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1微米多晶硅条宽控制研究

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摘要本文通过对气体压力、射频功率、电极间距、气体流量等初始工艺参数的选取研究，优化工艺，从而得到优化的多晶硅刻蚀工艺。对1μm多晶硅条宽，CD严格控制在1±0．1μm内，保证了器件的参数要求，为研制1MDAM、256kSRAM提供了强有力的技术保证。

作者吴长明熊淑平

机构地区中国华晶电子集团公司中央研究所二室

出处《微电子技术》 1996年第3期39-44,共6页 Microelectronic Technology

关键词 VLSI 多晶硅栅 IC 等离子刻蚀

分类号 TN470.598 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子技术

1996年第3期

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