摘要
本文从焓的定义出发，根据焓平衡方程，考虑相互作用过程中材料的热物性参数的变化和相变问题，据此进行计算，得到了几种典型的半导体材料的动态温升曲线，其熔融阈值与激光持续作用时间之间的关系，以及熔融阈值与入射激光频率之间的依赖关系。
Considering the change of thermophysical parameters of the semiconductor and the phase change during the interaction between the material and the laser beam,we obtained the instant temperature rise of several typical semiconductors and the dependence of the melting threshold on the laser pulsewidth and the laser frequency based on the equation of the enthalpy equilibrium.
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
1998年第4期344-346,共3页
Journal of Optoelectronics·Laser
基金
国家教委跨世纪优秀人才培养计划专项基金
霍英东高校青年教师基金
江苏省自然科学基金
