半导体晶元电镀技术进展被引量：1

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摘要 1 晶元焊接电镀制造流程 (1)喷射腐蚀剂去除铝氧化膜 (2)喷射沉积50nmCr层和500nmCu层。 (3)图形沉积厚度80μm的光刻胶 (4)电镀5μm铜层 (5)晶元电镀 (6)去除光刻胶 (7)去除喷射的铬层和铜层 (8)使用焊料和使焊接电镀层重熔注:焊接电镀可用低熔点(接近于63/37 Sn/Pb)或高熔点(95/5 Sn/Pb)

出处《表面工程资讯》 2003年第5期5-6,共2页 Information of Surface Engineering

关键词电镀技术光刻胶喷射沉积可焊性半导甲基磺酸锡电镀设备电镀溶液添加剂制造流程

分类号 TQ153 [化学工程—电化学工业]

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