摘要
在室温下,采用射频磁控溅射技术以较大的功率密度(7W/cm2)沉积了一系列掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜,探索了溅射压强对沉积速率及薄膜性能的影响。结果表明,当工作压强为2.0Pa时,高速(67nm/min)沉积得到的薄膜的电阻率为2.63×10-3Ω.cm,可见光平均透过率为83%,并且在薄膜表面有一定的织构。
A series of aluminium-doped zinc oxide（AZO） films were prepared by radio-frequency magnetron sputtering deposition system with high power density at room tempereature. Effects of pressure on the deposition rate and properties of the films were investigated. Low resitivity of 2.63×10^-3Ω·cm and high average visible transmit- tance about 83 % are obtained at the working pressure of 2. 0Pa with a high depositon rate of 67nm/min, some surface textures are formed.
基金
中央高校基本科研业务费专项资金(2011YYL006)
中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金(KLSMS-0907)
关键词
室温
压强
AZO
高速
磁控溅射
room temperature, pressure, AZO, high rate, magnetron sputtering
作者简介
李伟民：男，1986年生，硕士研究生
郝会颖：通讯作者，女，副教授，主要从事半导体材料及器件的研究 Tel：010-82321062 E-mail：huiyinghaol@cugb．edu．cn
