摘要
基于PECVD以高纯S iH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向。对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强。结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大。
Polycrystalline silicon thin film were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD） technology using Sill4 as material at substrate temperature of 550℃ and RF power （13.56MHz） of 20W, respectively. The grain sizes and morphologies of the film were investigated by XRD and SEM. The result shows that preferential orientation of the film is 〈 111 〉 , 〈220 〉 , 〈311 〉. The film was annealed at 550℃ ,900℃ and 1100℃. It could be concluded that the sample annealed at higher temperature with longer time has higher fraction of polycrystalline silicon , larger grain size and preferential growh in 〈 111 〉 direction.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期1151-1154,共4页
Journal of Synthetic Crystals
基金
黑龙江省教育厅电子工程重点实验室科学技术研究项目(DZZD2006-12)
黑龙江大学集成电路重点实验室项目
黑龙江大学青年科学基金项目(QL200514)
关键词
PECVD
多晶硅薄膜
晶粒
退火
PECVD
polycrystalline silicon thin films
grain
annealed
作者简介
赵晓锋（1980-）．男，讲师，博士研究生。E—mail：zxf80310@126．com
通讯作者：温殿忠（1949-），男．教授，博士生导师。
