期刊文献+

二次合成法制备(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3铁电陶瓷的性能

Characteristics of PST Ferroelectric Ceramics Fabricated by a Two-step Method Process
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 采用二次合成的方法,即第一次按陶瓷制备工艺分别合成PbTiO_3与SrTiO_3粉体,第二次将PbTiO_3与SrTiO_3粉体按所需比例混合,成功地制备了性能较好的(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3铁电陶瓷。测试表明,其介电特性较好,介电常数可达10~4量级,介电损耗可低于1.0%;其铁电效应普遍较强,室温附近饱和极化强度可超过10μC/cm^2,矫顽场强可低于100 kV/m,热释电系数达10^(-1)μC/cm^2K量级。 PST ferroelectric ceramics at first, PbTiO3and SrTiO3 were sintered were fabricated successfully by a two-step method, i. e. respectively, then PbTiO3 and SrTiO3 were mixed and sintered to obtain the PST ceramics. The process and characteristics of PST ferroelectric ceramics were researched. Their dielectric and ferroelectric characteristics are excellent: dielectric constant 10^4 Order, dielectric loss about 1.0%, ; saturation polarization intensity over lOμC/cm^2,coercive field 100 kV/m or so,pyroelectric coefficient 10^-1μC/cm^2K order (near room temperature).
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期578-582,共5页 Research & Progress of SSE
基金 教育部光电技术及系统重点实验室资助课题(CETD00-09)
关键词 二次合成法 PST铁电陶瓷 工艺 性能 two-step method PST ferroelectric ceramics process characteristics
作者简介 朱金荣(ZHU Jinrong)男,1968年生。1992年毕业于扬州大学获理学学士学位,并留校工作。其间于2007年在南京理工大学毕业,获工学硕士学位。目前在扬州大学物理科学与技术学院任教。 王茂祥(WANG Maoxiang)男,1967年生。1989年于东南大学电子工程系毕业获学士学位,1989年至1995年在扬州大学工学院工作。1998年及2001年分别在东南大学电子工程系获工学硕士、博士学位。2001年7月至今在中国移动通信集团江苏公司工作。2005年12月起同时在南京大学工程管理学院做兼职博士后研究工作。联系作者:E-mail:wangmx67@sina.com
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献25

  • 1[1]Dey S K, Zuleeg R. Processing and parameters of Sol- Gel PZT thin films for GaAs memory applications [J]. Ferroelectrics,1990,112:309~ 317.
  • 2[2]Seth V K, Schulze W A. Fabrication and characterization of ferroelectric PLZT 7/(65/35) ceramic thin films and fibers[J]. Ferroelectrics, 1990,112:283~ 307.
  • 3[3]Wenger A B, Brueck S R J, Wu A Y. Integrated PLZT thin film modulators[J]. Ferroelectrics,1991,116:195~ 204.
  • 4[4]Scott J F, Paz De Araujo C A. Ferroelectrics Memories[J]. Science, 1989,246:1400~ 1405.
  • 5[5]Bondurant D, Gnadinger F. Ferroelectrics for nonvolatile RAMS[J]. IEEE Spectrum, 1989:30~ 33.
  • 6[7]Paul W Kruse, David D Skatrud. Uncooled infrared imaging arrays and systems[J]. Academic Press, 1997:165~ 167.
  • 7[8]Walter lang, Karl Kuhl, Hermann Sandmaier. Absorbing layers for thermal infrared detectors[J]. Sensors and Actuator, 1992, A34:243~ 248.
  • 8[10]Roy R A, Etzold K F, Cuommo J J. Lead Zirconate- Titanate films produced by facing target rf- sputtering. In: Mayer E R, Kingon A I eds. Ferroelectric thin films[M]. San Francisco, Pittsburgh: Mat Res Soc, 1990,77~ 82.
  • 9[11]Kodoh H, Ogawa T, Morimoto A, et al. Ferroelectric properties of Lead Zirconate- Titanate films prepared by laser ablation[J]. Appl Phys Lett,1991,58(25):2910~ 2912.
  • 10[12]Ian M R, David V T, Keith G B. Ferroelectric PZT thin films by Sol- Gel deposition[J]. Sol- Gel Science and Technology, 1998,13:813~ 820.

共引文献30

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部