摘要
采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究。实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm^(-3),电阻率为41.5Ω·cm。
The technology of implantation is used for the N-doped ZnO prepared by radio-frequency （RF） magnetron sputtering,and p-type ZnO film is achieved by thermal annealing. The properties of ZnO films, before and after thermal annealing, are characterized via X-ray diffraction （XRD） and room-temperature Hall measurements. The results show that method is reproducible in producing p-type ZnO film, and the electrical properties of the p-type ZnO film can be improved by thermal annealing with further increasing temperature or delaying time. The film under special annealing condition（950℃,7 min） shows a hole concentration of 1.68E＋16cm^-3 and a resistivity of 41.5 Ω · cm.
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期143-145,共3页
Materials Reports
基金
重庆市攻关项目资助(CSTC，2004AC4034)
重庆市教委项目资助(KJ050812)
关键词
氧化锌薄膜
P型
离子注入
制备
ZnO film, p-type, ion implantation,preparation
作者简介
朱仁江：男，1975年生，讲师，从事ZnO半导体薄膜掺杂研究，E-mail：kchy@163．com
