精密材料工程助力实现3D NAND结构推动半导体行业新发展

在线阅读下载PDF

导出

摘要 1开发3D NAND结构由于2D（x-y dimension）半导体元件的尺寸已经接近极限,3D（z dimension）半导体能够经由精密材料工程进一步实现小型化。3D技术有望为企业节约成本,因为它能够使元件实现更高的位密度,这正是对半导体内存提出的基本要求之一。

作者平尔萱

机构地区应用材料公司半导体产品事业部

出处《中国集成电路》 2014年第5期28-29,39,共3页 China lntegrated Circuit

关键词半导体行业 3D技术材料工程 NAND 结构半导体元件节约成本小型化

作者简介平尔萱，目前担任应用材料公司半导体产品事业部执行技术总监。他毕业于爱荷华州立大学，获得电气工程博士学位。

参考文献4

1H. Tanaka, et al., "Bit Cost Sealable Teehnolo~ with Punch and Plug Process for Ultra High Density Flash Memory,VLSI, 14, 2007.
2R. Katsumata, et al., "Pipe-Shaped BiCS Flash Memory with 16 Slacked Layers and Multi- Level-Cell Operation for Ulira High Density Storage Devices," VI,SI, 136, 2009.
3J. Jang, et al., "Vertical Cell Array Using TCAT ( Terabit Cell Array Transistor)Technology for Ultra High Density NAND Flash Memory.," VLSI, 192, 2009.
4S. J. Whang, et al., "Novel 3-Dimensional Dual Conlrol-Gate wilh Surrounding Floating-Gate (DC -SF ) NAND Flash Cell for ITh File Storage Applica- tion," IEDM, 29.7.1, 2010.

中国集成电路

2014年第5期

内容加载中请稍等...