摘要
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。
Sidewall profiles and etch rate of dry etched GaN mesas were investigated by using a chlorine based inductively coupled plasma （ICP） system. The process conditions were carefully selected by changing ICP ion source power, RF power, gas flow, and chamber pressure. The ex-perimental results show that a very wide sidewall profile angle could be achieved from 23°to 83° at certain optimized conditions, which provide a helpful process guideline for fabricating GaN based devices.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期219-224,共6页
Research & Progress of SSE
基金
国家自然科学基金资助项目(10990102)
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173)
作者简介
王玮（WANG Wei）男，1985年生，陕西西安人，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所在读材料物理与化学博士生，主要从事大功率系统集成LED的研究。
蔡勇（CAI Yong）男，1971年生，江苏南京人，博士研究生，研究员，硕士生导师，主要从事氮化物半导体器件的研究。联系作者：E—mail：ycai2008@sinano．ac．cn
张宝顺（ZHANG Baoshun）男，1968年生，吉林长春人，博士研究生，研究员，博士生导师，主要从事半导体材料生长和器件工艺研究。
