摘要
半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点。资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试。作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳定性进行了系统研究。通过对两种不同制程的静态随机存储器芯片(SRAM)进行α粒子加速软失效率测试,提出了确保α粒子加速测试稳定的方法。基于相同测试条件下多次测量结果变化和测试时间的关系,给出了合理的加速软失效测试的时间推荐值,保证了测试结果的有效性。
The soft errors （SE） in semiconductor devices occasionally occur with a long time interval. The accelerated method by sources, named as accelerated soft error rate （ASER） , is needed to evaluate soft error rate （SER） with limited resources. As the premise of improving design and process to resist SE, the accurate SER was evaluated. Two generation SRAMs were tested by α-ASER, and an analytical method of ensuring the test stability was proposed. Based on the tendency of the variation at the same experimental setup along the test duration, a timing for the validity of α-ASER test was recommend.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期88-91,共4页
Semiconductor Technology
关键词
Α粒子
软错误
加速软失效率
测试稳定性
临界电荷
α-particle
soft error
accelerated soft error rate （ASER）
test stability
critical charge
作者简介
王娜（1984-），女，山东淄博人，硕士，目前从事产品可靠性测试相关的研究工作。
