摘要
为了得到简单、准确且移植性强的铁电存储器1T单元ID-VG(电流转移特性)模型,通过引入漏极电压影响因子、阈值电压和极化饱和程度等因素,从理论上得到了和MOSFET电流模型结构一致的铁电存储器1T单元的ID-VG特性模型。与测试数据进行对比,验证了该模型的正确性。
In order to gain more simple and easily planted ID-VG characteristics model, with the help of voltage influence factor, VT and the level of polarization saturation, ID-VG characteristics model of ferroelectric memory 1T unit is obtained, which is more accurate, compared with data before .
出处
《广西工学院学报》
CAS
2008年第1期71-74,共4页
Journal of Guangxi University of Technology
基金
广西工学院硕士科研基金(070236)资助
关键词
铁电存储器
电流转移特性
器件模型
ferroelectric memory
ID- VG characteristics
device model
作者简介
邓珂（1980-），男,广西柳州人，广西工学院研究生处助理工程师，硕士。
