期刊文献+

一种基于CMOS工艺2.4 GHz功率放大器的设计 被引量:1

Design on a 2.4 GHz CMOS Power Amplifier
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 基于SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,采用双负反馈结构设计了一款2.4 GHz的功率放大器。该功率放大器由驱动级和功率输出级2级组成,利用片上电感实现了级间的阻抗变换。仿真结果表明,电路在工作频率范围内,功率增益为24 d B,输出1 d B压缩点为23 d Bm,峰值功率附加效率为40%。 Based on SMIC 0.18 μm RF CMOS process,a 2.4 GHz power amplifier is designed with the dual-feedback structure. The impedance transformer is implemented with the on-chip inductor.The simulation results show that,within the operating frequency range,the power gain is 24 dB,the 1 dB output compression point is 23 dBm,the peak PAE is 40%.
出处 《无线电工程》 2015年第2期56-59,共4页 Radio Engineering
基金 国家部委基金资助项目
关键词 双反馈 功率放大器 GMOS dual-feedback power amplifier CMOS
作者简介 吕杰 男,(1982-),硕士研究生,工程师。主要研究方向:模拟及射频集成电路设计。 刘林海 男,(1971-),硕士研究生,高级工程师。主要研究方向:模拟及射频集成电路设计。
  • 相关文献

参考文献8

二级参考文献61

  • 1杨贤松.用ADS进行宽带微波功放的仿真设计[J].通信对抗,2006(1):55-57. 被引量:9
  • 2毕克允,李松法.宽禁带半导体器件的发展[J].中国电子科学研究院学报,2006,1(1):6-10. 被引量:23
  • 3温国忠,唐建东.传输线的阻抗控制[J].现代电子技术,2006,29(10):140-142. 被引量:7
  • 4MILLIGAN J W, SHEPPARD S, PRIBBLE W, et al. SiC and GaN Wide Bandgap Device Technology Overview [ C ]. IEEE Radar Conference, 2007 : 960 - 964.
  • 5OSTLING M, KOO S-M, LEE S-K, et al. SiC Device Technology for High Voltage and RF Power Applications[ C]. 23rd International Microelectronics Conference, 2002 : 31 - 39.
  • 6WALDEN M G, KNIGHT M. Evaluation of Commercially Available SiC MESFETs for Phased Array Radar Applications [C] .The 10th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications,2002:166-171.
  • 7Larson L E. Integrated circuit technology options of RF IC's - present status and future directions[J]. IEEE J Sol Sta Circ, 1998; 33 (3): 387-399.
  • 8Karanicolas A N. A 2. 7 V 900 MHz CMOS LNA and Mixer [J]. IEEE J Sol Sta Circ, 1996; 31(12): 1939-1954.
  • 9Rofougaran A, Chang J Y C, Rofougaran M, et al. A 1 GHz CMOS RF front-end IC for a direct-conversion wireless receiver [J]. IEEE J Sol Sta Circ, 1996; 31(7): 880-889.
  • 10Craninckx J, Steyaert M S J. A 1.8 GHz low-phasenoise CMOS VCO using optimized hollow spiral inductors [J]. IEEE J Sol Sta Circ, 1998; 32(5): 736-744.

共引文献43

同被引文献11

引证文献1

二级引证文献4

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部