气相生长ZnSe晶体的提拉效应

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摘要引言用气相法生长 ZnSe 晶体,通常把装有多晶物料的安瓿放在具存特定温度分布的立式炉内,安瓿底部的物料处在高温区,尖端处在温度梯度区。这样,Znse 分子便由高温区输运,并在安瓿顶端淀积下来长成晶体(图1)。用此法生长晶体,一般还要以一个适当的速度连续地提拉安瓿向上运动。本文论述了提拉对晶体生长速度的影响。

作者胡德良

出处《半导体光电》 CAS 1980年第1期66-69,共4页 Semiconductor Optoelectronics

关键词晶体生长速度安瓶 ZNSE 晶体生长速率提拉

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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