除的方法。
In this paper,the proposal and development of an nBn barrier device are briefly introduced.The operating mechanisms of nBn devices and suppression mechanisms of dark current are also discussed.Meanwhile,we compared the HgCdTe device performance of the nBn structure and NBvN structure,which were optimized with auger suppression character.The barrier layer design factors of the nBn HgCdTe device and methods of eliminating the device’s valence band offset are summarized.
作者
覃钢
夏菲
周笑峰
洪秀彬
李俊斌
杨春章
李艳辉
常超
杨晋
李东升
QIN Gang;XIA Fei;ZHOU Xiaofeng;HONG Xiubin;LI Junbing;YANG Chunzhang;LI Yanhui;CHANG Chao;YANG Jin;LI Dongsheng(Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China;State Grid Liaoyang Electric Power Supply Company,Shenyang 111000,China;Army Academy of Border Coastal Defense in Kunming,Kunming 650223,China)
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第9期853-862,共10页
Infrared Technology
基金
装备预研基金
关键词
碲镉汞
势垒
SRH抑制
俄歇抑制
高工作温度
HgCdTe
barrier
SRH suppression
Auger suppression
high operation temperature
作者简介
覃钢(1987-),男,湖北建始人,硕士,工程师,主要从事红外光电材料与器件方面的研究工作,E-mail:qingang0125@163.com;通信作者:李东升(1974-),男,陕西西安人,研究员,硕士导师,主要从事红外焦平面探测器方面的研究工作,Email:li_d_s@163.com。
