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金刚石磨粒排布方式对交叉微流道形成规律的影响 被引量:1

Effects of Diamond Abrasive Arraying Forms on Interdigitated Micro-channel
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摘要 依据交叉型微流道的结构设计要求,分析了金刚石磨粒排布方式对交叉微流道形成规律的影响。仿真了固定磨粒研磨加工轨迹的均匀性,计算了不同磨粒排布方式下加工轨迹线形成的微流道分形维数,得到了被加工工件表面的宏观和微观开孔率。综合对比了不同磨粒排布方式对轨迹均匀性、分形维数和开孔率的影响,获得了最佳的金刚石磨粒螺旋排布方式。 Effects of diamond abrasive arraying forms on the interdigitated micro-channel were studied according to the design of micro-channel structure.Uniformity of lapping trajectory for fixed lapping was simulated,and fractal dimension of micro-channel was calculated with different abrasive arraying forms,both of macro and micro opening rate of bipolar plate surface were studied.Optimal spiral arraying form of diamond abrasive was obtained by comparing uniformity of lapping trajectory,fractal dimension and opening rate.
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1374-1380,共7页 China Mechanical Engineering
基金 国家自然科学基金资助项目(51175472) 浙江省自然科学基金杰出青年基金资助项目(R1111149) 浙江省公益计划资助项目(2014C31100)
关键词 磨粒排布方式 交叉型微流道 轨迹均匀性 分形维数 开孔率 abrasive arraying form interdigitated micro-channel uniformity of lapping trajectory fractal dimension opening rate
作者简介 李刚,男,1971年生。浙江工业大学特种装备制造与先进加工教育部重点实验室高级工程师。主要研究方向为超精密加工。发表论文8篇。 杨庆华,男,1964年生。浙江工业大学特种装备制造与先进加工教育部重点实验室教授、博士研究生导师。 文东辉(通信作者),男,1974年生。浙江工业大学特种装备制造与先进加工教育部重点实验室教授、博士研究生导师。 鲁聪达,男,1964年生。浙江工业大学特种装备制造与先进加工教育部重点实验室教授、博士研究生导师。
  • 相关文献

参考文献7

  • 1Ttiber K, Oedegaard A. Hermann M, et al. Investi- gation of Fractal Flow-fields in Portable Proton Ex- change Membrane and Direct Methanol Fuel Cells [J]. Journal of Power Sources, 2004,131 (1/2) : 175- 181.
  • 2Kuan Y, Chang J Y, Lee S M, et al. Characterization of a Direct Methanol Fuel Cell Using Hilbert Curve Fractal Current Collectors [J]. Journal o{ Power Sources, 2009,187 : 112-122.
  • 3万珍平,方晓明.质子交换膜燃料电池用分形微通道双极板及其加工方法:中国,2008102202040[P].2008-12-22.
  • 4Chen T,Gu Y F,Li C P,et al. Stamping and Spring- back of PEMFC Metal Bipolar Plate[J]. Advanced Materials Research,2010,215 : 1-4.
  • 5盛继生,文东辉,计时鸣.主动驱动条件下研磨轨迹均匀性的研究[J].农业机械学报,2010,41(4):209-212. 被引量:7
  • 6王建军.花岗石抛光表面分形维数与光泽度关系及分形物理意义研究[J].中国机械工程,2007,18(19):2362-2366. 被引量:2
  • 7肯尼思·法尔科内.分形几何:数学基础及其应用[M].曾文曲等,译.2版.北京:人民邮电出版社,2007.

二级参考文献12

  • 1王建军,徐西鹏,黄辉.高斯滤波在花岗石表面粗糙度研究中的应用[J].计量学报,2006,27(2):104-106. 被引量:6
  • 2高道岗.超精密加工技术[M].台湾:全华科技图书,2000.
  • 3Hocheng H,Tsai H Y,Tsai M S.Effects of kinematic variables on nonuniformity in chemical mechanical planarization[J].International Journal of Machine Tools & Manufacture,2000,40 (11):1651-1669.
  • 4Tyan Feng.Nonuniformity of wafer and pad in CMP:kinematic aspects of view[J].IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing,2007,20(4):451-463.
  • 5查立豫.平面光学零件加工中的相对线速度分布[J].仪器制造,1983,(3):6-10.
  • 6Malkin S.Grinding Mechanisms for Ceramics[J].Annals of the CIRP,1996,45(2):569-580.
  • 7Chiang S S,Marshall,Evan A G.The Response of Solids to Elastic/Plastic Indentation.Ⅱ.Fracture Initiation[J].Journal of Applied Physics,1982,53(1):213-217.
  • 8Malkin S.From Steels to Cramics in Grinding[J].Finer Points,1995,7(3):18-22.
  • 9Majudar A,Tien C L.Fractal Characterization and Simulation of Rough Surfaces[J].Wear,1990,136(2):313-324.
  • 10杨建东,任长根,王长兴,王立江.平面研磨中影响工件起动力矩的因素[J].光学技术,1998,24(5):39-41. 被引量:2

共引文献7

同被引文献17

  • 1苏建修,郭东明,康仁科,金洙吉,李秀娟.硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析[J].中国机械工程,2005,16(9):815-818. 被引量:14
  • 2郑文.摇摆式圆盘研磨机研磨轨迹型态的研究[J].重型机械科技,2005(2):1-3. 被引量:8
  • 3靳永吉.CMP抛光运动机理研究[J].电子工业专用设备,2005,34(9):37-41. 被引量:6
  • 4田业冰,金洙吉,康仁科,郭东明.硅片自旋转磨削的运动几何学分析[J].中国机械工程,2005,16(20):1798-1801. 被引量:15
  • 5Matsuo T, Touge M, Yamada H.High-Precision Surface Grinding of Ceramics with Superfine Grain Diamond Cup Wheels[J].Annalsof CIRP,1997,46(1):249-252.
  • 6简志伟.平面研磨加工路径分析研究[D].中国台湾:淡江大学,2000.
  • 7Kim H,Jeong H.Effect of process conditions on uniformity of velocity and wear distance of pad and wafer during chem- ical mechanical planarization[J].Journal of electronic materials,2004,33(1):198-200.
  • 8Bibby T FA, Haewood R, Schey D, et al.Cartesian coor- dinate maps for chemical mechanical planarization uniformi- ty characterization[J].Thin Solid Films,1997,308-309(11):512-517.
  • 9Tso P L, Wang Y Y,Tsai M J.A study of carrier motion on a dual-face CMP machine[J].Journal of Materials Processing Technology,2001,116(2-3):194-200.
  • 10Su J X,Guo D M, Kang R K.Modeling and analyzing on nonuniformity of material removal in chemical mechanical polishing of silicon wafer[J].Materials Science Forum,2004(471472):26-31.

引证文献1

二级引证文献8

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