摘要
介绍一种X波段宽带低噪声放大器（LNA）的设计。该放大器选用NEC公司的低噪声放大管NE3210S01（HJFET）,采用微带阻抗变换型匹配结构和两级级联的方式,利用ADS软件进行设计、优化和仿真。最后设计的放大器在10~13 GHz范围内增益为25.4 dB±0.3 dB,噪声系数小于1.8 dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于1.6。该放大器达到了预定的技术指标,性能良好。
A method of designing an X band broadband low noise amplifier （LNA） is proposed. The amplifier used NECs HJFET NE3210S01, adopted micro-strip impedance converting matching structure and a two-stage cascade topology. The ADS software was used as a tool for design, optimization and simulation. The designed amplifier exhibited broadband operation is 10~13 GHz with noise figure 〈1.8 dB, the gain is 25.4 dB±0.3 dB, the input SWR 〈2, the output SWR〈1. 6. This LNA has prefect performance and meets the technical requirements.
出处
《现代电子技术》
2010年第14期10-13,共4页
Modern Electronics Technique
作者简介
作者简介：牛宗超男，1981年出生，河南荥阳人，硕士研究生。主要研究方向为模拟集成电路。
