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阳极氧化工艺条件对氮化钽烧结体电性能的影响 被引量:5

Effect of Anodizing Process Conditions on Electrical Characteristics of Sintered Tantalum Nitride Anodes
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摘要 用纳米氮化钽粉末烧结制备了氮化钽烧结体,分析了烧结体的物相结构,研究了形成液种类、形成液浓度、温度、电流密度以及赋能电压等条件对氮化钽阳极氧化膜电性能的影响。结果表明,该烧结体是由纯氮化钽组成的,氮化钽阳极块体阳极氧化过程的最佳赋能工艺:磷酸溶液浓度0.01%,形成液温度55℃,电流密度40mA/g,形成电压小于16V。 Sintered tantalum nitride anodes were prepared with tantalum nitride nanopowders.The sintered anode slugs were examined by XRD.The effects of formation solution in terms of its variety,concentration and temperature,current density and formation voltage on electrical characteristics were studied.The results show that the anode slugs are made of pure tantalum nitride phase,and the optimum anodizing process conditions including H3PO4 concentration of 0.01%,temperature of formation solutions of 55 ℃,current density of 40 mA/g and the formation voltage of less than 16 V.
出处 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2012年第9期51-54,共4页 Nonferrous Metals(Extractive Metallurgy)
基金 国家自然科学基金资助项目(51004008 21071014) 国家基础研究发展计划(973计划)项目(2007CB613301)
关键词 氮化钽烧结体 电性能 阳极氧化 sintered tantalum nitride anodes electrical characteristics anodization
作者简介 刘莲云(1965-),女,河北人,博士 通讯作者:朱鸿民(1962-),男,教授
  • 相关文献

参考文献15

  • 1陈国光.电解电容器[M].西安:西安交通大学出版社,1994.12-14.
  • 2王训国.高比容钽粉的赋能工艺研究[J].稀有金属,1991,15(6):410-415. 被引量:4
  • 3揣荣岩,孟丽囡,韦春才.钽阳极氧化膜的防晶化研究[J].沈阳工业大学学报,2004,26(4):433-434. 被引量:7
  • 4于家宁,李荐.钽阳极氧化膜生成机理的探讨[J].湖南有色金属,2000,16(2):25-27. 被引量:3
  • 5Fernandez M, Baonza J, Albella J M, et al. Influence of electrolytes in the electrical characteristics of anodic films on tantalum [J]. Electrocomponent Science and Technology, 1981(7): 205-210.
  • 6Lu Q, Mato S, Skeldon P, et al. Anodic film growth on tantalum in dilute phosphoric acid solution at 20 ℃ and 85 ℃ [J].Electrochimica Acta, 2002, 47:2761-2767.
  • 7Oda Y, Izumi T. Production of nitrogen-containing tan- talum or niobium powder and solid electrolytic capacitor: Japan, International Patent, WO 01/59166[P]. 2001- 08-16.
  • 8潘伦桃,郑爱国,马跃忠,等.阀金属粉末的掺氮方法及由此获得的含氮钽粉和含氮铌粉:中国,CN101113510A[P].2008-01-30.
  • 9Tripp T B, Cox Barbara L. Tantalum and tantalum ni- tride powder mixtures for electrolytic capacitors sub- strates~US, US 6554884 B1 [P]. 2003-04-29.
  • 10Tadashi Yanuzaki. Sintered chip tantalum nitride ca- pacitors[J]. IEE,1991,28 (4):68 -71.

二级参考文献4

  • 1天津大学无线电元件教研室.电容器[M].北京:技术标准出版社,1989..
  • 2日永田伊佐也.アルミニゥㄙ乾式电解ロンデンサ[M].JCC,1986..
  • 3崔志武 韦春才 李和太.铝电解电容器[M].北京:学苑出版社,1991..
  • 4宋显申,毛襄苹,佟世昌,孙玉洁,王向东.高比容钽粉研制[J]稀有金属,1988(03).

共引文献27

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引证文献5

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